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【課題】 電子線のスポット径を精密に制御可能なX線源を提供することを目的とする。
【解決手段】 このX線源は、カソードからの収束電極を経てX線発生用のターゲット体に至る電子線を偏向する偏向手段とを備えたX線源において、収束電極とターゲット体との間の主管電圧VTとし、カソードと収束電極との間のフォーカス電圧Vk、偏向手段による電子線偏向量を決定する偏向パラメータIc、及び、電子線の電流Ikを制御する。この制御装置はフォーカス電圧Vkと偏向パラメータIcを連動させて制御する。 (もっと読む)


【課題】冷却式放射線放出デバイスを提供する。
【解決手段】冷却式放射線放出デバイスはその内部でX線を発生させる筐体を有している。この筐体内には、陰極と、この陰極と対面すると共にシャフト(7)上で回転するように配置させた陽極と、固定の陽極シャフト支持体(11)と、が存在している。この支持体は、陽極のシャフトをその内部に保持している保持用チェンバ(12)を含んでいる。この管球の冷却では、陽極シャフトを通過するガリウム−インジウム−すず液体合金の流れを利用する。この合金は熱及び電気に対する伝導体である。これによって、ベアリングの潤滑及び陽極の電力供給と同時に陽極の冷却が提供される。 (もっと読む)


【課題】 搬送管を用い作動排気構造、高圧力ジェットを利用した微粒子搬送方法においては、加速放出された微粒子は、指向性を有して放出され放出方向に対する垂直方向では拡散は小さい。しかし、微粒子径による搬送管内の加速長の違い、微粒子を搬送する気体の搬送管内壁との摩擦による径方向分布の速度差等により加速放出される微粒子は、放出方向に主として拡散してしまう。
【解決手段】 本願発明においては、レーザー生成プラズマ光源となるターゲットの密度を効果的に上昇させ、吸収の効率をあげることが出来る。これにより、レーザーアブレーションを利用した気体搬送方式では達成できなかった高密度状態が得られる。同時に高効率なプラズマ光源発生が達成される。 (もっと読む)


照射量変調照射システムは電子ビームを方向付けるためのグリッド電極(110、112)を有する静電グリッドを有するX線管(20)を有する。グリッドバイアスは、電子ビーム(94)の第1時間変化強度変調を生成するグリッド電極(110、112)に時間変化電気バイアスを加えるために備えられている。フィラメントの電流(80)は、電子ビーム(94)の第2時間変化強度変調を生成するように変調される。制御器(52)は、結合された時間変化強度変調を生成するように第1及び第2時間変化強度変調の強調的な結合を制御する。
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【課題】 従来X線管で発生させることにより利用されてきた特性X線をレーザープラズマX線発生装置で発生させることにより、レーザープラズマX線の短パルス高輝度点光源の特徴を併せ持つX線発生装置を実現する。
【解決手段】 遠赤外パルスレーザー光を低原子番号物質からなるターゲットに入射させることにより共鳴吸収現象に起因する高速電子を発生させ、該高速電子を高原子番号物質に衝突させることにより、短パルス高輝度点光源の特性X線を発生させる。 (もっと読む)


【課題】
X線取り出し方向で解像度に偏りのない実効焦点を有し、かつ許容負荷の大きいマイクロフォーカスX線管を得る。
【解決手段】
X線管の陰極の電子集束系14はカソード電極12と4個のグリッド電極、G1電極20、G2電極22、G3電極24、G4電極26で構成され、それぞれのグリッド電極はカソード電極12の電子放射面12aから放射された電子線が通過する開口20a、22a、24a、26aを有する。G4電極26の開口26aのみ楕円形にする。G1電極20〜G3電極24にはカソード電極12の電位に対し正のグリッド電位を、G4電極26には負のグリッド電位を印加することにより、G1電極20〜G3電極24にて電子線を細いビームに集束し、G4電極26にて電子線のビームの断面形状を楕円形にする。この電子線を陽極のターゲットの傾斜面に衝突させることにより、ほぼ円形の実効焦点が得られる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ発生に基づく放射光をより効率的に取り出すことが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】コイル6A,6Bによって、初期プラズマP1が生成される以前から、Z軸方向に沿って磁場Bzを印加する。また、磁場調整部7によって、この印加磁場Bzの強度を調整する。プラズマの収縮速度が緩和されると共に、その緩和の度合いが調整可能となる。よって、プラズマの最大収縮持続時間が長くなる度合いも、任意に調整可能となる。 (もっと読む)


【課題】パラメトリックX線発生装置において、1つの高エネルギー電子ビームから複数のX線を取り出す。
【解決手段】高エネルギー電子線加速器1で、高エネルギー電子ビームを発生する。高エネルギー電子ビームを当ててパラメトリックX線を発生するための複数個のX線発生用の薄板単結晶2、4、6、8を、高エネルギー電子ビームの方向に沿って直線状に並べる。1つのX線発生用単結晶から、1つまたは複数のパラメトリックX線を発生する。それぞれのパラメトリックX線を、X線選択用の反射単結晶3、5、7、9、10で選択的に反射させて取り出す。このようにして、小型でX線エネルギーを変えることができるとともに、単色でコヒーレントなX線を発生できるパラメトリックX線発生装置において、1つの高エネルギー電子ビーム1から複数のX線を取り出せる。 (もっと読む)


【課題】 高輝度化及び小型化できるX線発生器を提供する。
【解決手段】 電子を発生する電子発生手段(カーボンナノチューブ20、引き出し電極24)及び支持部材14に支持されたX線ターゲット12を真空管18内に備え、前記電子発生手段から前記X線ターゲット12へ電子を照射することにより生じるX線を所定位置へ導く管状のX線ガイド手段(X線ガイドチューブ)30を真空管18外に備えるX線発生器において、真空管18に設けた凹部28にX線ガイド手段30を挿入した構成とする。 (もっと読む)


エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、EUVプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むEUV光生成装置を含むことができる方法及び装置。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、EUV光、DUV光、及び/又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。この装置及び方法は、プラズマ源材料がエッチングされることになる光学素子を伴うEUV生成サブシステムの一部を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】 未知の被検体に対しても、管電圧と管電流を容易に設定できるX線検査装置を提供する。
【解決手段】 X線管と、このX線管の管電圧と管電流とを制御するX線制御部と、被検体を透過したX線を検出するX線検出器とを有し、このX線検出器で得られた被検体の透過データから透過画像を作成するX線検査装置において、X線管の管電圧と管電流を設定する管電圧管電流設定部と、管電圧または管電流の設定を変えたときに表示部にリアルタイムで動画表示される透過画像の階調をリアルタイムで略一定に保ち表示させるようにする階調保持手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】 高出力化を可能にするX線源を提供する。
【解決手段】 X線源1は、高圧電源部17と、X線管27と、高圧電源部17から突出して設けられX線管27を包囲する金属筒29と、この高圧電源部17及び金属筒29を格納する筐体3と、を備えている。筐体3には、冷却ファン55aが設けられており、筐体3の内部において金属筒29の周囲で冷却風を流動させることで、高温となるX線管27を収容する金属筒29を効率的に冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】 駆動電源部を効率よく冷却することを可能にするX線源を提供する。
【解決手段】 X線源1は、X線管を有してX線を外部に照射するX線発生部を備えており、筐体3内に収容されて回路基板35,37を支持する回路基板ホルダー49を備えている。そして、回路基板35,37が支持された第1平板部46と第2平板部48との間には、X線発生部に駆動電力を供給する駆動電源部39が収容されており、筐体3には、第1平板部46と第2平板部48との間で冷却風を流動させる冷却ファンが設けられている。 (もっと読む)


短X線パルスを発生するX線装置であって、熱陰極(12)および陽極(16)を有するX線管(10)と、X線パルスを発生するために陽極(16)に印加される高圧パルスを発生する第1の回路(22,20,18)とを備えたX線発生器である。X線発生器は、X線放射(30)の発生には不十分な程度の、X線管(10)を余熱する低電圧を陽極(16)に永続的に印加する第2の回路(26)を含む。第1の回路は、高圧スイッチ(18)を介して陽極(16)に印加され得る高圧コンデンサ(20)を充電させる高圧電源装置(22)を有する。第2の回路はマルクス発生器で、永続的に低電圧を発生するとともに、高電圧を発生するマルクス発生器を駆動する電源が1つだけ存在する。このX線発生装置は、X線(30)によって物体の像を生成する撮像装置(44,46)を有する物体検査装置の一部を構成する。
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【課題】 大型の設備が必要なく、小型、低コストの設備で軽元素の特性X線を効率良く発生させることが可能な新規な軽元素特性X線発生方法を提供する。
【解決手段】
2から100keVの低エネルギーを有する正イオンを、軽元素を含む絶縁体材料ターゲットへ照射することにより、絶縁体材料ターゲットに含まれる軽元素の特性X線を発生させることを特徴とする軽元素特性X線発生方法。 (もっと読む)


光を発生する装置は、プラズマ放電領域(112)を有し、イオン性媒体を含む室(104)を備える。この装置は、さらに、プラズマ放電領域(112)の一部を囲む磁気コア(108)も備える。この装置は、さらに、エネルギーの少なくとも1つのパルスを磁気コア(108)に供給し、プラズマ放電領域(112)内に形成されるプラズマに電力を送るためのパルス電力システム(136)も備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーン(144)を有する。
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【課題】シャッター関連の複数の確認ランプを一箇所にまとめて配置することで,シャッターの開閉指令の内容と実際のシャッター開閉状態とを容易に確認できるようにする。
【解決手段】X線管22のX線取り出し窓はシャッター24で開閉される。シャッター開閉スイッチ18による開閉指令は開閉駆動機構34に送られ,その開閉指令の内容は第1のシャッター指令ランプ20と第2のシャッター指令ランプ30で表示される。シャッター24の開閉状態は開閉検出装置36で検出され,その検出内容は第1のシャッター検出ランプ26と第2のシャッター検出ランプ32で表示される。第2のシャッター指令ランプ30と第2のシャッター検出ランプ32は作業テーブル12上のシャッター表示ユニット28にまとめて配置されていて,オペレータは両者を容易にかつ同時に確認できる。 (もっと読む)


【課題】 X線の線量を維持しつつ、電子ビームがターゲットに衝突する焦点を容易に変更することができるX線発生装置を提供する。
【解決手段】 陰極1とターゲット3とを結ぶ軸Aに沿って2段に第1偏向コイル11と第2偏向コイル13とが設けられている。衝突位置変更制御部21は、これら偏向コイル11、13を連動操作することで、電子ビームeの中心軌道Eが絞り孔8を通過しつつ、絞り孔8へ入射する電子ビームeの中心軌道Eの方向を変える。これにより、絞り孔8を通過しターゲット3に到達する電子の量が減少することがないので、発生するX線の線量も低下することがない。さらに、絞り孔8へ入射する電子ビームeの中心軌道Eの方向を変えるようにすることで、焦点Fの位置を容易にかつ自在に変えることができる。したがって、焦点が損傷しても、容易に焦点Fの位置を変更することができる。 (もっと読む)


【課題】 金属外囲器12と陰極1との絶縁距離を確保とX線管の小型化を達成する。
【解決手段】 所定の電源が供給されたフィラメントからの熱電子ビームを放射する陰極1と、この陰極部によって放射された熱電子ビームを衝突させるターゲットを有する陽極2と、この陽極2と陰極1に所定の電界を印加し、前記印加された電界によって陰極1により放出された熱電子を加速して陽極2のターゲット7に衝突させることでターゲット7よりX線を発生させるX線発生用高圧電源19と、このX線発生用高圧電源19、陽極2及び陰極1を真空気密して収容する外囲器3及び金属外囲器12と、を備え、X線発生用高圧電源19は、陽極2に印加される直流の正電位の充電部分の位置と金属外囲器12との間の絶縁距離と陰極1に印加される直流の負電位の充電部分の位置と金属外囲器12との間の絶縁距離に応じて陽極2又は陰極1のそれぞれに印加される電圧を設定する。 (もっと読む)


【課題】 X線を正確に制御することができるX線発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 X線発生装置は、テーブルを備えている。このテーブルは、点灯条件に関連した物理量である点灯時間、および電子ビーム量(エミッション電流)の相関関係を予め記憶している。このエミッション電流のうち最適エミッション電流は、電子ビーム特性を最適にする値であって、例えば仮想光源径が最小となる条件である。点灯時間が長くなるのにしたがって最適エミッション電流Iは低くなる。上述した相関関係をテーブルから読み出すことで現時点での点灯時間に応じた電子ビーム量を設定する。その結果、点灯条件の状況に関わらず電子ビーム量を常に正確に最適に設定することができ、X線を正確に制御することができる。 (もっと読む)


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