【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光２２を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２に溝（３２ａ、３２ｂ）を形成する工程と、溝（３２ａ、３２ｂ）を基点に基板１０を剥離する工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】加工位置を適正に検出しながら被加工物に対して分割予定ラインに沿った高精度なレーザー加工を施すこと。
【解決手段】ある実施の形態における加工方法において、ズレ量算出工程は、加工対象の第１の分割予定ライン１１に沿って最も表面側の改質領域を形成する前に、被加工物１を透過させて内部を撮像する撮像ユニット２５５によって加工対象の第１の分割予定ライン１１に対して形成済みの改質領域１７ｂを撮像し、その加工位置を検出して加工対象の第１の分割予定ライン１１のＹ座標上の位置とのズレ量Ｌ２１を算出する。そして、位置付け工程は、レーザー照射ユニットをＹ座標方向に割り出し送りして次に加工対象とする第１の分割予定ライン１１に位置付ける際に、第１の分割予定ライン１１間の距離によって定まる割り出し送り位置をズレ量Ｌ２１分ずらして割り出し送りする。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工におけるタクトタイムの短縮化が可能なレーザ加工方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを反射型空間光変調器で変調し、変調したレーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して移動させる。このとき、加工対象物１においてレーザ光Ｌを移動させる方向Ｄに沿って離れた２箇所にレーザ光Ｌが集光されて改質スポットＳ，Ｓが形成されるように、レーザ光Ｌを空間光変調器で変調する。 （もっと読む）

【課題】裏面に第２の半導体デバイスを接合したウエーハを、ストリートに沿って切削ブレードによって切削してもチッピングが生じないウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面２ａに複数の第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２の裏面に第２の半導体デバイス２２０を接合した積層ウエーハ２２２を、第１の半導体デバイス２２を区画するストリート２１に沿って分割するウエーハの加工方法であって、第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２の裏面に紫外線を照射すると固化し温水によって除去可能な液状樹脂を被覆して第２の半導体デバイス２２０を埋没させる樹脂被覆工程と、液状樹脂に紫外線を照射して固化する樹脂固化工程と、積層ウエーハ２２２の第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２をストリート２１に沿って切削ブレードによって切断する切断工程と、温水に浸漬して樹脂を膨潤させて除去する樹脂除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されるウエハの中心をチャックテーブルの中心と一致させて載置することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】ウエハの大きさと同一または僅かに小さいウエハ保持領域と保持領域の外側周囲にレーザ光線緩衝溝が形成されているチャックテーブルとレーザ光線照射手段とを具備するレーザ加工装置であって、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエハと環状のフレームの中心との変位量を検出する変位量検出機構と、ウエハと環状のフレームの中心とのズレに基づいて加工送り手段および割り出し送り手段とウエハ搬送手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は搬送されるウエハの中心がチャックテーブルの中心位置と一致するようにウエハ着脱位置に位置付けられているチャックテーブルとウエハ搬送手段によって搬送されるウエハの搬送位置とを相対的に変位せしめる。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法は、第１の基板上に第１の導電型化合物半導体層、活性層及び第２の導電型化合物半導体層を備えるエピ層を成長させ、前記第１の基板の温度が室温より高い第１の温度で、前記エピ層に前記第１の基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する第２の基板をボンディングさせ、前記第１の基板の温度が室温より高くて前記第１の温度以下の第２の温度で、前記第１の基板を介してレーザビームを照射し、前記エピ層から前記第１の基板を分離することを含む。これにより、レーザリフトオフ工程でレーザビームの焦点を合せることが容易で、またエピ層のクラックを防止できる。また、ヒータを有するレーザリフトオフ装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】高い設計自由度で表面での光の反射を軽減する。
【解決手段】レンズ基板１００は、所定の光量の光ビームを照射されるとその焦点近傍における温度が局所的に上昇することにより熱化学反応が生じ、空孔が形成される光学ガラスにより構成される。レンズ加工装置１は統括制御部１１の制御に基づき、レンズ基板１００に対して光ビームを照射することにより、レンズ基板１００における表面から内部へ向かうに連れて、全てほぼ同一の体積でなる空孔を徐々に低い密度となるように形成する。このためレンズ基板１００は、空気側からレンズ基板１００の内部へ向かうに連れて連続的に屈折率が変化する。これによりレンズ加工装置１は、レンズ基板１００における深さ範囲屈折率を入射面１００Ｎから内部へ進むに連れて空気の屈折率から材料の屈折率へ徐々に変化させ得ると共に、その変化の度合いを高い自由度で設定することができる。 （もっと読む）

【課題】物体に対するツールのアクセス可能性を決定するための方法を提供すること。
【解決手段】本方法は、レーザ衝撃ピーニング加工される物体上の１以上のセクションを選択し、１以上のセクションの関心領域を選択し、且つアクセス可能性システムを使用することにより、１以上のセクションのそれぞれの選択された関心領域にアクセスするための１組の実行可能解を決定することを提供する。この方法により規定されるタイプの機能性を与えるシステム（１５０）及びコンピュータプログラムを、本技法により提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 深さが均一な溝を加工することができると共に、コーナ部を所望の形状に加工することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】回転軸の回りに回転自在のミラーにより、レーザビームの光軸を指定された加工経路に沿って移動させながらレーザビームを照射してワーク上に溝を加工するようにしたレーザ加工方法において、指定された加工経路が直線または円弧の一部であるときには、加工経路の延長線上かつ加工経路の始点の前側に指定された加工経路の始点を終点とする加速経路を設けると共に、加工経路の延長線上かつ加工経路の終点の後ろ側に指定された加工経路の終点を始点とする減速経路を設け、レーザビームの光軸を前記加速経路の始点から移動させると共に、減速経路の終点で停止させるようにしておき、前記レーザビームの光軸が前記指定された加工経路に沿って移動している間だけ、レーザビームの照射をさせる。 （もっと読む）

【課題】個片化された際のチッピングの発生を防止し、かつ、裏面印字の際の発塵を抑え、信頼性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１Ａ（１）は、チップ状をなし、一面側に回路素子が形成された半導体基板２と、前記半導体基板の他面２ｂの外周域に配され、かつ側面にわたって開口されている欠切部３Ａと、前記欠切部に設けられた保護部４Ａとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波シールド性を有するディスプレイ用光学フィルタの製造方法であって、導電層の露出工程を低コストで、且つ高い生産効率で行うことができる製造方法及びディスプレイ用光学フィルタを提供する。
【解決手段】透明基板、その表面全体に形成された導電層、及び導電層表面全体に形成された少なくとも１層の機能層を含む積層体の当該機能層表面の側端部又は側端部近傍に沿って、レーザ光を間欠的に照射しながら走査し、照射領域の機能層を除去して導電層を露出させる工程を含むディスプレイ用光学フィルタの製造方法であって、前記レーザ光の照射を、複数の集光光４１が前記機能層表面で、前記走査方向に対して所定の角度Ｒを持って傾斜する直線的に配列されるように行なうことを特徴とする製造方法及びそれにより得られるディスプレイ用光学フィルタ。 （もっと読む）

【課題】インクジェットプリンタのノズルプレートのノズル孔を所望形状に精度高く加工可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】マスク４の複数の開口４１を通過したパルスレーザのビームがそれぞれ開口４１に対応した形状でフィルム９に照射される。パルスレーザのパルス周期となる期間に、マスク４の隣接する開口４１を通過して被加工物に照射されるレーザビームどうしの間隔に対応した所定距離を移動する所定速度で、マスク４の開口４１の並び方向に沿ってフィルム９を移動させる。フィルム９を移動させた状態で、移動する被加工物の複数箇所において、それぞれ同一位置に、１パルス分ずつのパルスレーザがマスク４の異なる開口４１を介して複数回照射されることで順次ノズル孔１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの信頼性を向上させる。
【解決手段】ウエハ（半導体ウエハ）４０をスクライブ領域４０ｂに沿って切断して、複数の半導体チップを取得するダイシング工程において、ダイシング工程は、ウエハ４０を切断する前に、スクライブ領域４０ｂにレーザを照射するレーザ加工工程を含む。このレーザ加工工程では、第１のエネルギーを有する第１のレーザを、スクライブ領域４０ｂの主面３ａ上に形成された金属パターン４１ａを含むレーザ加工領域４３に主面３ａ側から照射して、絶縁層（第１絶縁層）３４を取り除く。次に、第１のエネルギーよりも低い第２のエネルギーを有する第２のレーザを、レーザ加工領域４４のデバイス領域４０ａ側の端部を含むレーザ加工領域４４に照射して、レーザ加工領域４４に形成された金属残渣を取り除く。 （もっと読む）

【課題】基板に金属層が形成されている板状ワークを、基板にレーザ光を照射した後に拡張して分割することを可能とする。
【解決手段】ウェーハ（基板）１の裏面１ｂに半田層（金属層）５が形成された２層構造のワーク１０におけるウェーハ１の内部に、分割予定ライン２に沿って変質層７を形成した後、ワーク１０を分割予定ライン２に沿って折り曲げ、この段階でウェーハ１を変質層７を起点として分割するとともに、半田層５に弱部８を形成する。次いで、拡張用テープ１２を拡張して半田層５に外力を加え、弱部８を起点として半田層５を割断し、ワーク１０を完全に分割する。 （もっと読む）

【課題】 切断対象となる加工対象物の材料に左右されず、その加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１２の主面が（１００）面となっているため、溶融処理領域１３を起点として発生した亀裂１７は、シリコン基板１２の劈開方向（シリコン基板１２の主面と直交する方向）に伸展する。このとき、加工対象物１Ａの裏面１ｂと分断用加工対象物１０Ａの表面１０ａとが陽極接合によって接合されているため、亀裂１７は、連続的に且つその方向を殆ど変えることなく、加工対象物１Ａの表面１ａに到達する。しかも、分断用加工対象物１０Ａに応力を生じさせる際には、亀裂１７が分断用加工対象物１０Ａの裏面１０ｂに到達しているため、亀裂１７は、加工対象物１Ａ側に容易に伸展する。 （もっと読む）

レーザスクライビング加工により工作物中に形成されるセグメントのステッチポイントを、スキャナの速度、ならびにリードイン間隔、リーアウト間隔、および重畳間隔を与えるためなどのレーザの切替え時点といった面を制御することにより、改善することが可能となる。さらに、ステッチポイントの位置を、既存の線と一致するように選択することが可能であり、これにより、既存の線が、オフセットが生じた場合にセグメント同士を接続するように機能する。
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【課題】各加工ラインに沿って均一な加工を効率良く行うことができ、しかも加工品質を向上させることができるレーザ加工用の光学系及びそれを備えたレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光学系は、レーザ光源１１から発せられた前記レーザビームを、断面形状が楕円形状である楕円レーザビームに変換する一対のプリズム１３２と、一対のプリズム１３２によって変換される前記楕円レーザビームの楕円状断面における長軸方向の長さを変化させるプリズム回転機構１３３ａ，１３３ｂと、前記一対のプリズム１３２によって変換される前記楕円レーザビームの楕円状断面における長軸方向に沿って前記一対のプリズム１３２を平行移動させるプリズム移動機構１４と、前記楕円レーザビームを被加工物に向けて集光する集光レンズ１６と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、集光ビーム（４０）を介して層（３２、３４）内及び／又は層上にパターン（２０、２２、２４）を生成するパターニング装置（１０、１２）に関する。パターニング装置は、集光ビーム（４０）を生成する光源（５０）、集光ビーム（４０）を複数の集光サブビーム（４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ）に分光する回折光学要素（６０）、及びパターンを生成するために複数の集光サブビームに対して層を位置決めする位置決め手段（７０）を有する。集光サブビームは、層内及び／又は層上にパターンを生成するよう構成される。複数の集光サブビームのうちの少なくとも２つのサブビームは、実質的に等しい強度を有する。本発明によるパターニング装置の効果は、単一の集光ビームが複数の集光サブビームに分光され、複数の集光サブビームを用いて比較的大面積をパターニングするマルチスポットのパターニングを生成することである。従って、このような領域をパターンで満たすため及び層内及び／又は層上にパターンを生成するためのパターニング時間は、大幅に短縮される。
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【課題】深い開先を取らずに、外側からの溶接のみで溶接部の未溶着をなくし、溶接部の強度を高くし、疲労強度を高くする。
【解決手段】油圧ショベル１０のアタッチメント１を構成するブーム４０のブーム本体４１は、上板４５、下板４６、側板４７、および、側板４８をハイブリッド溶接により溶接したものである。このハイブリッド溶接はアーク溶接およびレーザ溶接のいずれか一方のみなされた場合に比べ、溶け込みを深くし得る。よって、アタッチメント１の外側からの溶接のみで、溶接部４１ｗの未溶着をなくし得る。よって、この未溶着をなくした場合は、この未溶着がある場合に比べ、溶接部４１ｗの強度を高くできる。したがって、この未溶着がある場合に比べ、アタッチメント１の疲労強度を高くし得る。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板とを接続するためのはんだを適切に溶解させることができるはんだ溶解方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ（Ball Grid Array）のはんだボールが、縦横方向にｎ×ｎ個配列されている場合に、はんだボールの配列方向に対して角度θだけ傾けた角度（図中“Ａ”）でレーザビームを照射する。レーザビームの照射点を、方向“Ａ”に交わる方向（図中“Ｂ”）に移動させることで、全てのはんだボールにレーザビームが照射されるようにする。 （もっと読む）