【解決手段】 イオン注入によって活性化された２つの基板を接合するウェハ接合方法を開示する。インサイチュイオン接合チャンバによって、イオン活性化および接合を、製造処理ラインで利用されている既存の処理ツールで、実行することができるようになっている。基板のうち少なくとも一方の基板のイオン活性化を低い注入エネルギーで行って、薄い表面層よりも下方のウェハ材料がイオン活性化によって影響をうけないようにする。 （もっと読む）