【課題】より安価で、より単純で、より堅牢で、一般的に商業的に実現可能な光源集光モジュール（ＳＯＣＯＭＯ）を提供する。
【解決手段】ＥＵＶを放射するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するためのＳＯＣＯＭＯと、入射端および出射端を有し、ＬＰＰに相対配置される斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーとに関する。ＬＰＰは、光源部およびターゲット部を備えるＬＰＰターゲットシステムを使用して形成される。光源部からのパルスレーザ光線は、ターゲット部によって供給されるＳｎワイヤを照射する。ＧＩＣミラーは、ＬＰＰに相対配置され、入射端でＥＵＶを受光し、受光したＥＵＶを、出射端に隣接する中間焦点に集束する。中間焦点に供給され、さらに／または、下流のイルミネータに導かれるＥＵＶの量を増加させるために、少なくとも一つの漏斗部を有する放射集光強化装置を使用してもよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放射源における高速イオンを削減すること。
【解決手段】放射源は、放電空間の付近の放射源における第１のスポット上に第１のエネルギーパルスを誘導して放電をトリガする主プラズマチャネルを作成する第１の活性化源を含む。放射源は更に、放電空間の付近の放射源における第２のスポット上に第２のエネルギーパルスを誘導して追加プラズマチャネルを作成する第２の活性化源を含む。同じ放電中に第２のエネルギーパルスを誘導することによって、主プラズマ電流のショートカットが実現し、これは生成される高速イオンの量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発する励起準位の輻射冷却時間を実質的に短縮し、ＥＵＶ光の高出力化を達成できるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】１３．５ｎｍ近傍に発光ラインを持つプラズマ媒体６と、１３．５ｎｍ近傍に発光ラインを有しかつプラズマ媒体より輻射冷却時間が短い添加物７とを同軸状電極１１間に供給し、１対の同軸状電極間に管状放電２を形成してプラズマ８を軸方向に封じ込め、プラズマ８内において励起されたプラズマ媒体６のイオンと励起していない添加物７のイオンとの間で共鳴エネルギー移転を生じさせ、プラズマ媒体６と添加物７の両方から１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光を発光させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを所望の励起準位まで加熱して有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発光させることができ、かつジュール加熱による入熱を大幅に低減することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】各同軸状電極１１に極性を反転させた放電電圧を印加して、１対の同軸状電極にそれぞれ面状放電２を発生させ、対向する中間位置に単一のプラズマ３を形成する。次いで面状放電を１対の同軸状電極間の管状放電４に繋ぎ換えて、管状放電によりプラズマ３を軸方向に封じ込め、同軸状電極間にプラズマ光８を発生させる。管状放電において、極短パルスの高繰り返し構造を持ったパルス電圧を用いることにより、プラズマのジュール加熱を抑制し、少ないプラズマのジュール加熱で長時間（１〜１０μｓ）のプラズマ閉じ込めが可能となる。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光源装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ光源１１０と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光源１１０から出力されるレーザ光L1を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバ１００と、前記チャンバ１００に設けられ、前記チャンバ１００内の所定の位置にターゲット物質２００を供給するターゲット供給部１２０と、所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部１２０に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部３０１と、前記リカバリ制御部３０１からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部４００と、前記ターゲット供給部１２０から前記チャンバ１００内に供給されるターゲット物質２００の位置を計測する位置計測部３０２と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】所望の放射の透過率を改善するスペクトル純度フィルタを提供する。
【解決手段】特に投影ビームとしてＥＵＶ放射を用いるリソグラフィ装置で用いるスペクトル純度フィルタは、基板に複数のアパーチャを含む。このアパーチャは、側面を有する壁により画定されている。側面は、基板の前面の法線に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＰ式極端紫外光（ＥＵＶ）光源装置において長期の連続運転を可能にするため、高温に晒されるバルブを使わずに、ターゲット物質を連続して供給することができるターゲット供給システムを提供する。
【解決手段】高圧溶融槽２１と液滴発生器２２，２３とターゲット物質貯槽３０と移送機構３３を備えたターゲット供給システムにおいて、移送機構３３は、高圧溶融槽の溶融ターゲット物質２６が不足するとターゲット物質貯槽から粒状のターゲット物質３５を高圧溶融槽に移送し、高圧溶融槽が、粒状固体のターゲット物質を溶融して液滴状のターゲット１３として供給する。 （もっと読む）

放射源（ＳＯ）は極端紫外線を生成するように構成されている。放射源（ＳＯ）は、燃料が放射ビーム（５）に接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位（２）と、ガスが放射源（ＳＯ）を出ることを可能にするように構成された出口（１６）と、少なくとも部分的に出口（１６）の内部に配置された汚染トラップ（２３）とを含む。汚染トラップは、プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉（２３）するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】真空排気装置を備えることなく、しかもパッケージの気密構造を従来と同程度として、小電力で、一定レベル以上の強度のＸ線を安定して発生させることができる小型軽量のＸ線発生装置を提供する。
【解決手段】内部に高真空又は低圧ガス雰囲気を維持する容器１と、容器内に配置された少なくとも１つの異極像結晶４と、異極像結晶の温度を昇降させる温度昇降手段３、５〜７と、容器内に配置され、電子の放出を外部から制御可能とされた電界放出型電子源９と、容器内における、温度昇降手段によって熱励起された異極像結晶から生じる電界の到達範囲内に配置され、異極像結晶又は電界放出型電子源又はそれらの両方からの電子線の照射を受けるＸ線発生用金属ターゲット８とを備える。 （もっと読む）

印加された軸方向磁場を含めることのできる自己磁場閉じ込め型リチウムプラズマが、二酸化炭素レーザによって亜臨界密度において照射されて、１３．５ｎｍの波長で極紫外光子を高効率、高出力、かつ小型光源で生成する。
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【課題】プリパルスを用いずに放射線を効率よく発生することができ、デブリの発生を抑えることができる放射線源用ターゲットを提供する。
【解決手段】極端紫外光源粒子１０は、高分子電解質の積層膜から成る泡状構造体１１と、泡状構造体１１に担持されたスズ層１２とから成る。極端紫外光源粒子１０の径を大きくすれば単独の極端紫外光源粒子から成るターゲットとすることができ、極端紫外光源粒子１０の径を小さくして多数を液化不活性ガス等に分散させれば、その分散液の液滴をターゲットとすることができる。このようなターゲットは、１パルスのレーザー光により丁度プラズマ化できる程度の量のプラズマ源物質を有し且つパルスレーザー光の径に対応する大きさにすることにより、極端紫外光を効率よく発生することができる。スズの代わりに金や銅等を使用すれば、極端紫外光以外の放射線を発生する放射線源用ターゲットが得られる。 （もっと読む）

電磁放射を発生させるための放射源（５０）は、アノード（１）、カソード（２）、及び放電空間（４）を含む。アノード（１）とカソード（２）は、プラズマ（１６）を形成して電磁放射を発生させるべく放電空間（４）内の物質（Ｐ）中に放電（１６）を生成するように構成される。放射源（５０）は、物質（Ｐ）の少なくとも１つの成分を放電空間（４）に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源（１４）も含む。この燃料供給源（１４）は、アノード（１）及びカソード（２）から離れて配置される。放射源（５０）は、アノード（１）及び／又はカソード（２）上又は近辺に冷却及び／又は保護層を形成及び／又は維持するように構成された更なる供給源（１０）も含む。
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【課題】錫デブリ生成放射源からの汚染に長時間さらされるＥＵＶ装置内の汚染バリアの場合、バリアが捕捉されたデブリによって汚染され、そのデブリがバリアの放射透過特性を妨げることがあるため、クリーニング法を提供することが望まれている。
【解決手段】錫デブリ生成放射源からもたらされるデブリを捕捉するデブリ軽減システムが提供される。本デブリ軽減システムは、複数のフォイルを含むデブリバリアと、フォイルをクリーニングするよう構築され、配置されたクリーニングシステムとを含む。クリーニングシステムは、液体合金をフォイルに供給して、捕捉されたデブリを溶解しフォイルから洗い流す供給ユニットを含む。この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光源に用いられる反射鏡等、スズが付着した部材からスズを除去する方法を提供する。
【解決手段】水素イオン２３及び希ガスイオン２２を含むプラズマを生成し、スズ付着部材２１に負の電位が与えられるように部材と接地の間にプラズマを加速するための電圧を印加する。これにより、希ガスイオン２２がスズ付着部材２１の表面に入射してスズ２４を物理的にスパッタすると共に、水素イオン２３や水素ラジカル２５がスズ付着部材２１の表面においてスズ２４を水素脆化させ、スズ２４をスズ付着部材２１表面から除去する。除去されたスズ２４Ａは、プラズマ中の水素プラズマと反応し、気体である四水素化スズ２６となる。排気装置によりこの四水素化スズ２６を除去することにより、スズがスズ付着部材２１の表面に再付着することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置のプラズマ発生室にターゲット物質を供給するターゲット物質供給装置において、ターゲット物質の温度を安定させる。
【解決手段】このターゲット物質供給装置は、外部から供給されるターゲット物質を冷却して液化するための液化室１０８と、液化室１０８において液化されたターゲット物質を噴出するためのノズル１０２と、液化室１０８内においてターゲット物質の温度を制御するためのロッド１０９、冷却装置１１０、ヒータ１１１、温度センサ１１２、及び、温度制御部１１３と、ノズル１０２内においてターゲット物質の温度を制御するためのロッド１１４、冷却装置１１５、ヒータ１１６、温度センサ１１７、及び、温度制御部１１８とを含む。 （もっと読む）

本発明は、放電スペース内の蒸発した液体材料によって形成されるガス状媒体内で、ＥＵＶ放射線および／または軟Ｘ線を放出する放電プラズマ（８）が発生され、液体材料は、放電スペース内の表面に設けられており、エネルギービーム（９）によって少なくとも一部が蒸発されるようになっている、ＥＵＶおよび／または軟Ｘ線ランプの変換効率を高める方法に関する。本発明は、ＥＵＶ放射線および／または軟Ｘ線を発生するための対応する装置にも関する。この方法では、前記液体材料の化学元素よりも質量数が小さい化学元素から構成されたガス（１１）が、指向された状態で放電スペースへ、および／または放電スペースへの供給路上の液体材料へ、少なくとも１つのノズル（１０）を介して局所的に供給され、放電スペース内の蒸発した液体材料の密度を低下させる。本方法および対応する装置によりランプの変換効率が高められる。 （もっと読む）

【課題】１３．５ｎｍ付近の波長域のＥＵＶ光へのエネルギビーム（４）の効率的な変換を許容し、光学系構成部品および噴射ユニット（１３）の高寿命を保証する、エネルギビーム誘導プラズマ（５）によるＥＵＶ光の生成の新たな可能性を見出す。
【解決手段】粒子（１４）とキャリアガス（１５）の混合物を使用する場合に、ターゲット供給装置（１）が一つのガス液化チャンバー（１２）を有し、その際、ターゲット材料が、液化キャリアガス（１７）中の固形金属粒子（１４）の混合物（１６）として噴射ユニット（１３）に供給されること、および、所定の液滴サイズおよび液滴列（２）を生成するための液滴生成器（１３１）が備えられ、その際、液滴列（２３）を生成するために、前記噴射ユニット（１３）に、エネルギビーム（４）のパルス周波数によりトリガされる、周波数に従属して制御可能な手段（１３２；１３５、１３６、１３７、１３８；３１、３２）が接続される。 （もっと読む）

【課題】固体スズが排気装置の真空ポンプの回転部分や摺動部分に付着することを抑制し、極端紫外光発生装置が具備する排気装置の整備周期、および交換周期を長期化できる極端紫外光発生装置を提供すること。
【解決手段】極端紫外光発生装置の光源チャンバーと排気装置９との間に、光源チャンバーからの排出ガス中のスズおよび／またはスズ化合物をスズ水素化物とする水素ラジカル発生部８ａと、スズ水素化物を熱分解させ分解生成したスズを液体スズにして排出ガスから分離する加熱処理部８ｂとからなる処理ユニット８を設け、処理ユニット８は、液体スズを回収貯蔵容器３０に回収・貯蔵し、スズおよび／またはスズ化合物を含まない排出ガスを排気装置９へ送出する。 （もっと読む）

【課題】 後段の光学系に含まれる光学素子への汚染を低減することが可能な光源装置を提供する。
【解決手段】 プラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を光学系に供給する光源装置であって、前記プラズマを生成する領域を覆うチャンバー内の気体に含まれる炭化水素化合物の濃度が３００ｐｐｂ以下であることを特徴とする光源装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】極紫外線（ＥＵＶ）光源を提供する。
【解決手段】レーザ源、例えばＣＯ₂レーザと、プラズマチャンバと、レーザ源からのレーザビームをプラズマチャンバ内に通すためのビーム送出システムとを含むことができるＥＵＶ光源を開示する。また、プラズマチャンバと補助チャンバの間の流体連通を確立するために設けることができるバイパスライン、レーザビームをプラズマチャンバ内の焦点に集束させるための集束光学器械、例えばミラー、レーザビーム焦点をプラズマチャンバ内で誘導するための誘導光学器械、及び焦点力を調節するための光学的配置のうちの１つ又はそれよりも多くを含むことができる実施形態を開示する。 （もっと読む）