【課題】基板Ｗの裏面に傷が発生したり、コンタミが付着したりすることを十分に抑えて、基板Ｗの品質を維持する。
【解決手段】テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面に割断予定線ＰＬに沿ってレーザ光ＬＢを照射するレーザ光照射ユニット２５が設けられ、テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面にレーザ光ＬＢを照射した直後に冷媒Ｍを噴射する冷媒噴射ユニット３３が設けられ、テーブル１５は、支持フレームに配設されかつエアの圧力を利用して基板を浮上させる複数の浮上ユニット４５と、基板Ｗをテーブル１５の長手方向へ搬送する複数の搬送ローラユニット５９とを備えたこと。 （もっと読む）

【課題】 被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを形成可能なチップ形成方法を提供することである。
【解決手段】 被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法であって、被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って互いに離間した複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備したことを特徴とする （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第１の直線上にパルスレーザビームの第１の照射を行い、第１の照射の後に、第１の直線に略平行に隣接する第２の直線上に前記パルスレーザビームの第２の照射を行い、第１の照射および第２の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】強度を低下させることなく金属端子を金属板と安定的に接合することが可能な電力用半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置は、絶縁基板３と、絶縁基板３上に形成された金属板２と、板状の接合部を有し、当該接合部が金属板２上に配置されて金属板２にレーザスポット溶接される金属端子１とを備える。金属端子１の前記接合部は、長さ方向に沿った両端部分がレーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該両端部分の厚みが他の部分よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一部に円形の外周端縁を有する半導体ウェハの分断不良を少なくする。
【解決手段】この半導体ウェハの加工方法は、少なくとも一部に円形の外周端縁を有するウェハを、格子状の分断予定ラインに沿って分断するための方法であって、第１工程及び第２工程を含んでいる。第１工程では、分断予定ラインに沿ってレーザ光を走査し、ウェハ表面にスクライブ溝を形成する。第２工程では、スクライブ溝の両側を押圧してスクライブ溝に沿ってウェハを分断する。そして、第１工程では、分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度が４５°以下である特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝においては、少なくとも外周部の溝深さが特定分断予定ライン以外の他の分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝に比較して深く形成される。 （もっと読む）

【課題】ストリート幅を大きくすること無く、またウエーハの表面にダイシングテープを貼着することなくウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】溶接工程の前における接合表面のクリーニングステップを省くことができ、作業の効率化とエラーのない溶接を可能にする。
【解決手段】第１のハウジング部材２と第２のハウジング部材３とを溶接によって接合する方法であって、第１の内寸Ｉ１を備えた第１のハウジング部材を準備し、第１のハウジング部材の内寸Ｉ１よりも小さな外寸Ａ２を備えた小横断面部分と、第１のハウジング部材との間でプレス結合部を形成する大横断面部分とを有する第２のハウジング部材を準備し、第２のハウジング部材を第１のハウジング部材内に配置して、第１のハウジング部材の内壁と第２のハウジング部材の外壁との間に、環状の間隙６を形成し、第１のハウジング部材と第２のハウジング部材との溶接を、該第１のハウジング部材と第２のハウジング部材との間の間隙の領域において行う、というステップを有している。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置される載置部と、を備えるレーザー加工装置が、載置部に載置された被加工物に対して３点曲げにて力を加えることにより、被加工物の加工対象位置に対して引張応力を作用させる応力印加手段、をさらに備え、載置部に載置した被加工物に対し、応力印加手段によって加工対象位置に対して引張応力を作用させた状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように載置部と光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高強度鋼板を対象として、予め施した溶接部の延性を改善し、成形限界を向上させ得る成形素材の溶接方法およびレーザ溶接装置と、それにより得られる成形素材、ならびにこの成形素材を用いる加工方法および成形品を提供する。
【解決手段】高強度鋼板を複数枚重ね合わせた成形素材を溶接し、溶接部を再加熱する溶接方法であって、１回目の溶接部７の近傍に２回目の溶接を、１回目の溶接部７と略平行に、しかも２回目の溶接部10の方が１回目の溶接部７よりも成形の際に変形を受ける箇所から遠くなるように施すことを特徴とする高強度鋼板を用いた成形素材の溶接方法である。再加熱または２回目の溶接を、レーザを用いまたはレーザ溶接により行い、さらに間隔を１．５〜２ｍｍとするのが望ましい。この方法は本発明のレーザ溶接装置により好適に実施できる。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点ＰをＳｉＣ基板１２の内部に合わせて、パルスピッチが１０μｍ〜１８μｍとなるように切断予定ライン５ａ，５ｍに沿ってレーザ光Ｌを加工対象物１に照射する。これにより、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って、切断の起点となる改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、第１の列数の改質領域７ａを形成する。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、第１の列数よりも少ない第２の列数の改質領域７ｍを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ａが、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ａよりも小さくなるようにする。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ｍが、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ｍよりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】切断予定ラインに沿った加工対象物の高精度な切断が可能となるレーザ加工方法の使用により得られるチップを提供する。
【解決手段】厚さ方向に略平行な側面２５ａを有するチップ２５であって、側面２５ａには、厚さ方向に並ぶ溶融処理領域１３_１，１３_２と、これら溶融処理領域１３_１，１３_２間に位置し厚さ方向の長さが溶融処理領域１３_１，１３_２より短い溶融処理領域１３_３と、が形成されている。また、側面２５ａには、少なくとも溶融処理領域１３_１，１３_２間に連続するように渡り、厚さ方向に対して同じ側に傾斜し延在する複数のウォルナーライン２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い品質の半導体素子（チップ）を歩留り良く生産すること。
【解決手段】先ず、アブレーション作用を有するレーザにより、ダイシング領域に沿って積層膜２の部分のみに溝ＧＶを形成する。次いで、溝ＧＶが形成されている側の面に保護シート３を貼り付け、該保護シートが貼り付けられた当該ウエハの裏面を研削した後、ウエハＷ１の裏面側から半導体基板１Ａに対して透過性を有する波長のレーザ光を上記ダイシング領域に沿って照射し、該基板の内部に改質層ＭＬを形成する。さらに、ウエハＷ１の裏面にシート部材４を貼り付け、保護シート３を除去後、シート部材４を拡張することによって当該ウエハを個々のチップ１０Ｃに分割する。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って予備改質領域Ｐ１を形成し、その後予備改質領域から略２０μｍ〜略４０μｍだけウェハＷ裏面側の位置にレーザー光を照射して本改質領域Ｐ２を形成する（ステップＳ１０）。これにより予備改質領域Ｐ１内のクラックＫ１が基準面とウェハＷ表面との間に進展される。基準面までウェハＷを裏面から研削され（ステップＳ１２）、加工変質層が除去されてウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って改質領域を形成し（ステップＳ１０）、ウェハＷの表面から略５０μｍの基準面までウェハＷを裏面から研削する（ステップＳ１２）。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェハＷ表面との間に進展される。その後、研削によりウェハＷの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】梨地面を有する保持テープを介してでもワークの内部に改質層を形成して分割をすることができるワークの分割方法を提供すること。
【解決手段】裏面に保持テープＴが貼り付けられた半導体ウェーハ１０において、保持テープＴの梨地形成面Ｔ１上に、保持テープＴの屈折率に近い屈折率を持つ塗布部材１３を塗布して平坦化し、その後、パルスレーザービームＬＢを塗布部材１３側から半導体ウェーハ１０内部の予め設定された集光点Ｐへ集光するように出射させる。これにより、パルスレーザービームを十分に集光させることができ、半導体ウェーハ１０内に改質層１４を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】棒状部材で基板を湾曲させるレーザ割断装置において、レーザビーム照射方向から見て、レーザビーム照射予定ラインと棒状部材とが重なるように迅速且つ正確に基板を位置決めできるようにする。
【解決手段】基板５０の位置を検知するＣＣＤカメラ３８，３９と、固定台１１を回転させる回転機構２５とＸ方向に移動させるスライドテーブル２６とを設け、レーザビーム照射方向から見て、レーザビーム照射予定ライン５１と棒状部材１２とが重なるように、ＣＣＤカメラ３８，３９からの検知情報に基づいて、基板５０を固定した固定台１１の位置を回転機構２５及びスライドテーブル２６によって調整する。 （もっと読む）

【課題】被溶接部材の溶接される２つの端縁に生じる前後差を低減することが可能な円筒缶の製造装置を提供する。
【解決手段】円筒缶の製造装置は、搬送装置２によって送られる被溶接部材Ｗの２つの端縁ｅ１，ｅ２を溶接位置Ｐへ案内するためのガイド機構４を備え、ガイド機構４は、端縁ｅ１，ｅ２が被溶接部材Ｗの径方向において互いに離間した状態から溶接位置Ｐ側へ向かうにつれて漸次接近するように当該端縁ｅ１，ｅ２を案内する第１ガイド部３２と、端縁ｅ１，ｅ２を第１ガイド部３２によって接近させられた後の離間距離で互いに平行な状態に保ちながら溶接位置Ｐ側へ案内する第２ガイド部３４と、被溶接部材Ｗの径方向において端縁ｅ１，ｅ２を部分的に弾性変形するように互いに寄せ合わせてそれら端縁ｅ１，ｅ２の端面同士が突き合わされるように当該端縁ｅ１，ｅ２を溶接位置Ｐへ案内する第３ガイド部３６とを有する。 （もっと読む）