【課題】曲線状の分断予定ラインに沿って容易に分断を行うことができ、しかも耳幅を小さくすることができるようにする。
【解決手段】このスクライブ方法は、ガラス基板の分断予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成する方法であって、加熱・冷却工程と走査工程とを含んでいる。加熱・冷却工程では、ガラス基板に対して吸収性及び透過性を有する波長のレーザを基板の表面近傍に焦点が位置するように集光して照射するとともに、レーザ照射領域にレーザ照射と同時に冷却媒体を噴射する。走査工程では、レーザ照射によるレーザスポット及び冷却媒体の噴射による冷却スポットを分断予定ラインに沿って走査する。 （もっと読む）

【課題】発振されたレーザー光線の平行度を容易に調整することができる平行度調整機能を備えたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線発振手段６２と集光器６３の間に配設されたビーム径調整手段６４と、通過したレーザー光線を集光器に向けて光路を変換する光路変換ミラー６５と、レーザー光線を集光器６３に導く作用位置と、検出光路に導く非作用位置に位置付けるミラー位置付け手段６６と、検出光路に導かれたレーザー光線のビーム径を検出する撮像手段６９と、撮像手段６９の光路長を変更する光路長変更手段７０と、撮像手段６９とビーム径調整手段６４および光路長変更手段７０を制御する制御手段とを具備し、撮像手段６９を光路長が異なる２個所に位置付け、２個所においてレーザー光線のビーム径を検出し、検出された２個のビーム径に基づいて２個のビーム径が所定の関係になるようにビーム径調整手段６４を制御する。 （もっと読む）

【課題】３以上のタイプの溶接装置を用いた溶接を提供すること。
【解決手段】 溶接システム、溶接プロセス及び溶接物品が開示される。本システムは、レーザ溶接装置、ＧＭＡＷ装置及びＧＴＡＷ装置を含む。レーザ溶接装置、ＧＭＡＷ装置及びＧＴＡＷ装置は、溶接パスに沿って物品を溶接するよう位置付けられる。本プロセスは、レーザ溶接装置、ＧＭＡＷ装置及びＧＴＡＷ装置を有する溶接システムを準備する段階を含む。本プロセスは更に、レーザ溶接装置、ＧＭＡＷ装置及びＧＴＡＷ装置の１以上を用いて物品を溶接する段階を含む。溶接物品は、レーザ溶接装置、ＧＭＡＷ装置及びＧＴＡＷ装置からの溶接によって形成される溶接を含む。 （もっと読む）

【課題】 金属箔同士をより確実にかつ容易に溶接することができるビーム溶接方法、真空包装方法、及びその真空包装方法により製造した真空断熱材及びそれを用いた加熱調理器を得る。
【解決手段】 第１の金属箔と、第１の金属箔上に重ねた第２の金属箔とを、支持台の互いに隣り合う主載せ面及び従載せ面のそれぞれに載せる金属箔積層工程と、従載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分を解放した状態で、主載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分同士を溶接想定線に沿って密着させる密着工程と、密着工程後、所定の真空環境下で、電子ビームの集中照射によって第１及び第２の金属箔を加熱することにより、主載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分同士を溶接想定線に沿って溶接しながら、従載せ面に載せられた第１及び第２の金属箔の部分を切り離す溶接溶断工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の進行方向の制御が可能で、薄型化および量産化が容易な光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光装置は、発光素子と、発光素子を覆うように設けられ、放出光の光軸を含む中心部と、中心部を取り囲む内側面と外側面とを含む凸部と、を有する封止層と、を有する。光軸に対して垂直な方向における内側面の上端部と内側面の下端部との水平距離は、光軸に対して平行な方向における内側面の上端部と内側面の下端部との垂直距離の０．１倍以上、１．５倍以下であり、光軸に対して垂直な方向における外側面の上端部と外側面の下端部との水平距離は、光軸に対して平行な方向における外側面の上端部と外側面の下端部との垂直距離の０．１倍以上、１．５倍以下である。外側面は外側に向かって凸であり放出光を光軸の側に屈折可能である。 （もっと読む）

【課題】レーザー光線を照射してバッファー層を破壊後、移設基板からエピタキシー基板を脱落させずに搬送することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】光デバイス層１２を接合金属層を介して移設基板１５に接合した光デバイスウエーハ１０のバッファー層１３を破壊する加工方法であって、光デバイスウエーハに接合された移設基板側をレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保持するウエーハ保持工程と、エピタキシー基板１１側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程とを含み、バッファー層破壊工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第２のレーザー光線照射工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークに孔あけ加工する際に、大掛かりな設備を必要とせず、エッチング液にレーザ吸収用の添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第３工程を含んでいる。第１工程では、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの加工領域がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程ではワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク上面からレーザを照射する。第３工程では、レーザの集光点を、環状の軌跡に沿って走査するとともにワークに対して上下方向に相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】従来、検出装置による異常の検知または加工の完了の検知に基づくレーザ制御指令からレーザ出力の停止までに時間がかかり過ぎるという問題があった。
【解決手段】本発明に係るレーザ加工システムは、レーザ出力信号とデジタル信号とを出力する数値制御装置と、レーザ出力信号をアナログ信号に変換する変換装置と、アナログ信号を制御するパルス信号を生成するパルス信号発生装置と、レーザ光線の送出／停止を強制的に制御する論理信号を生成する補助制御装置と、パルス信号と論理信号との間の論理演算結果を出力する論理演算装置と、論理演算結果に基づいてレーザ出力の送出／停止を交互に行なうレーザ駆動信号を生成するスイッチング装置と、レーザ光線による被加工物からの放射光または反射光の強度を測定する検出装置と、を有し、補助制御装置は検出装置により測定された光の強度に応じて論理信号を生成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源からの光を短パルス又は長パルスのいずれかに切り換えることができるレーザ光源駆動装置、レーザ発振器及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】第１電源スイッチ２０がオン、第２電源スイッチ２３がオフの状況下で、スイッチング素子２２がオン／オフされると、ＣＲ回路２７（コンデンサ２６）が充放電されることにより、ＣＲ回路２７を電源としてレーザダイオード７がレーザ光を短パルスで出力する。一方、第１電源スイッチ２０がオフ、第２電源スイッチ２３がオンの状況下で、スイッチング素子２２がオン／オフされると、主電源＋Ｖを電源としてレーザダイオード７がレーザ光を長パルスで出力する。このため、レーザ光のパルス幅を、短パルス又は長パルスのいずれかに切り換えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 汚染物の内側に侵入したＲＩでも除去できる充分なエネルギー密度を確保することができ、また汚染物の表面に凹凸がある場合でも照射ムラが生じず、レーザ加工時の熱的影響によるＲＩの拡散や再汚染もなく、しかも、コスト面や環境面、作業効率の面でも優れたレーザー除染装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ発振器１と；ＸＹ軸スキャナ21及びＺ軸スキャナ22を備え、かつ、前記レーザ発振器１から出射されたレーザ光Ｌ₁をｆθレンズ等の複合レンズを介さず汚染物Ｔの表面上に集光して光走査を行うスキャナ装置２と；前記汚染物Ｔの表面形状測定装置３とを具備すると共に、
前記スキャナ装置２のＺ軸スキャナ22には、表面形状測定装置３で得られた形状データに基づいて、レーザ光Ｌ₁の焦点が汚染物Ｔの表面にくるように照射位置に応じて焦点位置を自動的に調整する焦点位置制御部22bを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークをレーザ加工する際に、カーフロスを抑え、特にエッチング液にレーザ吸収用の添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第４工程を含んでいる。第１工程は、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの加工領域がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程はワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク上面からレーザを照射する。第３工程はレーザの集光点を加工方向に沿って走査してワーク下面に溝を形成する。第４工程は、レーザの集光点を、溝の底面に移動させ、溝が形成された方向に沿って走査して溝をワーク上面に向かって深くする。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークをレーザ加工する際に、カーフロスを抑え、特にエッチング液に色素としての添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】この加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第３工程を含んでいる。第１工程は、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの少なくとも下面がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程は、ワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク表面からレーザを照射する。第３工程は、ワークとレーザとを相対的に移動させてワークを加工する。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で５０μｍ以下まで薄型化される半導体デバイス用として好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、所定の条件によるレーザー照射にてデバイス後工程で薄型化させたシリコン基板裏面全面あるいは一部を深さ方向に対してアモルファス化、あるいは基板内部の所定位置に最適化された結晶欠陥を形成させて強力なゲッタリング層を具備させる事が可能なシリコン基板及び製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 少ない加工時間で加工を行う。
【解決手段】 パルスレーザビームを出射する加工用レーザ光源と、加工用レーザ光源を出射するパルスレーザビームに対する加工性が相対的に高い第１の材料と、加工性が相対的に低い第２の材料とが混合されて含まれる加工対象物であって、加工対象物の加工位置により、第１の材料と第２の材料の含有比率が異なる加工対象物を保持するステージと、加工用レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、ステージに保持された加工対象物に伝搬する伝搬光学系と、第１の材料と第２の材料の含有比率に応じて、加工用レーザ光源から加工対象物の加工位置に投入する、単位面積当たりのトータルエネルギを制御する制御装置とを有するレーザ加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 少ない加工時間で加工を行う。
【解決手段】 （ｉ）加工用レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、ステージに保持された加工対象物の加工位置に入射させたときに発生するヒュームを通過する参照光を出射する参照用光源、及び、参照用光源を出射し、ヒュームを通過した参照光を検出する検出器とを含み、制御装置は、検出器によって検出された参照光の、ヒュームによる吸収量に基いて、加工対象物の加工位置に投入する、単位面積当たりのトータルエネルギを制御するレーザ加工装置、または、（ｉｉ）加工用レーザ光源を出射したパルスレーザビームを、ステージに保持された加工対象物の加工位置に入射させたときに発生するヒュームから発せられた光を検出する検出器を含み、制御装置は、ヒュームから発せられ、検出器によって検出された光の所定波長における光強度に基いて、加工対象物の加工位置に投入する、単位面積当たりのトータルエネルギを制御するレーザ加工装置を提供する。 （もっと読む）