【課題】ウェハを加圧する加圧モジュールに流体を利用する場合、圧力伝達部材と圧力伝達部材に取り付けられている他の構造体との境界から、加圧された流体の漏出が問題となる。
【解決手段】上記課題を解決するために、外部から出入させる流体を制御することにより被加圧体を加圧する加圧モジュールは、被加圧体に流体による加圧圧力を伝達する圧力伝達板と、圧力伝達板との間に空間を形成するように圧力伝達板を支持する基台部と、流体が圧力伝達板に直接接触しないように空間に介在し、圧力伝達板に密着して流体による加圧圧力を伝達する圧力シートとを備える。 （もっと読む）

【課題】封止時における不要なガスの発生を抑えた低コストで信頼性の高い気密封止型電子部品、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤、緑、青の各レーザーダイオード（ＬＤ）素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを支持基板２に実装してキャップ３で気密封止した気密封止型電子部品において、支持基板２にガス抜き用の貫通孔８を設け、そこを介して内部に存在する不要なガス成分を外部へ排出うえで、支持基板２に表面活性化接合法を用いて平板状の封止部材１２を接合して貫通孔８を閉塞する。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。
【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板接合過程において、加熱される接合基板の温度分布の均一化を図る。
【解決手段】複数の基板を挟んだ一対の基板ホルダを保持する保持部と、保持部に保持された一対の基板ホルダを誘導加熱する誘導加熱部とを備える加熱装置が提供される。加熱装置は、一対の基板ホルダを備え、一対の基板ホルダの少なくとも一方は、誘導加熱部からの磁場により渦電流を生じる導電部材が配される。一対の基板ホルダの少なくとも一方は、導電部材に供給される電圧により基板を静電吸着する。 （もっと読む）

【課題】３枚以上の基板を１枚の接合基板に高速に接合すること。
【解決手段】接合チャンバーの内部で上基板とその中間基板とを接合することにより、その第１接合基板を作製するステップＳ１２と、その接合チャンバーの内部にその第１接合基板が配置されているときに、その接合チャンバーの内部にその下基板を搬入するステップＳ１３と、その接合チャンバーの内部でその第１接合基板とその下基板とを接合することにより、第２接合基板を作製するステップＳ１４とを備えている。このような多層接合方法によれば、その上基板は、その中間基板に接合された後に、その接合チャンバーから取り出されることなしに、その下基板に接合されることができる。このため、その第２接合基板は、高速に作製されることができ、ローコストに作製されることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの直径が大きくなる傾向にある近年、重ねあわされる互いのウェハ全面において均一に加圧加熱することが困難になってきている。
【解決手段】ウェハを加圧加熱する加圧加熱モジュールは、軸方向に押圧力を発生させるアクチュエータに接続された支柱部と、押圧力を受けた支柱部に押圧されるヒータプレートと、ヒータプレートに押圧及び加熱されるステージ部を備え、支柱部がヒータプレートを押圧する第１の押圧面は、ヒータプレートがステージを押圧する第２の押圧面より小さい。 （もっと読む）

【課題】接合しようとする一対の基板の接合面を１台の処理設備により効率よく短時間でプラズマ処理し、それに続いて容易に基板の接合をする。
【解決手段】プラズマ基板表面処理接合装置は、接合する一対の基板１８、２８の接合面をプラズマ処理するためのプラズマ電極３２と、そのプラズマ処理した一対の基板１８、２８の接合面を当接して接合するホルダ押し上げロッド３１とを有する。一対の基板１８、２８を互いに対向させた状態で位置決めピン２４と位置決め孔１４とにより相互に位置決めする。前記ホルダ押し上げロッド３１により基板の接合面を互いに離間して対向させ、その接合面の間にプラズマ電極を挿入してプラズマを形成し、基板１８、２８の接合面を同時にプラズマ処理する。その後基板１８、２８の接合面を当接するよう基板を移動し、基板１８、２８を加圧して圧着する。 （もっと読む）

【課題】様々な種類の被接合物に対して表面活性化処理を施す際に、一方の被接合物に付着していた付着物が他方の被接合物へと再付着することを防止することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物９１，９２の接合表面が互いに略平行に且つ互いに逆向きに配置されるとともに、Ｚ方向から見て両被接合物９１，９２の接合表面が重ならないように両被接合物９１，９２をＸ方向に互いにずらして配置する。この状態において、ビーム照射部１１，２１を用いて原子ビーム（あるいはイオンビーム等）を照射して特定物質（アルゴン等）を放出し、両被接合物９１，９２の接合表面を活性化する。その後、両被接合物９１，９２をＸ方向に相対的に移動して当該両被接合物の接合表面を対向状態にし、さらに、対向状態の両被接合物９１，９２を接近させるようにＺ方向に相対的に移動して当該両被接合物を接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とハンドル基板との貼り合わせに際し、熱膨張率の違いによる基板破損が生じず、かつ転写される半導体薄膜に未転写部が生じない貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面５からイオンを注入してイオン注入層２を形成する工程、前記ハンドル基板３の前記表面、および、前記イオンを注入した半導体基板１の前記表面５の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記半導体基板１の前記表面５と前記ハンドル基板３の前記表面とを５０℃以上４００℃以下で貼り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に、最高温度として２００℃以上４００℃以下の熱処理を加え、接合体６を得る工程、前記接合体６のハンドル基板側または半導体基板側から前記半導体基板のイオン注入層２に向けて可視光を照射して前記イオン注入層２の界面を脆化し、前記半導体薄膜４を転写する。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理しなくても満足できる接合エネルギを得ることが可能な接合方法を提供する。
【解決手段】２つの基板を接合するための接合方法であって、基板のうちの少なくとも一方に対して活性化処理を行うステップと、部分真空下で２つの基板の接触工程を行うステップとを備える接合方法に関する。２つのステップの組み合わせに起因して、接合を行うことができると共に、接合ボイドの数が少ない高い接合エネルギを得ることができる。特に、処理されたデバイス又は少なくとも部分的に処理されたデバイスを備える基板に適用できる。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、主として銅で構成される接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】基板接合時に、基板間のボイド発生による不良を防止できる静電チャック及びこれを備えた基板接合装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック１５０は、一つの面の中央部が凸状に形成された弾性ホルダ１５２と、弾性ホルダ１５２が帯電するように弾性ホルダ１５２に結合された電極１５６と、弾性ホルダ１５２の他方の面を保持する支持部１５４とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】常温接合において、基板面に中間材を均一に形成し、接合時の加熱が不要で常温にて接合しても十分な接合強度が得られる方法、及び装置を提供する。
【解決手段】複数の基板４を中間材を介して常温で接合する方法において、複数のターゲット７を物理スパッタリングすることによって、前記基板の被接合面上に前記中間材を形成する工程と、被接合面をイオンビームにて活性化する工程と、を含む常温接合方法である。この場合、複数の種類の材料で構成されるターゲットを物理スパッタリングすることが好ましい。基板の被接合面から見て、種々の方向に配置された複数のターゲットから中間材の材料がスパッタリングされるので、前記被接合面へ中間材を均一に形成できる。更に、複数の種類の材料で中間材を形成しているので、単一種類の材料で中間材を形成しても接合し難い基板同士の常温接合が、接合時の加熱や過度な圧接無しに可能となる。 （もっと読む）

製造ツール（１００）が、第１のデバイス表面（１０３）及び第２のデバイス表面（１０５）がプラズマ活性された後で、第１のデバイス表面を第２のデバイス表面に対して押圧して、第１のデバイス表面と第２のデバイス表面とを接合する。製造ツールは、第１のデバイス表面に力を加え、第１のデバイス表面を第２のデバイス表面に対して押圧する接合ピストン（１０２）を含む。製造ツールはまた、接合ピストンと第１のデバイス表面との間に位置する圧力板（１０４）を含む。製造ツールは、接合ピストンが圧力板を介して第１のデバイス表面に加える力が、最初に第１のデバイス表面の１つ又は複数の第１の位置に加わり、続いて第１のデバイス表面の１つ又は複数の第２の位置に加わることを確実にする機構（１０６、１１０）をさらに含む。
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本発明は、第１及び第２基板（２，４）の間に結合を生成する方法であって、（ａ）組み立てられる表面（６，８）を前処理する段階と、（ｂ）これらの２つの表面（６，８）を直接分子結合によって組み立てる段階と、（ｃ）少なくとも１時間にわたって５０℃から１００℃の範囲の温度に維持することを含む熱処理段階と、を備えることを特徴とする方法に関する。
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【課題】装置を長寿命化すること。
【解決手段】真空雰囲気を生成する接合チャンバ２と、ロードロックチャンバー３と接合チャンバ２との間を開閉するゲートバルブ５と、ゲートバルブ５を介して上側基板と下側基板とをロードロックチャンバー３から接合チャンバ２に搬送する搬送機構８と、上側基板の常温接合される表面と下側基板の常温接合される表面とに粒子を真空雰囲気で照射するイオンガン３２とを備えている。このとき、イオンガン３２は、接合チャンバ２の内側表面のうちのゲートバルブ５を除く領域に向いている。このような常温接合装置１は、ゲートバルブ５の汚染が防止されて、長寿命化する。 （もっと読む）

【課題】低温で接合可能なため接合時に生じる歪みが小さくし、また、熱伝導性が高いため使用時の熱歪みも小さくし、さらには、高温耐性接合のため接合強度が十分あるダイヤモンド光学素子の接合方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線回析用ダイヤモンド結晶31および歪緩和用ダイヤモンド結晶32を加圧および加熱して接合するに際し、接合材として、双方のダイヤモンド結晶体31、32の接合面にクラスター源から金属ナノ粒子のクラスターをそれぞれ照射し、接合面に反応層を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 ＲＥ系酸化物超電導線材の優れた輸送特性を損なうことなく、かつ、接合後の酸素アニールなどの処理を不要とし、簡便に、しかも、再現性よく低抵抗の接合部を形成できる接合方法を提供する。
【解決手段】 金属材料で被覆されているＲＥ系酸化物超電導線材と金属材料又は金属材料で被覆されている部材（ＲＥ系酸化物超電導線材を含む）を接合する接合方法において、（ｉ）酸化性雰囲気中にて、（ii）接合部の金属表面を直接重ねた接合面に熱エネルギーを付与するとともに圧力を負荷して接合面を接合する。但し、ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及び、Ｙのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】対向する二つの主面を有し、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きな熱膨張係数を有する成長用基板１の一方の主面上に、少なくとも、ｎ型窒化物半導体層２〜５と、活性層６と、ｐ型窒化物半導体層７〜８と、を成長させて接合用積層体を形成する。次に、ｐ型窒化物半導体層８の上に１層以上の金属層から成る第１の接合層９を設ける一方、対向する二つの主面を有し、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きく、かつ上記成長用基板と同じか小さい熱膨張係数を有する支持基板１０の一方の主面上に１層以上の金属層から成る第２の接合層１１を設ける。次に、第１の接合層９と第２の接合層１１とを対向させて、接合用積層体と支持基板１０とを加熱圧接して接合する。その後、接合用積層体から成長用基板１を除去して、窒化物半導体素子を得る。 （もっと読む）

冷間圧接法、ジョイント構造、および気密封止された封じ込め装置が提供される。この方法は、第１の金属を含む第１の接合面を含む少なくとも１つの第１のジョイント構造を有する第１の基材を提供すること、第２の金属を含む第２の接合面を含む少なくとも１つの第２のジョイント構造を有する第２の基材を提供すること、および前記接合面を、１つまたは複数の界面で、前記接合面の前記第１の金属と前記第２の金属の間に金属−金属結合を形成するのに有効な量だけ、局所的に変形させ、剪断するために、前記少なくとも１つの第１のジョイント構造と前記少なくとも１つの第２のジョイント構造とを合わせて圧縮することを含む。接合面のオーバラップ部分は、表面汚染物を置換し、接合面間の密接を入熱なしに促進するのに有効である。気密封止された装置は、薬物製剤、バイオセンサまたはＭＥＭＳ装置を含むことができる。
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