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Fターム[4E067DB01]に分類される特許
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接合方法
【課題】Au−Si共晶接合の接合信頼性を高めることができる接合方法を提供する。
【解決手段】2枚の基板1,2をAu−Si共晶接合により接合する接合方法であって、第1のシリコン基板10を用いて形成された第1の基板1と第2のシリコン基板20を用いて形成された第2の基板2とを用意する。接合装置のチャンバ内で第1の基板1のAu膜13と第2の基板2の第2のシリコン基板20とが接触するように両基板1,2を重ね合わせて荷重を印加した状態で、両基板1,2をAu−Siの共晶温度よりも高い規定温度まで昇温する昇温過程、両基板1,2の加熱温度を上記規定温度に所定時間だけ保持する温度保持過程、両基板1,2を室温まで降温させる降温過程を順次行うようにし、降温過程では、両基板1,2を上記規定温度から急速冷却する。
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接合装置
【課題】接合対象をより安定して取り扱うこと。
【解決手段】カートリッジと、そのカートリッジが載せられるキャリッジと、静電チャックと、その静電チャックを駆動する圧接機構とを備えている。そのカートリッジは、所定領域の表面粗さが所定の表面粗さより大きくなるように、形成されている。このとき、そのカートリッジは、ウェハがその所定領域に接している場合で、ウェハが静電引力によりその静電チャックに吸着されているときに、ウェハとともにその静電チャックに吸着されないで、その静電チャックが移動しても移動しない。この結果、このような接合装置は、その静電チャックの吸着力を変化させることなく、かつ、ウェハに所定の加工を施すことなく、ウェハをより安定して取り扱うことができる。
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接合方法および接合装置制御装置
【課題】接合基板に発生する反りをより低減すること。
【解決手段】第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、その第2基板表面とその第1基板表面とを活性化させるステップS2と、その第1基板の温度とその第2基板の温度との温度差を小さくするステップS3と、所定温度差よりその温度差が小さくなった後に、その第2基板表面とその第1基板表面とを接触させることにより、その第2基板とその第1基板とを接合するステップS4とを備えている。このような接合方法によれば、その温度差が所定温度差より小さくなる前に接合された他の接合基板に比較して、その第2基板とその第1基板との熱膨張に起因する反りをより低減することができる。
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半導体デバイスの製造方法および搬送装置
【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。
【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。
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接合装置制御装置および多層接合方法
【課題】3枚以上の基板を1枚の接合基板に高速に接合すること。
【解決手段】接合チャンバーの内部で上基板とその中間基板とを接合することにより、その第1接合基板を作製するステップS12と、その接合チャンバーの内部にその第1接合基板が配置されているときに、その接合チャンバーの内部にその下基板を搬入するステップS13と、その接合チャンバーの内部でその第1接合基板とその下基板とを接合することにより、第2接合基板を作製するステップS14とを備えている。このような多層接合方法によれば、その上基板は、その中間基板に接合された後に、その接合チャンバーから取り出されることなしに、その下基板に接合されることができる。このため、その第2接合基板は、高速に作製されることができ、ローコストに作製されることができる。
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クラッド材及びその製造方法
【課題】ロウ材組成層の融点が高くなることを抑えて金属材の強度低下や熱変形の発生を回避し得、且つ、製造コストを安価にして、ロウ材組成層の厚さを薄くできてロウ付け時におけるロウ材の液垂れを防止し得、更に、プレス成形性等の加工性をより改善し得るクラッド材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リン銅合金粉末を母材1に圧着してロウ材組成層11を形成し、該ロウ材組成層11が形成されたクラッド材8を、少なくともリン銅合金の固相線温度以上で且つ液相線温度より低い温度に所要時間加熱することにより、重量割合で5%以上のリン成分を含むリン銅合金(Cu3P相)中に重量割合で2%以下のリン成分を含む銅(α相)が点在するように分散するロウ材組成層11を形成する。
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プラズマ基板表面処理接合方法とその装置
【課題】接合しようとする一対の基板の接合面を1台の処理設備により効率よく短時間でプラズマ処理し、それに続いて容易に基板の接合をする。
【解決手段】プラズマ基板表面処理接合装置は、接合する一対の基板18、28の接合面をプラズマ処理するためのプラズマ電極32と、そのプラズマ処理した一対の基板18、28の接合面を当接して接合するホルダ押し上げロッド31とを有する。一対の基板18、28を互いに対向させた状態で位置決めピン24と位置決め孔14とにより相互に位置決めする。前記ホルダ押し上げロッド31により基板の接合面を互いに離間して対向させ、その接合面の間にプラズマ電極を挿入してプラズマを形成し、基板18、28の接合面を同時にプラズマ処理する。その後基板18、28の接合面を当接するよう基板を移動し、基板18、28を加圧して圧着する。
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表面活性化接合による金属クラッド帯の製造方法及びその装置
【解決課題】従来よりも効率的な活性化接合方法、装置を提供する。
【解決手段】第1の金属帯及び第2の金属帯を一定の送り速度で移送し、第1の金属帯に対する第1主活性化領域、及び、第2の金属帯に対する第2主活性化領域に、活性化源からの衝突エネルギーを付与して第1の金属帯及び第2の金属帯を表面活性化し、接合領域で接合する金属クラッド帯の製造方法において、第1主活性化領域と接合領域との間の少なくとも一部の領域である第1副活性化領域と、第2主活性化領域と接合領域との間の領域の少なくとも一部の領域である第2副活性化領域の双方に対して、衝突エネルギーを追加的に付与する工程を有し、第1副活性化領域における積算エネルギーと第1主活性化領域における積算エネルギーとの比、及び、第2副活性化領域における積算エネルギーと第2主活性化領域における積算エネルギーとの比をいずれも20〜50%とする。
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接合装置、接合方法および半導体装置
【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物91,92の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波(例えばビーム照射部11,12による原子ビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物91,92の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物91,92の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波(例えばビーム照射部31によるイオンビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面を活性化するとともに、両被接合物91,92を接近させて当該両被接合物を接合する。
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2つの基板を接合するための接合方法
【課題】高温熱処理しなくても満足できる接合エネルギを得ることが可能な接合方法を提供する。
【解決手段】2つの基板を接合するための接合方法であって、基板のうちの少なくとも一方に対して活性化処理を行うステップと、部分真空下で2つの基板の接触工程を行うステップとを備える接合方法に関する。2つのステップの組み合わせに起因して、接合を行うことができると共に、接合ボイドの数が少ない高い接合エネルギを得ることができる。特に、処理されたデバイス又は少なくとも部分的に処理されたデバイスを備える基板に適用できる。
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基材の接合方法及び基材の接合装置
【課題】設備を簡素化して設備コストを抑えるとともに、板状の薄物を基材として互いに接合できるようにする。
【解決手段】互いに接合する電解質膜1とガスケット3とを吸着板11,41にそれぞれ真空吸引により吸着保持させるとともに、固定基台9と可動基台39との間のシール部材13に囲まれた密閉空間15内を、吸着板11,41に対する真空吸引よりも低い真空度となるよう真空吸引して減圧する。このとき電解質膜1とガスケット3とは互いに離間した状態であり、この状態から油圧プレス機械49により、電解質膜保持具5をガスケット保持具7に向けて加圧して荷重を付与し、シール部材13を圧縮させて電解質膜1とガスケット3とを互いに加圧接触させて接合する。
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金属の低温接合方法
【課題】熱変形や機械的変形などの不都合を生じることなく、比較的低温で確実に接合することができる金属の低温接合方法と、このような低温接合に好適に用いることができる接合装置を提供する。
【解決手段】被接合材における接合面の少なくとも一方に、図に示すように、凸部間又は凹部間の距離が200〜1000nmの間の任意の値であると共に、隣接する凹凸部間の高低差が40〜300nmの間の任意の値である微細凹凸を形成した状態で接合面同士を突き合わせ、被接合材の融点よりも低い温度に加熱して接合する。
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拡散接合方法
【課題】十分な接合強度を有し、拡散接合後の被接合体の変形量の少ない拡散接合方法を提供する。
【解決手段】被接合体1に対し、加圧装置により被接合体1の積層方向にのみ加圧する拡散接合方法において、積層した被接合体1の外壁面5全体を取り囲むように被接合体1の外壁面5と所定の隙間δを有した状態で金属板3(3a〜3n)を配置し、加圧装置により被接合体1にのみ被接合体1の積層方向に加圧し、加圧方向と直交する方向への被接合体1の変形量を拘束しながら被接合体1を接合する。
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円筒形状物体のろう付けあるいは拡散接合による接合方法
【課題】本発明の課題は、HIP法のような大掛かりな設備を必要としないで同心円状に重なる関係にある金属製の内筒と外筒とを一体化するための新規な加熱接合方法を提示すること、また、剛性の高い素材同士の接合を可能とする手法を提示することにある。
【解決手段】本発明の内筒部材と外筒部材の接合方法は、接合させる内筒部材の外面を設計形状に加工するステップと、内筒部材の外面にろう材を載せるステップと、接合させる外筒部材内に内筒部材を嵌合させるステップと、C/C材からなるホルダーを外筒部材に被せるステップと、入れ子状になった内筒部材と外筒部材とホルダーをろう材の溶融温度以上に加熱し、内筒部材と外筒部材とホルダーの熱膨張率の差に起因する接触圧を印加させるステップと、冷却してホルダーから部材を取り出すステップとからなるものとした。
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原子拡散接合方法及び前記方法により接合された構造体
【課題】異種材質間の接合を含む広範な材質間の接合に使用することができ,かつ,接合対象とする基体に物理的なダメージを与えることなく接合を行うことがでる接合方法を提供する。
【解決手段】真空容器内において,平滑面を有する2つの基体それぞれの前記平滑面に,室温における体拡散係数が1×10-80m2/s以上の材料から成り,かつ,密度が80%以上である高密度の微結晶連続薄膜を形成する。その後,前記2つの基体に形成された前記微結晶連続薄膜同士が接触するように前記2つの基体を重ね合わせることにより,前記微結晶連続薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記2つの基体を接合する。
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構造体の製造法
【課題】内部に空間を有する構造体の製造法におけるろう付法および電子ビーム溶接法におけるろう材の適正形態および適量配置の困難性を排除することによって、構造設計において自由度が高い接合法による内部に空間を有する構造体の製造法を提供する。
【解決手段】外部への出入口をもつ空間を内部に有する、純アルミA1070と、Mgをそれぞれ1〜5重量%含むアルミ合金A6061、A5052、A5083、そして、Alを3重量%と亜鉛を1重量%含むマグネシウム合金AZ31からなる構造体1を粉末ろう材5による介在層によって接合して製造する方法であって、接合部位における接合界面への介在層をコールドスプレー法によって形成したのち、加熱と加圧をともなう界面接合を用いて接合する。
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多層燃料チャネルおよび多層燃料チャネルの加工方法
【課題】 原子炉のための実施例に従った燃料チャネル(400)は、多層構造の細長い空洞のボディを有する。
【解決手段】 多層構造は、コア層(104)と、コア層に金属組織学的に結合された少なくとも一つのクラッド層(102)とを含んでもよい。コア層(104)および少なくとも一つのクラッド層(102)は、異なる組成を有した合金である場合がある。例えば、コア層(104)は、少なくとも一つのクラッド層(102)に比べて、対照射成長耐性および/または対照射クリープ耐性を有し、また少なくとも一つのクラッド層(102)は、コア層(104)よりも、対水素吸蔵および/または腐食に対するより高い耐性を有していてもよい。従って、燃料チャネル(400)の歪曲は減少または抑制するので、制御ブレードの動きの妨げを減少または抑制する。
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Al合金−セラミックス複合材料用の接合材及びそれを用いた接合体
【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いAl合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Mgを0.5〜5質量%含んだAl合金をマトリックスとしたAl合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がAl、Znおよび、その他不純物成分からなり、AlとZnの質量比Al/Znが0.85〜2.33である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したAl合金−セラミックス複合材料のマトリックスのAl合金中に前記接合材のZnが拡散した拡散層を有する。
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接合方法およびこの方法により作成されるデバイス、接合装置並びにこの方法により接合される基板
【課題】両基板の接合面間に接合部によって輪郭状に囲まれて形成される空間に所定の雰囲気を封入して当該空間を外部の雰囲気から確実に遮断できる技術を提供する。
【解決手段】蓋基板807およびデバイス基板808に形成された外周接合部831bどうしを加圧して仮接合することで、両基板807,808の接合面間に外周接合部831bによって囲まれる空間に所定の雰囲気を封入できる。したがって、当該空間内の所定の雰囲気中で加圧することにより両基板807,808の内部接合部831aどうしの本接合を確実に行うことができるので、両基板807,808の接合面間に内部接合部831aによって輪郭状に囲まれて形成される空間に所定の雰囲気を封入するとともに、この空間を外部の雰囲気から確実に遮断できる。
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はんだ鏝用鏝先及びその製造方法
【課題】銅製の鏝先本体部と銅−鉄合金製の鏝先先端部とが継ぎ目なく一体化された焼結体からなる鏝先を得る。
【解決手段】鏝先1が、蓄熱及び伝熱のための銅製の鏝先本体部2と、濡れ面形成のための銅−鉄合金製の鏝先先端部3と、これらの鏝先本体部2と鏝先先端部3との間に介在する接合部4とで形成されていて、この接合部4が、銅粉末4aを加圧成形して銅の融点以下の温度で焼き固めた焼結体としての形態を有することにより、この接合部4を介して上記鏝先本体部2と鏝先先端部3とが焼結時の拡散接合により一体化されている。
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