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【課題】
本発明は、分岐光学ヘッドの取付け調整の容易な、または分岐光学ヘッドの光軸の位置ズレを容易に検出できる太陽電池パネル製造装置または太陽電池パネル製造方法或いはレーザ加工装置またはレーザ加工方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、複数のレーザ光に分岐する分岐光学ユニットにレーザ光を導入し、太陽電池膜を構成する膜に前記分岐されたレーザ光を照射して前記膜の一部を除去し、前記膜にスクライブを形成する太陽電池パネル製造装置または太陽電池パネル製造方法において、前記導入されたレーザ光の撮像し、撮像結果に基づいて前記導入光軸の位置を検出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板表面の構造に拘わらず,所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Lを基板Wの側方に配置し,そのレーザ光を基板Wの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって,基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって,上記レーザ光の照射により励起した部位Exに量子ドットが形成される。 (もっと読む)


【課題】穴開け加工が施された後に焼結が行われたセラミック基板に対して、穴の中心間を高精度に繋ぐように切断して分割することができる分割方法を提供する。
【解決手段】穴開け加工されたセラミック基板1の表面に保護膜10を形成してから、撮像手段30で表面側を撮像して各穴3の座標位置を検出して穴位置情報として記憶し、さらに穴位置情報に基づいて穴3の中心座標3Aを求めて記憶する。そして、隣り合う穴3の中心座標3Aを直線で結ぶ一次関数を算出し、該一次関数に基づいて隣り合う穴3の中心座標3Aを次々と繋ぐようにレーザビームLBを照射してアブレーション加工を施し、セラミック基板1をチップ7に分割する。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池のLaser Edge Deletionにおいて、積層膜を確実に除去して仕上がりを美麗にする。
【解決手段】TCO膜7、a−Si及びμc−Siを含むシリコン膜の発電層8、並びに裏面電極膜9を積層した多重積層型の薄膜太陽電池に対し、μc−Siが吸収する波長帯(500nmないし900nm)に属する半導体レーザ光2を発電層8に照射することで発電層8及び裏面電極膜9を除去するとともに、TCO膜7が吸収する波長帯(1030nmないし1100nm)に属する固体レーザ光1をTCO膜7に照射することで残りのTCO膜7を除去することとした。 (もっと読む)


【課題】 電極板の基板と集電板との溶接を好適に行うことのできる溶接方法および電池の製造方法および電池を提供すること。
【解決手段】 正極集電板110を積層電極体100の正極非充填部P2に溶接する際に,トップハット型のレーザを用いる。そして,そのレーザの照射径Φは,狙いとする溶接幅D1の4〜7倍である。この溶接により製造された電池セル10における正極集電板110の表側の熱影響部の幅は,正極集電板110の裏側の溶接幅の4〜7倍である。負極についても同様である。 (もっと読む)


【課題】導電性・絶縁性試料を問わず試料に損傷を与えることなくナノメートルオーダー精度での加工を実現することができ、かつ従来手法に比べ効率に優れ、加工時間の短縮・簡便化を図ることができる試料の微細加工方法を提供する。
【解決手段】超高真空下において、試料多層膜構造を有する試料の被加工部に、高電界を形成すると共に、レーザー光13を照射して、光励起電界蒸発を行わせることによりその原子構造に損傷を与えることなく微細加工する。このとき、高電界を形成するための電極11aとして、レーザー光の行路となるピンホール12が設けられた電極を用いることが好ましい。光ファイバーを通してパルスレーザー光を照射することが好ましい。また、レーザー光として、パルスレーザー光を用いることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 レーザ溶接時の溶接クラックを低減することが可能な溶接方法、この溶接方法を用いた電池及び組電池の製造方法、これらの方法で製造された電池を提供する。
【解決手段】 実施形態によれば、電池の端子と接続バー13とをレーザ溶接する溶接方法が提供される。レーザ溶接を溶接軌跡が複数に分割され、かつ分割された溶接軌跡161〜164それぞれの終端171〜174が、隣接する溶接軌跡の始端と重なるように行う。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工方法において、加工速度の向上を図る。
【解決手段】本レーザ加工方法では、レーザ光を照射し、マスク501に形成されたパターンを介し、結像レンズ506を経て、基板600上に像を照射する。なお、一度のパルス照射で、基板600上には、複数の像が投影される。そして、一度に基板600上に照射される像間の間隔を調整し、マスク501と基板600の、1パルス間の相対移動量を当該間隔にあわせて調整し、そして、スキャン速度を調整する。これにより、スキャン速度を向上でき、生産性の向上に寄与できる。 (もっと読む)


【課題】第1部材と第2部材とを溶接することができ、かつ、溶接後の第1部材の腐食を抑制することができる溶接方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様は、外装缶10と電極集電板20とを重ね合わせた状態で外装缶10における電極集電板20との接触面とは反対側の面からYAGレーザを照射して外装缶10と電極集電板20とのレーザ溶接を行う溶接方法において、YAGレーザの出力エネルギをWとし、YAGレーザの照射時間をTとし、YAGレーザの照射回数をnとし、YAGレーザの照射面積をSとし、電極集電板20における溶け込み量をThとし、外装缶10の比重をSGとし、外装缶10の融点をMpとし、外装缶10の定圧比熱をCpとし、Y=(W×T×n)/(S×Th×SG×Mp×Cp)とするときに、193≦Y≦2540の条件を満たすこと、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高いガラス溶着体を製造することができるガラス溶着方法を提供する。
【解決手段】 入熱量変化領域R1において入熱量を漸増させる。このため、エッジ部分E1及び入熱量変化領域R1において、ガラス層3やガラス基板40,50にクラックが生じることが防止される。しかも、入熱量変化領域R1に照射領域を初めて通過させるときに、照射領域の移動速度を漸減させる。これにより、入熱量変化領域R1において溶融再固化領域M1が末広がり状に形成される。この入熱量変化領域R1に照射領域を再度通過させることにより、有効部分同士を確実に封止できる。さらに、入熱量変化領域R2に照射領域を通過させるときに入熱量を減少させる。このため、別のガラス層3に照射領域を進入させるときに、エッジ部分E1においてガラス層3やガラス基板40,50にクラックが生じることが防止される。よって、信頼性の高いガラス溶着体を製造できる。 (もっと読む)


【課題】被加工物を高速かつ高精度に加工することができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物100を載置する加工ステージ1と、被加工物100にレーザ光を照射するレーザ光照射手段2と、レーザ光を被加工物100上の所定のラインに沿って走査させるレーザ光走査手段と、レーザ光の走査ラインに沿って、該ライン上の非加工部分を覆うように配設される複数のマスク6と、1つのラインの加工が終了して次の加工ラインに沿って前記レーザ光の走査ラインが変更されるとき、該走査ラインに整合するように前記マスクを移動させるマスク移動手段4,5とを備えるレーザ加工装置を用いて、被加工物を所定パターンにレーザ加工する。 (もっと読む)


【課題】加工対象物内部のクラックの発生を制限可能なレーザ加工を行う。
【解決手段】
レーザ加工装置1は、ガラス又は水晶を加工対象物50としてレーザ加工する装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源12と、レーザ光の出射条件を制御する制御手段10と、レーザ光を加工対象物に集光する集光手段16、19とを備え、制御手段は、(i)ガラスを加工対象物とする場合、レーザ光のパルスピーク出力を、平均出力に対して25倍以上、(ii)水晶を加工対象物とする場合、レーザ光のパルスピーク出力を、平均出力に対して6倍以上となるようレーザ光の出射条件を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板1と前記材料層2との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板1上に材料層2が形成されたワーク3に対し、基板1を通して、パルスレーザ光をワーク3に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク3において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。前記ワークへのパルスレーザ光の照射領域は、該照射領域の面積をS(mm)、照射領域の周囲長をL(mm)としたとき、S/L≦0.125の関係を満たすように設定される。これによって、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 (もっと読む)


【解決手段】 割断予定線Spに沿って脆性材料1の表面に複数のディンプルDを形成するディンプル形成手段と、脆性材料1の表面にスクライブ線Sを形成するカッター31とを備え、
割断予定線Spに沿って脆性材料1の表面に複数のディンプルDを形成し、その後、該ディンプルDの形成された割断予定線Spに沿って脆性材料とカッター31とを相対移動させて、脆性材料1の表面にスクライブ線Sを形成する。
【効果】 カレットや水平クラックの発生を抑えるとともに、スクライブ線Sからの亀裂を深く進展させることができる。 (もっと読む)


【課題】エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスを有する光デバイスウエーハWの加工方法で、光デバイスウエーハの表面を保護膜98で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝102を形成する溝形成ステップと、該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施し、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与し該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池等の積層基板における金属膜に溝を形成する際に、良好な絶縁性を維持し、かつ溝の端部不良を抑える。
【解決手段】この積層基板の溝加工方法は、基板上に形成された金属薄膜の一部を除去して溝を形成するための方法であって、レーザビーム照射工程と、レーザビーム走査工程と、を備えている。レーザビーム照射工程は、金属薄膜の溝予定ライン上に、矩形のレーザビームを照射する。レーザビーム走査工程は、レーザビームを、ビーム重なり率が60%を越え85%以下の範囲になるように溝予定ラインに沿って走査する。 (もっと読む)


【課題】レーザ溶接により板状の第1の被溶接部材を第2の被溶接部材に隅肉溶接するレーザ隅肉溶接方法において、両被接合部材の位置精度を確保しつつ、接合信頼性の高い隅肉溶接を実現する。
【解決手段】第1の被溶接部材10のうち端部よりも内側に寄った部位に貫通穴40を設け、第1の被溶接部材10を第2の被溶接部材20の一面21上に重ねてなる重なり状態においては、貫通穴40を第2の被溶接部材20の一面21上に位置させて貫通穴40の側面41を第2の被溶接部材20の一面21と交差する第1の被溶接部材10の面としてレーザ溶接を行うとともに、第2の被溶接部材20の一面21に突起50を設け、重なり状態において、突起50に第1の被溶接部材10を当てることにより、第2の被溶接部材20の一面21上に重ねられる第1の被溶接部材10の位置を規定する。 (もっと読む)


【課題】ディスプレイ用光学フィルタとしての機能層を有する機能性パネルにおいて、良好な電磁波シールド性を有し、安定したアース電極を露出させるために好適なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】予め所定の位置に位置決め配置されるワークの表面にレーザを照射することにより表面を加工するレーザ加工装置であって、レーザを出力するレーザ発振手段と、レーザ発振手段からワークの表面までのレーザの進行する経路を規定するレーザ案内手段と、レーザ案内手段をワークに対して相対的に移動させる移動手段と、レーザの出力を制御するレーザ制御手段とを備え、レーザ制御手段が、ワークに対するレーザの移動速度に対応し、単位面積におけるメッシュの露出密度が一定範囲内となるようにレーザの照射する時間を制御する構成とした。 (もっと読む)


【課題】レーザ発生装置から出射したレーザ光を加工の影響なく同じものとして加工位置まで分岐導入すると共にレーザ発生装置の交換に伴う光学系の調整を容易に行なえるようにする。
【解決手段】レーザ発生装置から出射したレーザ光を加工位置まで導入するのに光ファイバガイドを用い、分岐後のレーザ光を光ファイバガイドで加工位置まで導入するようにした。光ファイバガイドは、フレキシブルに変形可能なので、レーザ光を加工位置まで容易に導入することができる。また、レーザ光の分岐光学系をレーザ発生装置の直後に設けてあるので、レーザ発生装置を交換する場合に、光ファイバガイドのレーザ光入射部とレーザ発生装置との光軸を調整すると共に分岐光学系を同時に調整するだけでよくなり、レーザ発生装置交換に伴う光学系の調整が容易になる。 (もっと読む)


【課題】半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。
【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの10%から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が35n秒以下、最大高さから最大高さの10%に至るまでの立ち下がり時間が80n秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。 (もっと読む)


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