【課題】より大きい負荷に耐えられる冷却システムを有するリソグラフィ装置のための改良型アクチュエータを提供する。
【解決手段】電磁アクチュエータ用の冷却体の第１の部材ＦＭを第２の部材ＳＭへ放射ビーム溶接する方法であって、第１の部材ＦＭはその１つの側に、凹部ＲＥが設けられた表面部分を有し、凹部ＲＥは周縁部によって区切られ、第２の部材ＳＭは、凹部ＲＥ閉鎖するために第１の部材ＦＭの表面部分ＣＳＰを補完する実質的に連続する第１の表面部分を有し、第２の部材ＳＭは第１の表面部分ＣＳＰの反対側に第２の表面部分ＳＳＰを有し、前記方法は、第１の表面部分が第１の部材の表面部分に係合するように、第１及び第２の部材を配置するステップと、放射ビームを提供するステップと、第１及び第２の部材が凹部ＲＥの周縁部で一緒に溶接されるように、第２の表面部分へ向けて放射ビームを誘導するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、小型化を図ることのできるシャッター装置を提供すること。
【解決手段】シャッター装置１は、振動子と該振動子の質量を変化させる質量変化手段との間に設けられ、質量変化手段による振動子の質量変化を許容する開状態と阻止する閉状態とを切り替えることができる。このようなシャッター装置１は、駆動軸４１と、予圧を持って駆動軸４１に設けられた移動体４２と、駆動軸４１をその軸方向に振動させる圧電素子４３とを有するアクチュエーター４と、移動体４２を駆動軸４１の一方側へ付勢する付勢手段５と、移動体４２に支持され、移動体４２の移動方向に延在する長尺状のシャッター部２とを有している。 （もっと読む）

【課題】レーザスキャナを操作する方法であって、より短時間で且つ／又は高精度でレーザスキャナに対する開口等の特定の検出断面の位置を決定する。
【解決手段】レーザスキャナを用いて走査経路に沿ってレーザビーム１７を走査し、検出断面に入射するレーザビーム１７のレーザ光により生じる光強度を検出するステップと、検出された光強度に基づきレーザスキャナに対する検出断面の位置を決定するステップとを含み、走査経路は、検出断面を含む平面内に第１部分経路２２３及び第２部分経路２２５を含み、第１部分経路２２３及び第２部分経路２２５は、検出断面を含む平面内の検出断面の直径とレーザビーム１７の直径とを足したものよりも短い距離であり、また検出断面を含む平面内のレーザビーム１７の直径の０．３倍よりも大きいか又は検出断面の直径の０．３倍よりも大きい距離だけ相互に離れて、相互に隣接して延在する方法。 （もっと読む）

【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程（工程１）と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程（工程２）と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程（工程３）と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程（工程４）と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程（工程５）と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの凸部を短時間に低コストで製造する。
【解決手段】接着剤１中にナノ粒子２を分散させて加工面３に塗布し、ナノ粒子２が加工面３に固定された状態で加工面３にガスクラスターイオンビーム４を照射し、ナノ粒子２によるマスク部分を除く加工面３を加工する。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面に欠陥の少ない単結晶半導体膜を有する半導体基板の、簡便な作製方法を提供することを課題の一つとする。また、歩留まりの良い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしながら、絶縁層を介して単結晶半導体基板にイオン照射を行うことで、脆化領域を形成し、単結晶半導体基板の表面に接合層を形成し、単結晶半導体基板と、支持基板とを、接合層を介して貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域内に劈開面を形成して、単結晶半導体基板の一部を分離する、半導体基板の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い高分子材料からなる微細構造体を得る。
【解決手段】まず、ＰＬＬＡの薄膜層を形成する（薄膜形成工程）。その後、このＰＬＬＡ薄膜層に対してＦＩＢ加工を行う（加工工程）。薄膜形成工程においては、まず、ＰＬＬＡを溶剤中に溶解して希釈した塗布液を製造する（塗布液準備：Ｓ１）。次に、この塗布液を基板上に回転塗布する（回転塗布：Ｓ２）。
次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。ここでは、ＰＬＬＡ薄膜層１２の厚さを１μｍ以下となるように設定し、イオンビームの電流を１ｎＡ以下となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、イオンビームを試料に照射して試料を加工する加工装置において、前記イオンビームに対し、試料を回転傾斜させる試料傾斜回転機構を備え、当該試料回転機構は、試料をイオンビームに対し回転させる回転軸と、当該回転軸に対して直行し、前記試料をイオンビームに対して傾斜させる傾斜軸を備え、前記試料の回転と傾斜を同時に行うことを特徴とする加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】除去レートを正確に把握し、高い形状精度を要求される光学素子や光学素子成形用金型の加工に対応できる加工方法を提供する。
【解決手段】ツールであるイオンビーム１を、ダミーワーク２上で走査させ、このときの滞留時間を走査位置に対する一次関数で変化させ、実際に形成された単位除去形状３から、連続的に変化する滞留時間に対する除去レートを把握する。ツールの滞留時間を走査位置に対して一次関数で変化させているため、走査速度が速い場合から遅い場合まで連続して、実際の除去形状に基づく除去レートを取得することができる。 （もっと読む）

【課題】加工対象となる光学素子の光学有効領域の大きさのために加工装置全体が大型化するのを防ぐ。
【解決手段】光学素子１の光学有効領域２を、分割線５によって複数の分割領域１１〜１４に分割し、各分割領域を、順次、イオンビーム４の加工可能領域３に位置合わせする。イオンビーム４を各分割領域においてラスター走査する工程をすべての分割領域１１〜１４において繰り返すことで、光学有効領域２の全面を加工する。イオンビーム４の走査範囲を縮小することで、加工装置全体を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも電極間隔が短く、高精度の計測が可能なプローブを作製する。
【解決手段】カンチレバー４０２の主面にＰｔ薄膜４０３を形成し、ＦＩＢ４０５を主面側から照射して、溝６０１Ａ、６０１Ｂを形成しＰｔ薄膜４０３を分割する。次いで、カンチレバー４０２の裏面からＦＩＢ４０５を照射して間隙８０１を形成する。この間隙８０１の先端部側をＦＩＢ４０５を照射して薄層化した後、再び裏面からＦＩＢ４０５を照射して、薄層化された領域９０１に間隙１１０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工対象試料上に散在する加工箇所の加工順序を適正化するＦＩＢ加工装置の提供。
【解決手段】複数の行程を必要とするＦＩＢ加工において、加工順序を適切なものに並び替えて実行することにより、ステージ移動距離の短縮、ステージ回転回数の削減及び加工の種類選択のための機構切換え回数削減を実現し、トータル加工時間の短縮と加工精度の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】高い形状精度を要求される光学素子の加工において、形状修正加工と平滑化加工のための加工時間を短縮する。
【解決手段】複数の荷電粒子ビームを被加工物表面１００に対して同一の相対運動で同時に照射し、被加工物表面１００の加工を行う。同一の相対運動をする複数の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームは、ラスター走査軌跡１０３に沿った走査速度を可変制御することで形状修正加工を行う形状修正加工用イオンビーム１０１である。第２の荷電粒子ビームは、前記走査速度の変化に応じてパルス幅や電流量を可変制御することで平滑化加工を行う平滑化加工用イオンビーム１０２である。被加工物表面１００における単位到達粒子数分布が異なる複数の加工を同時に行うことで加工時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームのビーム断面積の大小に関係なく、被加工物の多様な表面形状に対する加工のための基礎データを高効率および高精度に得て、高効率かつ高精度の加工を行う。
【解決手段】被照射物９にガスクラスターイオンビーム８を照射して加工するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍ１において、サンプルの被照射物９の一箇所における照射痕のプロファイルである基礎照射作用データ１９ｂを取得し、この基礎照射作用データ１９ｂから、被照射物９のビーム軸の任意の移動量Δｒの位置における加工深さｚ_ｉを離散的に算出して照射作用データ１９ｃを生成し、この照射作用データ１９ｃを被照射物９の材質や曲率等の条件で補正した補正照射作用データ１９ｄを用いてガスクラスターイオンビーム８のドーズ量を制御しつつ被照射物９の加工を行う。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と耐欠損性に優れた単結晶ダイヤモンドチップを備えたダイヤモンド切削工具を提供する。
【解決手段】十二面体単結晶ダイヤモンド５の（１１３）面を研磨加工、または、レーザー加工によりカットし、単結晶ダイヤモンドチップ４の逃げ面４Ｂとして使用する。十二面体単結晶ダイヤモンド５の（１１３）面は、最も硬く対摩耗性の大きな（１１１）面と同等の硬さと対摩耗性を有する面である。この逃げ面４Ｂに対して、逃げ角α１が１０°になる面をすくい面４Ａとして設定すれば、このすくい面４Ａは、十二面体単結晶ダイヤモンド５の（１１１）面に一致する。 （もっと読む）

【課題】ダイアモンド若しくは他の宝石用原石の表面へのマーキング方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】
ダイアモンド若しくは宝石用原石の表面へのマークの形成方法及び装置を開示する。そのマークはダイアモンド若しくは宝石用原石のクラリティグレードに悪影響を及ぼさない複数の溝（１０）からなり、特定の照明及び拡大条件下にて、高い回折効果を示す。かかるマークの観察装置及び方法をも開示する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気ヘッド等の製造プロセスのチェックを行うための試料作成に関し、より詳細には集束イオンビームを照射して試料の表面の所望する位置に断面を露出する凹部加工を行う試料加工方法と試料加工プログラムに関する。
【解決手段】 本発明の試料加工方法は、試料の表面に形成された基準マーカーを検出して基準マーカーから基準位置を求める基準位置算出工程と、基準位置と断面形成所望位置との距離から所定値を差し引いた第１のオフセット値と基準位置と第１の加工パターンとに基づいてＦＩＢを前記試料に照射して加工する第１加工工程と、基準位置と第１加工工程によって加工された試料の所望位置に近い断面をなす端部との間の距離を計測する計測工程と、計測された距離から所望位置までの未加工距離を求めその未加工距離に第１のオフセット値を加えた第２のオフセットと基準位置と第２の加工パターンとに基づいてＦＩＢを前記試料に照射して加工する第２加工工程と、を有するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム加工において、被加工物における目的の品質を確実に得る。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム９を被加工物１１に照射して加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、相対走査速度と照射ドーズ量との関係ｆ１、被加工物１１の回転軸からの距離と照射ドーズ量との関係ｆ２、表面粗さや形状精度等の品質に影響するパラメータと照射ドーズ量との関係ｆ３，ｆ４，ｆ５，ｆ６を予め測定して記憶しておき、被加工物１１に要求される品質と、関係ｆ１から関係ｆ６とに基づいて被加工物１１に対するガスクラスターイオンビーム９の相対走査速度を決定し、この相対走査速度によるガスクラスターイオンビーム９の照射によって被加工物１１の加工を行うことで、被加工物１１に目的の品質を実現する。 （もっと読む）