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Fターム[4D075DA08]の内容

Fターム[4D075DA08]に分類される特許

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【課題】防汚性、防汚耐久性、耐擦傷性、耐摩耗性および帯電防止性などを向上させるハードコート層を形成することができるハードコート用組成物を提供すること。
【解決手段】(A)活性エネルギー線硬化性シリコーンアクリル共重合体;(B)活性エネルギー線硬化性多官能化合物;および(C)導電性材料;を含むハードコート用組成物であって、この(A)活性エネルギー線硬化性シリコーンアクリル共重合体が、(a−1)ポリシロキサンブロック、(a−2)活性エネルギー線硬化性二重結合基含有アクリルブロック、(a−3)フルオロアルキル基含有アクリルブロック、を有する、ハードコート用組成物。 (もっと読む)


【課題】基板上に円形状の塗布膜を形成する際に、均一な膜厚でかつスジムラ等のない塗布膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板を水平に保持する回転可能なテーブルと、このテーブルに対して昇降可能で、かつ、先端部に吐出孔を備えた水平移動可能なノズルとで構成される塗布装置を用いて、テーブルを回転させるとともに、ノズルをこの回転するテーブルに対して所定高さに保持した状態でテーブルの回転中心と外方所定位置との間を一方向に移動させながら吐出孔から液状塗布液を基板上に供給する円形状の塗布膜の形成方法であって、液状塗布液の粘度をη、塗布後の塗布液の膜厚をh、塗布後の塗布液の表面のうねりの波長をλとしたとき、式(1)で表される半減期t1/2が8以下になる条件で塗布膜を形成させる。
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【課題】中心開口部を有する被処理基板の両面に、中心開口部に塗液が侵入するのを防止しつつ、簡易な工程で均一に塗液を塗布することができる塗布装置を提供する。
【解決手段】本発明の塗布装置1は、中心開口部2aを有する被処理基板2の両主面に塗液を塗布する塗布装置であって、被処理基板2を、その中心開口部2aを閉塞して保持するチャッキング部11を有する回転駆動機構3と、被処理基板2の一方の主面に塗液を噴出する第1の塗液用ノズル18と、これを被処理基板2の一方の主面に沿って走査するように移動操作する第1の旋回駆動機構17と、被処理基板2の他方の主面に塗液を噴出する第2の塗液用ノズル28と、これを被処理基板3の他方の主面に沿って走査するように移動操作する第2の旋回駆動機構31と、第1の塗液噴出口23における塗液の噴出量と、第2の塗液噴出口29における塗液の噴出量を独立に制御する機能を有する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板が基板保持機構によって適切に保持されているかを誤検知することなく正確に判断することができ、製造コストを低く抑えることができ、さらに、処理中に被処理基板が破損したとしても直ちにその破損を検知することができる。
【解決手段】処理装置1は、ウエハWを保持する基板保持機構20と、ウエハWに処理液を供給する処理液供給機構30と、ウエハWを周縁外方から覆うとともに、基板保持機構20と一体となって回転可能な回転カップ61と、を備えている。基板保持機構20は、一端22aでウエハWを保持しているときには他端22bが上方位置に位置し、他方、一端22aでウエハWを保持していないときには他端22bが下方位置に位置する保持部材22を有している。当該保持部材22の他端22bの下方に、保持部材22の他端22bが下方位置に位置しているときに当該保持部材22の他端22bに接触可能な接触式センサー10が配置されている。 (もっと読む)


【課題】液足らずを防ぎつつ、ウエーハ1枚当たりの液体の吐出量(即ち、塗布量)を減らすことができるようにした液体塗布方法を提供する。
【解決手段】ウエーハを回転させると共に、ウエーハの上方に配置された吐出ノズルから回転しているウエーハの表面の中心部上に液体を吐出して当該液体を遠心力で拡散させることによって、ウエーハの表面上に液体を塗布する方法であって、ウエーハの直径は6インチであり、ウエーハ1枚当たりの液体の吐出量をa[ml]、ノズルからの液体の吐出速度をb[ml/sec]、ウエーハの回転数をc[rpm]、液体の粘度をd[mPa・s]としたとき、a〜dを、0.55≦a、 1.1≦b≦2.0、 4000≦c≦8000、 7≦d≦40、 にそれぞれ設定する。 (もっと読む)


【課題】スピンコート工程においてセンターキャップを取り外す際に、センターキャップの変形や、樹脂層に気泡が生ずることを防止する。
【解決手段】ディスク基板上に樹脂を展延させた後にセンターキャップを取り外す際には、まず、センターキャップが、ディスク基板とが非接触の状態となるように、センターキャップとディスク基板を離間させる。そしてセンターキャップがディスク基板から離された後、センターキャップを取り外す。この場合例え傾いた状態でセンターキャップが持ち上げられるような状態となったとしても、すでにセンターキャップはディスク基板と非接触状態にあるため、センターキャップとディスク基板の間に余計な力が加わることはなく、変形等は生じない。 (もっと読む)


【課題】本発明の主な課題は、基板表面上に低粘度の塗布液を供給する際に、空気溜りを残存させることなく、平面形状が点対称な濡れ領域を形成でき、その結果、その後の高速回転により、基板表面全体に均一な厚さの塗膜が得られる回転塗布方法を提供することである。
【解決手段】本発明の回転塗布方法は、基板表面上に供給した塗布液12を、基板Wを回転させることによって、基板表面に分散させて塗布する回転塗布方法であって、基板中央位置に塗布液12を供給して、第1の濡れ領域101aを形成する工程と、基板Wを第2の回転数N2で低速回転させながら、塗布液12を第1の濡れ領域101aの外周縁の外側位置に供給して、第1の濡れ領域101aと接して取り囲む第2の濡れ領域101bを形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】塗布膜等の処理膜の除去状態を改善する調整作業を、均質かつ迅速に行う。
【解決手段】ウェハWの外縁部に形成された処理膜に除去液を吐出する除去液吐出ノズル56と、除去液吐出ノズル56を固定する固定ブロック100を有している。固定ブロック100には、除去液吐出ノズル56をはめ込んで、除去液吐出ノズル56を所定の俯角方向に向けて固定させるための溝が設けられており、この溝は、一定の角度毎に複数設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のSOD膜形成工程において、下層にダメージを生じることなくリワークを可能とする半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェハを保持し、これを回転させながら、ウェハ上に絶縁膜を形成するための薬液を供給して、塗布膜を形成し、塗布膜が形成されたウェハについて、移動および加熱処理を行うことなく非接触で表面検査を行い、表面検査により不良と判断されたウェハ上に、溶媒を供給しながら回転させることにより、塗布膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】基板上に塗布液を塗布する工程を含む塗布液の塗布方法について、塗布液の消費量を減らし且つ塗布液の膜厚分布を均一にすること。
【解決手段】基板上に溶剤を供給する工程と、前記基板を第1の回転速度で回転させつつ、前記基板上に塗布液の供給を開始する工程と、前記基板の回転を30000rpm/秒より大きい減速度で停止する工程と、前記基板の停止後に、前記基板を第2の回転速度で回転させる工程とを有し、これにより塗布液の滴下量を減らして塗布液の膜厚の平坦性が向上する。 (もっと読む)


【課題】加熱プレート上に設けられた複数の突起によって、表面に塗布膜が塗布された基板を保持して、この基板を加熱プレート側に吸引すると共に加熱するにあたり、基板を吸引するための流路に基板の塗布膜から生成した昇華物などが析出することを抑えること。
【解決手段】基板の表面側と裏面側とにおけるガス流を区画するためのリング状部材を設けて、更にこのリング状部材にガス供給口を設けて、清浄なガスを基板と加熱プレートとの間に供給するようにして、基板を吸引するための流路からこの清浄なガスが吸引されるようにする。 (もっと読む)


【課題】回転する板体に流体を供給して処理を行なおうとした場合、処理ムラが起き難いものとする技術を提供することである。
【解決手段】回転する板体にノズルから流体を供給して処理する処理方法において、
前記板体の回転中心から半径方向に距離rの位置に在る前記ノズルからの流体供給量Qと、該位置に在るノズルの半径方向における移動速度Vと、前記板体の角速度Nとで定義される物理量{Q/(r・V・N)}が一定であるよう、流体供給量Qの変動量を検出し、該変動量を考慮してノズルの半径方向における移動速度Vを制御することを特徴とする処理方法。 (もっと読む)


【課題】外周部にエッジビートを形成することなく、略円形の基板表面に均一な厚みのレジスト膜を形成するレジストの塗布方法とそれに用いる塗布装置を提供する。
【解決手段】水平に吸着保持した基板1を回転させて、前記基板1の略中央から外周部へその直径に沿ってノズル13を移動させるとともに、このノズル13からレジストを吐出させて前記基板1の表面に渦巻状の軌跡でレジストを塗布する塗布方法であって、前記渦巻状の軌跡に沿って予め基板1表面の凹凸を測定した後、この測定結果を基に前記基板1とノズル13の間隔を一定に保ちながらレジストを塗布する。 (もっと読む)


【課題】装置構成および工程を複雑化させることなく、液浸露光時の塗布膜の基板からの剥がれを防止することが可能な塗布膜処理方法を提供すること。
【解決手段】液体を介して露光処理を施す液浸露光処理を施すために基板の表面に形成された塗布膜を処理する塗布膜処理方法は、塗布膜のエッジ部に溶剤含有液として、溶剤および前記溶剤の溶解度を抑制する溶解抑制液を供給してエッジ部をカットする工程(ステップ3)と、エッジ部をカットする工程に連続して、塗布膜のエッジ部に洗浄液を供給し、エッジ部を洗浄する工程(ステップ5)とを含む。 (もっと読む)


【課題】透過率や見栄えを低下させることなく、指紋等の汚れの付着を防止することができる透明保護材の製造方法及び該透明保護材で保護された表示部を備える携帯端末の提供。
【解決手段】合成樹脂などの部材からなるフィルム状、シート状又は板状の透明基材8上に、スピンコート法により、フッ素樹脂液をサブミクロンオーダーの薄膜状にコーティングした後、好ましくは常温で溶媒を揮発させることによってフッ素樹脂膜9を形成し、透過率や見栄えを低下させることなく、指紋等の汚れの付着しにくい透明保護材7を形成する。そして、ユーザが触ることの多い携帯電話機1やゲーム機、各種操作端末などの表示部2に対してこの透明保護材7を使用することにより、装置の視認性や操作性を向上させる。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に対して、レジスト等の薬液を所望の膜質で全面に確実に塗布する。
【解決手段】塗布膜形成装置は、シリコン基板1を載置するためのスピンチャック2が回転可能に設けられ、第1の滴下ノズル9によりレジストを滴下してシリコン基板1を回転させて第1の塗布膜を形成する。シリコン基板1のノッチ部分などで発生する塗布不良領域に対して第2の滴下ノズル10からレジストを滴下して第2の塗布膜を形成し、全面に確実にレジストの塗布膜を形成する。その後、吸引ノズル11により第2の塗布膜の表面を吸引して乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】専用の設備を用いずに省液をより向上させながら、膜厚の均一性を向上させることができると共に、設備及び原材料のコスト低減を図ること。
【解決手段】ウエハ20を回転させながら当該ウエハ20の上にレジストを滴下して拡げる塗布方法において、レジストが滴下されていないウエハ20を静止状態に保持する静止工程と、静止状態のウエハ20を、当該ウエハ20上にレジストが滴下されると同時に、予め定められた第1の回転速度になるまで予め定められた大きい加速度で加速しながら回転させる加速塗布工程とを含む。加速塗布工程の処理後に、ウエハ20を第1の回転速度で回転させる定速回転工程を更に含む。 (もっと読む)


【課題】専用の設備を用いずに省液をより向上させながら、膜厚の均一性を向上させることができると共に、設備及び原材料のコスト低減を図ること。
【解決手段】ウエハを回転させながら当該ウエハの上にレジストを滴下して拡げる塗布方法において、レジストが滴下されていないウエハを静止状態に保持する静止工程と、静止状態のウエハを、当該ウエハ上にレジストが滴下されると同時に、予め定められた第1の回転速度になるまで予め定められた大きい加速度で加速しながら回転させる加速塗布工程とを含む。加速塗布工程の処理後に、ウエハを第1の回転速度で回転させる定速回転工程を更に含む。 (もっと読む)


【課題】耐熱性樹脂および沸点が200℃以下の溶剤を含有する耐熱性樹脂組成物から均一な膜厚の塗膜を形成できる塗布方法を提供すること。
【解決手段】耐熱性樹脂および沸点が200℃以下の溶剤を含有する耐熱性樹脂組成物の塗布方法であって、1000〜3000rpmで回転している基板に、基板の中心から距離10〜30mmの位置に該耐熱性樹脂組成物を滴下し回転塗布することを特徴とする耐熱性樹脂組成物の塗布方法。耐熱性樹脂および沸点が200℃以下の溶剤を含有する耐熱性樹脂組成物の塗布方法であって、1000〜3000rpmで回転している基板に、基板の端部から距離10〜30mmの位置に該耐熱性樹脂組成物を滴下し回転塗布することを特徴とする耐熱性樹脂組成物の塗布方法。 (もっと読む)


【課題】基板へのダメージを抑制しつつ、処理液による処理時間を短縮することができる二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル3は、外筒23、内筒24および中間筒25を含む。内筒24の内部空間は、DIWが流通する直線状の第1処理液流路26となっている。内筒24と中間筒25との間には、窒素ガスが流通する円筒状の気体流路27が形成されおり、中間筒25と外筒23との間には、DIWが流通する円筒状の第2処理液流路28が形成されている。第1処理液流路26の下端は、DIWを吐出する円状の第1処理液吐出口30となっており、気体流路27の下端は、第1処理液吐出口30を取り囲み窒素ガスを吐出する円環状の気体吐出口31となっている。また、第2処理液流路28の下端は、気体吐出口31を取り囲みDIWを吐出する円環状の第2処理液吐出口34となっている。 (もっと読む)


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