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Fターム[4E066BE00]の内容

電子ビームによる溶接、切断 (971) | 真空 (57)

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Fターム[4E066BE00]に分類される特許

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【課題】
ハイブリッド直接製造のための方法を提供する。
【解決手段】
前記方法は、基材プラットフォーム上又は基板上に、材料の基盤を堆積させることを含む。基盤はそこに溶接される材料のブロック(モノリス)のための土台の役割を果たす。基盤が形成されると、材料のモノリス又はブロックが基盤に対して設置される。基盤は、基盤の境界と基盤上に溶接されるモノリスの境界とが一致するように形成される。次に、電子ビーム等の高エネルギービームを使用して、基盤にモノリスが溶接される。また、前記方法は、モノリス上又はモノリスの近傍に材料の層を堆積させることを含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】加工工数の減少化及びマテリアルロス低減を図ることが可能な等速自在継手用外側継手部材の製造方法および等速自在継手用外側継手部材を提供する。
【解決手段】カップ状のマウス部54と、このマウス部の底壁から突設される軸部材55とからなる等速自在継手用外側継手部材の製造方法である。底壁54aに嵌合孔70を有するマウス部54と、嵌合孔54に嵌入される嵌入部71を有する軸部材55Aとを別部材として成形する。その後、軸部材55Aの嵌入部71を、マウス部54の嵌合孔70に嵌入する。その嵌入した状態で、嵌合孔79の内周面と嵌入部71の外周面とを溶接手段にて一体化する。 (もっと読む)


【課題】ビームろう付け部品及びビームろう付け部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】部品の製造方法及びその部品が開示される。本方法は、予備焼結プリフォームをビームろう付けしてビームろう付け部分を形成するステップを含む。部品は、予備焼結プリフォームにより形成されるビームろう付け部分を含む。 (もっと読む)


【課題】アイドルターゲットの局所的な高温化を有利に防止することができ、ひいてはアイドルターゲットの変形や、金属蒸気の発生も回避することができる電子ビームの照射方法を提供する。
【解決手段】金属ストリップに対し電子ビームを照射する方法において、電子ビームの出力が安定するまでの間、または電子ビームが金属ストリップの外側に照射される間に、別途用意したアイドルターゲットに電子ビームを照射するに際し、
上記アイドルターゲットのビーム照射面を傾斜させ、該アイドルターゲットのビーム照射面に対する電子ビームの照射角度を変更することによって、該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を調整する。 (もっと読む)


【課題】実機トランスに組上げた場合に、優れた騒音特性および鉄損特性を得ることが可能な方向性電磁鋼板を提供する。
【解決手段】二次再結晶粒の平均β角が2°以下、二次再結晶粒の粒内の平均β角変動幅が1°以上4°以下で、かつ圧延方向における表面張力が10MPa以上であり、磁束密度:1.7T、周波数:50Hzにおける磁歪λp-pの値が1.0×10-6以下で、さらに板厚tと鉄損W17/50とが、以下の式(1)を満足させる。
17/50 ≦2.1×t + 0.3 ・・・(1)
t : 板厚(mm) (もっと読む)


【課題】溶接部ポロシティを低減又は排除するためのワークピース及び溶接プロセスを提供すること。
【解決手段】電子ビーム(700)又はレーザ(800)溶接のための物品(100)は、溶接表面(114)を有する第1のワークピース(102)を備え、該溶接表面(114)が、形成される溶接部(112)内でポロシティを低減するよう構成される。 (もっと読む)


【課題】その大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第1基板を保持する第1試料台13の向きを変更可能に、第1ステージ11に第1試料台13を支持する角度調整機構12と、第1ステージ11を第1方向に駆動する第1駆動装置14と、第2基板を保持する第2試料台46を第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向にその第2試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。角度調整機構21は、複数のシムから形成されている。このとき、常温接合装置1は、第2駆動装置の耐荷重を越えた大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置1は、さらに、第1基板と第2基板とが平行に接触するように、角度調整機構12を用いて第1基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。 (もっと読む)


【解決手段】 イオン注入によって活性化された2つの基板を接合するウェハ接合方法を開示する。インサイチュイオン接合チャンバによって、イオン活性化および接合を、製造処理ラインで利用されている既存の処理ツールで、実行することができるようになっている。基板のうち少なくとも一方の基板のイオン活性化を低い注入エネルギーで行って、薄い表面層よりも下方のウェハ材料がイオン活性化によって影響をうけないようにする。 (もっと読む)


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