【課題】優れた解像度でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式（Ｉ）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、単結合又は２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、炭化水素基等を表す。Ｒ^２は、水素原子又はアルキル基を表す。ｍは、０〜４の整数を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、ラクトン環基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。＊１は、硫黄原子との結合手を表し、＊２は、Ｒ^２又はＲ^３との結合手を表す。Ａ^１０は、脂肪族炭化水素基を表す。Ａ^１１は、脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基等を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン等の有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】特定の構造を有するラクトン化合物を高い収率で製造できる製造方法の提供。
【解決手段】特定の酸無水物を、溶媒中、金属水素化物および金属水素化錯化合物から選ばれる還元剤の存在下で還元工程、および前記還元工程で得られた反応液にｐＨ調整剤および水を添加するｐＨ調整工程を含む、下記一般式（２）または（３）で示される化合物を製造する方法において、前記ｐＨ調整工程で得られたｐＨ調整液の水相の２０℃におけるｐＨが０．１〜２．５である、下記一般式（２）または（３）で示される化合物の製造方法。


［式（２）〜（３）中、Ｒ_１〜Ｒ_６は、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはエチル基を表し；Ａ_１およびＡ_２は共に水素原子を表す、またはＡ_１とＡ_２とが一緒になって−ＣＨ_２−もしくは−ＣＨ_２ＣＨ_２−を形成する。］ （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有し、且つ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】高い反応収率でエステル化合物を製造でき、エステル化反応による着色も防できる、エステル化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】酸ハライドとアルコールとを、塩基の存在下で反応させる際に、塩基として、窒素原子に対してβ水素を持たない有機塩基及び無機塩基からなる群から選ばれる１種以上を用いる、エステル化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】トップロスを抑制して矩形性が良好であり、ＬＷＲ抑制能も満足し、かつパターン倒れが抑制されたレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖に３級炭素を有するエステル基が窒素原子に結合する構造を含む構造単位（１）を有する重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。上記構造単位（１）が、（メタ）アクリレートの側鎖に含まれている構造単位であることが好ましい。上記［Ａ］重合体が、ラクトン構造を含む構造単位及び環状カーボネート構造を含む構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位をさらに有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、最終製品である医薬品の品質に悪影響を及ぼすエポキシ体の副生が抑制された医薬中間体として有用な高純度のビシクロ［２．２．１］ヘプタ−５−エン−２，３−ジ−エキソ−カルボン酸無水物を提供することにある。
【解決手段】 無水ハイミック酸を熱異性化し、得られたビシクロ［２．２．１］ヘプタ−５−エン−２，３−ジ−エキソ−カルボン酸無水物を精製する方法において、有機溶媒の存在下、再結晶精製を不活性ガス雰囲気下で行うことにより、エポキシ体の副生が抑制され、医薬中間体の原料として有用なビシクロ［２．２．１］ヘプタ−５−エン−２，３−ジ−エキソ−カルボン酸無水物を高純度で得られる。 （もっと読む）

【課題】レジスト化合物の合成に用いるモノマーであって、ノルボルネン骨格を有する基と、重合に関与する（メタ）アクリロイル基と、これらの基の間に配された連結基とを有する（メタ）アクリル酸エステル化合物を、副生成物の生成を抑えて簡便に製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】特定のノルボルネン誘導体に、末端にハロゲン基を有する特定の低級カルボン酸を、無溶媒下で付加反応させてエステル中間体を得る酸付加工程と、前記エステル中間体と（メタ）アクリル酸とをエステル化反応させるエステル化工程と、を有する（メタ）アクリル酸エステル化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】より優れた特性を示すポリマーレジスト材料を与える、ラクトン構造を有する高純度モノマー化合物製造方法の提供。
【解決手段】高純度の下記一般式（ＩＶ）で表されるモノマー化合物の製造方法。


（Ｒ_１〜Ｒ_６は水素原子、または直鎖状、分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０の炭化水素基であり；Ｒ_７とＲ_８の一方は（メタ）アクリロイルオキシ基、他方は−ＯＲ_１３で表される置換基であり；Ｒ_１３は直鎖状、分岐状または環状の炭素数１〜１０の炭化水素基である） （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ＲＣ（＝Ｏ）Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
（Ｒは水酸基、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基。Ｒ¹は酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を持つ置換基を有してもよい二価有機基で、Ｒと共に環状構造を形成してもよい。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。 （もっと読む）

【課題】
環状不飽和化合物を製造するに際し、非環状不飽和化合物の生成を充分に抑制し、収率及び反応速度に優れる環状不飽和化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】
このような環状不飽和化合物の製造方法は、α,β−不飽和カルボン酸と不飽和有機化合物とを反応させて環状不飽和化合物を製造する方法であって、上記製造方法は、触媒の存在下で反応させる工程を含む環状不飽和化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、フォトレジスト用樹脂組成物の樹脂成分として用いた場合、半導体等の電気特性に悪影響を及ぼさないようなフォトレジスト用高分子化合物の操作性簡易な製造法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有し、しかも金属含有量５０ｐｐｂ以下のモノマーＡと、極性基含有脂環式骨格を有し、しかも金属含有量５０ｐｐｂ以下のモノマーとを少なくとも含むモノマーＢおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供する。更に、前記により製造された高分子化合物と光酸発生剤を少なくとも含むフォトレジスト用樹脂組成物を提供し、そのフォトレジスト用樹脂組成物を用いた半導体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は３，３ａ，６，６ａ−テトラヒドロ−２Ｈ−シクロペンタン［ｂ］フラン−２−オンの合成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 晶析などの簡便な操作で精製可能であり、且つリソグラフィー特性を緻密に設計するために必要であった、リソグラフィー条件下での安定性を向上させることのできる多環式ラクトン（メタ）アクリレートを提供する。
【解決手段】 下記一般式（１−１）および／または（１−２）で表されるエキソ−多環式ラクトン（メタ）アクリレート。
（式（１−１）および（１−２）中，Ｘは酸素原子、硫黄原子、または炭素数１〜８のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基又はエチレン基を；Ｒは水素原子またはメチル基を；Ｒ¹およびＲ²はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を示す。）
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