【課題】エッチング液を用いてワークをレーザ加工する際に、カーフロスを抑え、特にエッチング液にレーザ吸収用の添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第４工程を含んでいる。第１工程は、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの加工領域がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程はワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク上面からレーザを照射する。第３工程はレーザの集光点を加工方向に沿って走査してワーク下面に溝を形成する。第４工程は、レーザの集光点を、溝の底面に移動させ、溝が形成された方向に沿って走査して溝をワーク上面に向かって深くする。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークをレーザ加工する際に、カーフロスを抑え、特にエッチング液に色素としての添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】この加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第３工程を含んでいる。第１工程は、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの少なくとも下面がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程は、ワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク表面からレーザを照射する。第３工程は、ワークとレーザとを相対的に移動させてワークを加工する。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークに孔あけ加工する際に、大掛かりな設備を必要とせず、エッチング液にレーザ吸収用の添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第３工程を含んでいる。第１工程では、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの加工領域がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程ではワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク上面からレーザを照射する。第３工程では、レーザの集光点を、環状の軌跡に沿って走査するとともにワークに対して上下方向に相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ１０と、半導体チップ１０を封止する樹脂２０と、を備え、半導体チップ１０の一面１０ａの一部が露出部１１として樹脂２０より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ１０の一面１０ａ側にて、露出部１１の周囲に位置する樹脂２０は、露出部１１側が広く露出部１１から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴２２とされた錐体形状をなす空間部２１を形成しており、露出部１１は空間部２１に位置し、穴２２を介して樹脂２０の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】エンジン部品の表面に耐磨耗性に優れた合金層をコーティングし、部品寿命を向上させる表面硬化方法を提案する。
【解決手段】内燃機関用鋳鉄製シリンダヘッドのバルブシート部の表面硬化方法において、乾燥させた内燃機関用鋳鉄製シリンダヘッド１５のバルブシート部１９の塗膜の上に、黒鉛粉末をシンナー等の溶剤で希釈した吸収剤１０を塗布被覆し、レーザあるいは電子ビームの照射時に、ＭＣ系炭化物を焼結し、金属粉末の鋳鉄母材への拡散を促進させることにより、前記バルブシート部１９に合金層２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で、クロススクライブによる分断の工程数を少なくする。
【解決手段】この分断方法は、強化ガラスをクロススクライブにより分断する方法であって、第１〜第４工程を含んでいる。第１工程は、ガラス基板において第１方向に延びる第１分断予定ラインの端部に亀裂進展を規制するための処理を施す。第２工程は、ガラス基板に対して、第１分断予定ラインに沿って、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、第１分断予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する。第３工程は、ガラス基板に対して、第２方向に延びる第２分断予定ラインに沿ってガラス基板の一端縁から他端縁まで、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、第２分断予定ラインに沿ってガラス基板を分断する。第４工程は第３工程によって分断されたガラス基板を第１分断予定ラインに沿って分断する。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な金属板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 金属板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す金属板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき金属板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された金属板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エンジン部品としての鋳鉄製シリンダブロックのライナ表面部の硬化処理方法を提供する。
【解決手段】内燃機関用鋳鉄製シリンダブロックのライナ表面部の硬化方法において、乾燥させたシリンダブロック２５の内壁のライナ表面部２６の塗膜の上に、黒鉛粉末をシンナー等の溶剤で希釈した吸収剤１０を塗布被覆し、レーザあるいは電子ビームの照射時に、ＭＣ系炭化物を焼結し、金属粉末の鋳鉄母材への拡散を促進させることにより、前記シリンダブロック２５の内壁のライナ表面部２６に合金層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な金属板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 金属板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す金属板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき金属板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された金属板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）