【課題】 金属箔同士をより確実にかつ容易に溶接することができるビーム溶接方法、真空包装方法、及びその真空包装方法により製造した真空断熱材及びそれを用いた加熱調理器を得る。
【解決手段】 第１の金属箔と、第１の金属箔上に重ねた第２の金属箔とを、支持台の互いに隣り合う主載せ面及び従載せ面のそれぞれに載せる金属箔積層工程と、従載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分を解放した状態で、主載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分同士を溶接想定線に沿って密着させる密着工程と、密着工程後、所定の真空環境下で、電子ビームの集中照射によって第１及び第２の金属箔を加熱することにより、主載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分同士を溶接想定線に沿って溶接しながら、従載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分を切り離す溶接溶断工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】アイドルターゲットの局所的な高温化を有利に防止することができ、ひいてはアイドルターゲットの変形や、金属蒸気の発生も回避することができる電子ビームの照射方法を提供する。
【解決手段】金属ストリップに対し電子ビームを照射する方法において、電子ビームの出力が安定するまでの間、または電子ビームが金属ストリップの外側に照射される間に、別途用意したアイドルターゲットに電子ビームを照射するに際し、
上記アイドルターゲットのビーム照射面を傾斜させ、該アイドルターゲットのビーム照射面に対する電子ビームの照射角度を変更することによって、該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と電気的に接続された複数のリード端子を、複数のターミナルに高速且つ良好に溶接することができるとともに、半導体素子の破壊を防止することができる回路部品の製造方法を提供する。
【解決手段】「配置工程」では、リード端子５２とターミナル４２のＩＣ接続部４２ａとを当接させ、その当接した部分である当接部６２と半導体素子が搭載（埋設）されたベース部５１との間のリード端子５２にアース用治具６１を当接させる。その後、「溶接工程」では、「配置工程」の状態を保って、当接部６２に電子ビームを照射してリード端子５２とターミナル４２のＩＣ接続部４２ａとを溶接する。 （もっと読む）

【課題】接合界面における高融点材料から低融点材料への伝熱を確保することができ、しかも両被接合材の接合界面にガスが発生したとしても、欠陥のない健全な異材重ね接合が可能な異種金属の接合方法及び接合装置、さらにこのような方法によって接合された異種金属の接合部材を提供する。
【解決手段】融点が互いに異なる高融点材料２と低融点材料３を重ね合わせ、高融点材料側の表面にデフォーカスされた高エネルギビームをスポット状に照射することによってこれら材料同士を重ね接合するに際して、加圧手段である圧子９によって、高エネルギビームの照射面と反対側の面から、接合部位を局部的に加圧すると共に、例えば圧子及びベースプレート６に溝９ａ，６ａを形成することによって加圧力の低い部分を形成して、接合界面に発生したガスを両材料の間から排除する。 （もっと読む）