Fターム[4C050CC01]の内容
Fターム[4C050CC01]に分類される特許
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アジリジンのフッ素化による放射性標識
本発明は、18Fでの放射性標識に適当な又は18Fで既に放射性標識されている新規化合物、そのような化合物の調製方法、及び画像診断用のそのような化合物の使用に関する。 (もっと読む)
フラーレン誘導体及びこれを利用するレジスト組成物
【課題】 溶媒に対する溶解性と現像液に対する耐性とをさらに向上させることができるフラーレン誘導体及びこれを利用するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 下記(1)式で表わされる化学構造を有するフラーレン誘導体とレジスト材とを含有するレジスト組成物とした。なお、Fは、C30+2m(ただし、mは、3から20までのうちのいずれかの整数)で表わされるフラーレン基、Xは、CONH,COO,CO,CH=CH,O,NHのうちのいずれかの基、Yは、ポリ(オキシアルキレン)基、kは、0又は1から5までのうちのいずれかの整数、Rは、置換基を有してもよいアルキル基又はアリール基、nは、2から8までのうちのいずれかの整数である。
【化1】
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