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Fターム[4E067DA05]の内容

圧接、拡散接合 (9,095) | 前処理 (1,205) | 清浄化 (111) | イオンボンバード、グロー放電 (37)

Fターム[4E067DA05]に分類される特許

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【課題】接合対象をより安定して取り扱うこと。
【解決手段】カートリッジと、そのカートリッジが載せられるキャリッジと、静電チャックと、その静電チャックを駆動する圧接機構とを備えている。そのカートリッジは、所定領域の表面粗さが所定の表面粗さより大きくなるように、形成されている。このとき、そのカートリッジは、ウェハがその所定領域に接している場合で、ウェハが静電引力によりその静電チャックに吸着されているときに、ウェハとともにその静電チャックに吸着されないで、その静電チャックが移動しても移動しない。この結果、このような接合装置は、その静電チャックの吸着力を変化させることなく、かつ、ウェハに所定の加工を施すことなく、ウェハをより安定して取り扱うことができる。 (もっと読む)


【課題】接合基板に発生する反りをより低減すること。
【解決手段】第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、その第2基板表面とその第1基板表面とを活性化させるステップS2と、その第1基板の温度とその第2基板の温度との温度差を小さくするステップS3と、所定温度差よりその温度差が小さくなった後に、その第2基板表面とその第1基板表面とを接触させることにより、その第2基板とその第1基板とを接合するステップS4とを備えている。このような接合方法によれば、その温度差が所定温度差より小さくなる前に接合された他の接合基板に比較して、その第2基板とその第1基板との熱膨張に起因する反りをより低減することができる。 (もっと読む)


【課題】封止時における不要なガスの発生を抑えた低コストで信頼性の高い気密封止型電子部品、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤、緑、青の各レーザーダイオード(LD)素子1R、1G、1Bを支持基板2に実装してキャップ3で気密封止した気密封止型電子部品において、支持基板2にガス抜き用の貫通孔8を設け、そこを介して内部に存在する不要なガス成分を外部へ排出うえで、支持基板2に表面活性化接合法を用いて平板状の封止部材12を接合して貫通孔8を閉塞する。 (もっと読む)


【課題】3枚以上の基板を1枚の接合基板に高速に接合すること。
【解決手段】接合チャンバーの内部で上基板とその中間基板とを接合することにより、その第1接合基板を作製するステップS12と、その接合チャンバーの内部にその第1接合基板が配置されているときに、その接合チャンバーの内部にその下基板を搬入するステップS13と、その接合チャンバーの内部でその第1接合基板とその下基板とを接合することにより、第2接合基板を作製するステップS14とを備えている。このような多層接合方法によれば、その上基板は、その中間基板に接合された後に、その接合チャンバーから取り出されることなしに、その下基板に接合されることができる。このため、その第2接合基板は、高速に作製されることができ、ローコストに作製されることができる。 (もっと読む)


【課題】接合しようとする一対の基板の接合面を1台の処理設備により効率よく短時間でプラズマ処理し、それに続いて容易に基板の接合をする。
【解決手段】プラズマ基板表面処理接合装置は、接合する一対の基板18、28の接合面をプラズマ処理するためのプラズマ電極32と、そのプラズマ処理した一対の基板18、28の接合面を当接して接合するホルダ押し上げロッド31とを有する。一対の基板18、28を互いに対向させた状態で位置決めピン24と位置決め孔14とにより相互に位置決めする。前記ホルダ押し上げロッド31により基板の接合面を互いに離間して対向させ、その接合面の間にプラズマ電極を挿入してプラズマを形成し、基板18、28の接合面を同時にプラズマ処理する。その後基板18、28の接合面を当接するよう基板を移動し、基板18、28を加圧して圧着する。 (もっと読む)


【課題】電気部品の多くがはんだ付けによって実装されているが、はんだは鉛とスズを主成分とする合金であるため、その使用が禁止される傾向にあるため、はんだを用いないで電気部品の電気接続が可能な接続装置を提供する。
【解決手段】処理室にマイクロ波電力と共に水素ガスを供給し、水素ガスの還元性気体の中で表面波プラズマを発生させるプラズマ発生装置を備え、酸化被膜24、25が形成された電気接続端子22とプリント配線23aを接合させてコネクタ20をプリント配線基板23に配置した後、プリント配線基板23を前記処理室に収容して表面波プラズマに晒し、上記した酸化被膜24、25や汚れなどを還元して電気接続端子22をプリント配線23aに接続し、コネクタ20をプリント配線基板23に実装した構成としてある。 (もっと読む)


【解決課題】従来よりも効率的な活性化接合方法、装置を提供する。
【解決手段】第1の金属帯及び第2の金属帯を一定の送り速度で移送し、第1の金属帯に対する第1主活性化領域、及び、第2の金属帯に対する第2主活性化領域に、活性化源からの衝突エネルギーを付与して第1の金属帯及び第2の金属帯を表面活性化し、接合領域で接合する金属クラッド帯の製造方法において、第1主活性化領域と接合領域との間の少なくとも一部の領域である第1副活性化領域と、第2主活性化領域と接合領域との間の領域の少なくとも一部の領域である第2副活性化領域の双方に対して、衝突エネルギーを追加的に付与する工程を有し、第1副活性化領域における積算エネルギーと第1主活性化領域における積算エネルギーとの比、及び、第2副活性化領域における積算エネルギーと第2主活性化領域における積算エネルギーとの比をいずれも20〜50%とする。 (もっと読む)


【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物91,92の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波(例えばビーム照射部11,12による原子ビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物91,92の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物91,92の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波(例えばビーム照射部31によるイオンビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面を活性化するとともに、両被接合物91,92を接近させて当該両被接合物を接合する。 (もっと読む)


【課題】様々な種類の被接合物に対して表面活性化処理を施す際に、一方の被接合物に付着していた付着物が他方の被接合物へと再付着することを防止することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物91,92の接合表面が互いに略平行に且つ互いに逆向きに配置されるとともに、Z方向から見て両被接合物91,92の接合表面が重ならないように両被接合物91,92をX方向に互いにずらして配置する。この状態において、ビーム照射部11,21を用いて原子ビーム(あるいはイオンビーム等)を照射して特定物質(アルゴン等)を放出し、両被接合物91,92の接合表面を活性化する。その後、両被接合物91,92をX方向に相対的に移動して当該両被接合物の接合表面を対向状態にし、さらに、対向状態の両被接合物91,92を接近させるようにZ方向に相対的に移動して当該両被接合物を接合する。 (もっと読む)


【課題】従来の接合装置では、電極の平坦化及びCMP処理以降の工程における接合面酸化により、十分な接合を達成できないことがあった。
【解決手段】複数の半導体基板がそれぞれの接合面で接合されて積層された半導体装置を製造する製造装置であって、接合面を活性化する活性化装置と、重ね合わせた半導体基板を加圧及び加熱の少なくともいずれかにより接合する接合装置と、接合装置で接合される前の接合面の表面粗さを計測する計測器と、活性化装置、接合装置及び計測器のそれぞれに対して制御を行う制御部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体基板とハンドル基板との貼り合わせに際し、熱膨張率の違いによる基板破損が生じず、かつ転写される半導体薄膜に未転写部が生じない貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1の表面5からイオンを注入してイオン注入層2を形成する工程、前記ハンドル基板3の前記表面、および、前記イオンを注入した半導体基板1の前記表面5の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記半導体基板1の前記表面5と前記ハンドル基板3の前記表面とを50℃以上400℃以下で貼り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に、最高温度として200℃以上400℃以下の熱処理を加え、接合体6を得る工程、前記接合体6のハンドル基板側または半導体基板側から前記半導体基板のイオン注入層2に向けて可視光を照射して前記イオン注入層2の界面を脆化し、前記半導体薄膜4を転写する。 (もっと読む)


【課題】高温熱処理しなくても満足できる接合エネルギを得ることが可能な接合方法を提供する。
【解決手段】2つの基板を接合するための接合方法であって、基板のうちの少なくとも一方に対して活性化処理を行うステップと、部分真空下で2つの基板の接触工程を行うステップとを備える接合方法に関する。2つのステップの組み合わせに起因して、接合を行うことができると共に、接合ボイドの数が少ない高い接合エネルギを得ることができる。特に、処理されたデバイス又は少なくとも部分的に処理されたデバイスを備える基板に適用できる。 (もっと読む)


【課題】十分な初期接合強度を得ると共に、高温での長時間保持やヒートサイクル試験において接合強度の低下や接合強度のばらつきが発生しない金属接合方法を提供するものである。
【解決手段】アルミニウムを主成分とするAl部材の接合面と銅を主成分とするCu部材の接合面とを接触させる接触工程と、Al部材の接合面およびCu部材の接合面に対して垂直方向に圧力を加える加圧工程と、垂直方向から圧力を加えられたAl部材の接合面およびCu部材の接合面をアルミニウムと銅との共晶温度以上、620℃以下の温度に加熱する工程とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】 駆動基板を所望の接合部位に確実に接合することで、意図しない非接合部(隙間)の発生を防止し、駆動基板の実装による変形を抑制し、ギャップの変動を抑制でき、ギャップを所望な値となるように均一に保持することで所望の駆動特性を発揮することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置1は、駆動基板20と、電極基板30と、複数の接合凸部40とを具備している。駆動基板20は、駆動領域21と、駆動領域21を保持するフレーム22と、フレーム22に成膜された駆動基板側接合膜23とを有している。電極基板30は、電極パッド31を駆動領域21に対向するように有している。接合凸部40は、凸部側接合膜40aと、凸部側接合膜40aよりも柔軟であり、凸部側接合膜40aの下に形成されている下地部材40bとを有している。半導体装置1は、接合凸部40によって駆動基板20と電極基板30とを固相接合する。 (もっと読む)


【課題】異種材質間の接合を含む広範な材質間の接合に使用することができ,かつ,接合対象とする基体に物理的なダメージを与えることなく接合を行うことがでる接合方法を提供する。
【解決手段】真空容器内において,平滑面を有する2つの基体それぞれの前記平滑面に,室温における体拡散係数が1×10-80m2/s以上の材料から成り,かつ,密度が80%以上である高密度の微結晶連続薄膜を形成する。その後,前記2つの基体に形成された前記微結晶連続薄膜同士が接触するように前記2つの基体を重ね合わせることにより,前記微結晶連続薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記2つの基体を接合する。 (もっと読む)


【課題】
発生するボイドを低減させ、接合信頼性を向上させるとともに、生産得率を上げる接合方法を提供すること。
【解決手段】
第1の板状部材10と第2の板状部材11との表面を、プラズマを照射することにより平滑化するとともに活性化させた後、第1の板状部材10と前記第2の板状部材11とを大気中で密着させて接合する接合方法において、プラズマで平滑化及び活性化された第1の板状部材10と第2の板状部材11との表面に大気中で付着する水分の量を減少させて第1の板状部材10と第2の板状部材11との接合を行う。 (もっと読む)


【課題】その大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第1基板を保持する第1試料台13の向きを変更可能に、第1ステージ11に第1試料台13を支持する角度調整機構12と、第1ステージ11を第1方向に駆動する第1駆動装置14と、第2基板を保持する第2試料台46を第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向にその第2試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。角度調整機構12は、電気信号により伸縮する複数の素子から形成されている。このとき、常温接合装置1は、第2駆動装置の耐荷重を越えた大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置1は、さらに、第1基板と第2基板とが平行に接触するように、角度調整機構12を用いて第1基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。 (もっと読む)


【課題】その大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第1基板を保持する第1試料台13の向きを変更可能に、第1ステージ11にその第1試料台13を支持する角度調整機構12と、その第1ステージ11を第1方向に駆動する第1駆動装置14と、第2基板を保持する第2試料台46を第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向にその第2試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。このとき、常温接合装置1は、第2駆動装置の耐荷重を越えた大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置1は、さらに、第1基板と第2基板とが平行に接触するように、角度調整機構12を用いて第1基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。 (もっと読む)


【課題】その大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第1基板を保持する第1試料台13の向きを変更可能に、第1ステージ11に第1試料台13を支持する角度調整機構12と、第1ステージ11を第1方向に駆動する第1駆動装置14と、第2基板を保持する第2試料台46を第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向にその第2試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。角度調整機構21は、複数のシムから形成されている。このとき、常温接合装置1は、第2駆動装置の耐荷重を越えた大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置1は、さらに、第1基板と第2基板とが平行に接触するように、角度調整機構12を用いて第1基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。 (もっと読む)


【課題】大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第1基板を第1駆動装置と、第2試料台46を第2方向に駆動する第2駆動装置と、第2基板43とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向に第2試料台46を支持するキャリッジ支持台45と、その第2基板43を固定するカートリッジ55を第2試料台46に機械的に固定するメカニカルロック機構57、58、59とを備えている。このような常温接合装置は、第1基板と第2基板43とを圧接するときに、第2駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第2駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第1基板と第2基板43とに加えることができ、さらに、第2基板43に電磁力を印加することなしに、第2基板43を着脱可能に第2試料台46に支持することができる。このため、常温接合装置は、電磁力を印加することができない基板にその大きな荷重を負荷することができる。 (もっと読む)


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