【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１の第１の側面Ｓ１と、第２の炭化珪素基板１２の側面Ｓ２とが互いに面するように、処理室６０内にベース部３０および第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。処理室６０の内面の少なくとも一部は、Ｔａ原子およびＣ原子を含む吸収部５２によって覆われている。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室６０内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部５２の少なくとも一部が炭化される。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ−Ｓｉ共晶接合の接合信頼性を高めることができる接合方法を提供する。
【解決手段】２枚の基板１，２をＡｕ−Ｓｉ共晶接合により接合する接合方法であって、第１のシリコン基板１０を用いて形成された第１の基板１と第２のシリコン基板２０を用いて形成された第２の基板２とを用意する。接合装置のチャンバ内で第１の基板１のＡｕ膜１３と第２の基板２の第２のシリコン基板２０とが接触するように両基板１，２を重ね合わせて荷重を印加した状態で、両基板１，２をＡｕ−Ｓｉの共晶温度よりも高い規定温度まで昇温する昇温過程、両基板１，２の加熱温度を上記規定温度に所定時間だけ保持する温度保持過程、両基板１，２を室温まで降温させる降温過程を順次行うようにし、降温過程では、両基板１，２を上記規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】接合基板に発生する反りをより低減すること。
【解決手段】第１基板の第１基板表面と第２基板の第２基板表面とに粒子を照射することにより、その第２基板表面とその第１基板表面とを活性化させるステップＳ２と、その第１基板の温度とその第２基板の温度との温度差を小さくするステップＳ３と、所定温度差よりその温度差が小さくなった後に、その第２基板表面とその第１基板表面とを接触させることにより、その第２基板とその第１基板とを接合するステップＳ４とを備えている。このような接合方法によれば、その温度差が所定温度差より小さくなる前に接合された他の接合基板に比較して、その第２基板とその第１基板との熱膨張に起因する反りをより低減することができる。 （もっと読む）

【課題】切削中にロウ材が液相を生成する温度を越える高温となっても接合層の接合強度が低下することがなく、研削代の大きなｃＢＮ焼結体やダイヤモンド焼結体を準備する必要がない切削工具として好適な接合体を提供する。
【解決手段】サーメット焼結体を第１の被接合材１とし、ｃＢＮ焼結体またはダイヤモンド焼結体を第２の被接合材３とする接合体であって、第１の被接合材および第２の被接合材は、両者の間に設置された８００℃を超え１０００℃未満の温度で液相を生成する接合材２を介して接合されており、前記接合は０．１ＭＰａ〜２００ＭＰａの圧力で加圧しながら通電加熱することによって行われている接合体。 （もっと読む）

【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波（例えばビーム照射部１１，１２による原子ビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物９１，９２の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物９１，９２の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波（例えばビーム照射部３１によるイオンビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面を活性化するとともに、両被接合物９１，９２を接近させて当該両被接合物を接合する。 （もっと読む）

【課題】積層構造体を安定かつ十分な加圧力でもって拘束することができる回路基板接合治具及び回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体Ｗを挟持する第１挟持板１１及び第２挟持板１２の上方に、固定中間部材１３と固定部材１４とを積層するとともい、一端部が第２挟持板１２に固定される支柱部材に第１挟持部材１１、中間部材１３及び固定板１４ａを貫通させて平行状態を維持しつつスライド可能とし、中間部材１３と固定板１４ａとの間に第１バネ手段１６を介装し、第１挟持部材１１と中間部材１３との間に第２バネ手段１７を介装し、第２バネ手段１７と並列にスペーサ部材１８を配置して、回路基板接合治具１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】拘束力が緩むことなく、セラミック基板と金属板とを確実に接合することができる回路基板接合治具及び回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体Ｗを挟持する第１挟持板１１及び第２挟持板１２と、一端側が第２挟持板１２に固定されるとともに、他端側が第１挟持部材１１を貫通する複数の支柱部材１４と、第１挟持板１１よりも支柱部材１４の他端側に固定される固定部材１３と、第１挟持板１１の固定部材１３側を向く面に配置された膨張部材１６と、固定部材１３と膨張部材１６との間に介装されたコイルバネ１７とから回路基板接合治具１１を構成し、コイルバネ１７をカーボンコンポジットから構成するとともに、膨張部材１６をカーボンコンポジットよりも線膨張係数の高い材料から構成する。 （もっと読む）

【課題】経時的に安定な２つの部材の接合体を得る技術を提供する。
【解決手段】第１の部材の接合面上にＳｉＯ₂薄膜を適宜の薄膜形成手法にて１０ｎｍ以上１０μｍ以下の厚みに成長させたうえで、該ＳｉＯ₂薄膜を酸溶液またはアルカリ溶液中に浸漬させ、該酸溶液またはアルカリ溶液中で、ＳｉＯ₂薄膜の表面に第２の基材を貼り合わせて貼り合わせ体を形成する。その後、該貼り合わせ体を所定の温度および雰囲気圧力にて所定時間保持する。 （もっと読む）

【課題】２つの基板同士を高い寸法精度で強固に接合可能であるとともに、接合後に、接合界面に生じた残留応力を低減しつつ接合体を所定の形状に矯正し得る接合方法、およびかかる接合方法により２つの基板同士を高い寸法精度で強固に接合してなる接合体および光学素子を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基板２および紫外線に対して透過性を有する第２の基板４を用意し、第１の基板２の表面上に、プラズマ重合法により接合膜３を成膜する工程（第１の工程）と、接合膜３にエネルギーを付与する工程（第２の工程）と、接合膜３を介して第１の基板２と第２の基板４とを接合し、接合体５を得る工程（第３の工程）と、接合体５に対して、第２の基板４側から紫外線を照射する工程（第４の工程）と、２つの定盤７で接合体５を表裏から押圧した状態で保持することにより、接合体５の形状を平板状に矯正する工程（第５の工程）とを有する。 （もっと読む）

【課題】２つの基板同士を強固に接合して、製造時と実使用時での温度が異なっていても、残留応力の発生を抑制し、実使用時に高い寸法精度を維持し得る接合体を製造可能な接合方法、およびかかる接合方法により２つの基板同士を高い寸法精度で強固に接合してなる接合体および光学素子を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基板２および紫外線に対して透過性を有する第２の基板４を用意し、第１の基板２の表面上に、プラズマ重合法により接合膜３を成膜する工程と、接合膜３にエネルギーを付与する工程と、接合膜３を介して第１の基板２と第２の基板４とを接合し、接合体５を得る工程と、接合体５に対して第２の基板４側から紫外線を照射する工程と、接合体５の温度を、製造後の接合体５が使用される際の実体温度に維持しつつ、２つの定盤７で接合体５を押圧した状態で保持することにより、接合体５の形状を平板状に矯正する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の炭化ケイ素部材を接合することによって、所定形状の炭化ケイ素部材を製造する場合において、製造コストを削減する。
【解決手段】炭化ケイ素部材の製造方法は、少なくとも一つの金属元素含む金属層が第１部材と第２部材との間に配置され、金属層が第１部材と第２部材とで挟まれる配置ステップと、不活性雰囲気下において、金属元素の融点未満且つ金属元素とケイ素との間で金属シリサイドが形成される温度で、第１部材、第２部材及び金属層が加熱される加熱ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】摩擦圧接時に接合部の外面にバリが発生せず、簡単な圧力制御によって、接合部以外の部位と同等以上の高い接合強度が得られる、摩擦圧接方法を提供する。
【解決手段】少なくとも中空パイプ状の圧接部１０を有する接合部材と、少なくとも中実棒状の圧接部２０を有する接合部材との圧接部同士を突き合わせた状態で、互いに相対回転させながら押圧し、その摩擦熱により圧接部が軟化塑性変形ないし液相化することによって圧接させる摩擦圧接方法であって、パイプ状圧接部１０と棒状圧接部２０とは、該パイプ状圧接部１０及び棒状圧接部２０の外径より僅かに大きい内径で両端が開口する収容空間３１を有する治具３０の、収容空間３１内において突き合わされて相対的に回転されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いＡｌ合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Ｍｇを０．５〜５質量％含んだＡｌ合金をマトリックスとしたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がＡｌ、Ｚｎおよび、その他不純物成分からなり、ＡｌとＺｎの質量比Ａｌ／Ｚｎが０．８５〜２．３３である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したＡｌ合金−セラミックス複合材料のマトリックスのＡｌ合金中に前記接合材のＺｎが拡散した拡散層を有する。 （もっと読む）

【課題】
発生するボイドを低減させ、接合信頼性を向上させるとともに、生産得率を上げる接合方法を提供すること。
【解決手段】
第１の板状部材１０と第２の板状部材１１との表面を、プラズマを照射することにより平滑化するとともに活性化させた後、第１の板状部材１０と前記第２の板状部材１１とを大気中で密着させて接合する接合方法において、プラズマで平滑化及び活性化された第１の板状部材１０と第２の板状部材１１との表面に大気中で付着する水分の量を減少させて第１の板状部材１０と第２の板状部材１１との接合を行う。 （もっと読む）

【課題】その大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第１基板を保持する第１試料台１３の向きを変更可能に、第１ステージ１１に第１試料台１３を支持する角度調整機構１２と、第１ステージ１１を第１方向に駆動する第１駆動装置１４と、第２基板を保持する第２試料台４６を第２方向に駆動する第２駆動装置と、その第２基板とその第１基板とが圧接されるときに、その第１方向にその第２試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。角度調整機構１２は、電気信号により伸縮する複数の素子から形成されている。このとき、常温接合装置１は、第２駆動装置の耐荷重を越えた大きな荷重を第１基板と第２基板とに加えることができる。常温接合装置１は、さらに、第１基板と第２基板とが平行に接触するように、角度調整機構１２を用いて第１基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。 （もっと読む）

【課題】大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第１基板を第１駆動装置と、第２試料台４６を第２方向に駆動する第２駆動装置と、第２基板４３とその第１基板とが圧接されるときに、その第１方向に第２試料台４６を支持するキャリッジ支持台４５と、その第２基板４３を固定するカートリッジ５５を第２試料台４６に機械的に固定するメカニカルロック機構５７、５８、５９とを備えている。このような常温接合装置は、第１基板と第２基板４３とを圧接するときに、第２駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第２駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第１基板と第２基板４３とに加えることができ、さらに、第２基板４３に電磁力を印加することなしに、第２基板４３を着脱可能に第２試料台４６に支持することができる。このため、常温接合装置は、電磁力を印加することができない基板にその大きな荷重を負荷することができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板の全面を均一に加熱することができ、この加熱の際に、基板への加圧をも均一な分布加重として施すことができる接合装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板ａ、ｂを挟着する上下２枚の導電性板状体２、４が所要の間隔を有して配置される。下側および上側の導電性板状体４、２は、何れもその両端を電極に接続されており、その一方の導電性板状体２は、絶縁体１２を介して導電性板状体２とは別体であって該導電性板状体２とは独立に移動可能な加重受け１０に連接され、該加重受け１０には昇降機構１４が連接している。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接着シート、かかる接着シートと被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接着シートと被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接着シートは、機能性基板２と、接合膜３とを有しており、被着体４に接着して用いられるものである。この接着シートが備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、被着体４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】使用温度が高いセラミックス部材と金属部材との接合に際して、接合工程温度を低く抑えて接合時にセラミックス部材側に割れが生じるのを回避可能なセラミックス部材と金属部材との接合方法及び燃料電池スタック構造体の製造方法並びに燃料電池スタック構造体を提供する。
【解決手段】単セル６が設置される金属製セル板２の形成工程と、周縁部がセル板２の周縁部に接合される金属製セパレータ板３の形成工程と、セル板２に単セル６を設置する工程と、セル板２及びセパレータ板３の各周縁部同士を接合する固体電解質型燃料電池ユニット１の形成工程と、隣接する固体電解質型燃料電池ユニット１の各中心部分同士の接合工程を有する燃料電池スタック構造体１１の製造方法において、セル板２に単セル６を接合する際に、単セル６に金属ガラス接合層１７を成膜した後、金属ガラス接合層１７にセル板２を接触させてその過冷却液体域で押圧して接合する。 （もっと読む）

【課題】単一の真空チャンバで様々な接合技術を選択して使用することが出来ると共に、それらの併用を可能とする。
【解決手段】基板接合装置は、接合すべき一対の基板６、７を互いに対向するよう保持する基板ホルダ２、３と、この基板６、７の接合すべき面に向けて配置したイオン・ラジカル源１１、１１と、前記の少なくとも一方の基板ホルダ２、３を移動させて基板２、３の接合すべき表面を互いに接触、加圧する移動機構とを有する。そして、前記イオン・ラジカル源１１、１１は、プラズマ中でガスをイオン化及び／またはラジカル化するプラズマ室１２、１２と、このプラズマ室１２、１２で発生したイオンを前記基板６、７の接合すべき面に向けて発射するイオン引出電極１４、１４と、イオンをトラップし、前記プラズマ室１２、１２で発生したラジカルのみを前記基板６、７の接合すべき面に向けて発射するイオントラップ電極１５、１５とを有する。 （もっと読む）