【課題】インゴットからできる限り少ない切り代で薄い基板を製造することができる基板製造方法および基板製造装置を提供する。
【解決手段】インゴットＡの内部に集光点を合わせてレーザー装置２からレーザー光３を照射し、照射したレーザー光３をインゴットＡに対して相対的に移動させて走査することにより、インゴットＡの内部に面状の加工領域Ｆを形成し、加工領域Ｆを剥離面にして基板Ｓを得る基板製造方法であって、インゴットＡに応力を印加しながらレーザー光３を照射するように構成している。また、この基板製造方法により基板Ｓを得る基板製造装置であって、インゴットＡにレーザー光３を照射するレーザー装置２と、照射したレーザー光３をインゴットＡの内部に集光点を合わせて集光させる集光レンズ４と、レーザー装置２の光軸とインゴットＡとを２次元方向に相対的に移動させる移動手段と、を備えている。 （もっと読む）

本発明の方法及びシステムは、複数のレーザビームを使って、半導体基板（７４０）の上又は内部の導電性のあるリンクを加工する。例えば本発明の方法は、２又は３以上のＮについて、スループットの利益を得るためにＮ組のレーザパルスを使う。前記リンクは、ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列をなして配置される。前記Ｎ組のレーザパルスは選択された構造の上に投射するまでＮ本のそれぞれのビーム光軸に沿って伝搬する。得られたレーザビームスポットのパターンは、Ｎ本の別個の列内のリンクか、同一の列内の別個のリンクか、同一のリンクかの上に、部分的に重複するか完全に重複するかのいずれかである。得られたレーザスポットは、互いからの前記列の長手方向のオフセットと、前記列の長手方向と垂直な方向のオフセットとの一方又は両方を有する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子ウェハーの製造方法において、極めて高い歩留まりで正確に切断することができ、さらに加工速度が速く、生産性を改善させることができる化合物半導体素子ウェハーの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の化合物半導体素子が分離帯域を介して配列された化合物半導体素子ウェハーの製造方法であって、その分離帯域の基板表面（半導体側）に、化合物半導体層が存在する状態でレーザー法により割溝を形成することを特徴とする化合物半導体素子ウェハーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体発光素子を高精度に歩留り良く分割するするとともに、光取り出し効率の良い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】 サファイア基板１１上にｐ型伝導型窒化物半導体層２１及びｎ型伝導型窒化物半導体層２０が積層されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１０は、レーザ光遮蔽カバーを被せて窒化物半導体発光素子１０の半導体層２１側へレーザ光を照射し、Ｖ字型断面の溝２３を形成する工程と、エッチングカバー２４を被せてドライエッチングで溝２３周辺の半導体層を除去する工程と、溝２３を起点として窒化物半導体発光素子１０を分割する工程とを備えた製造方法によって作製される。 （もっと読む）

【課題】 被照射物に照射するレーザ光の分布と被照射物の温度分布との不一致に起因して結晶性が悪くなるのを抑えて、良好な結晶性が得られるレーザビーム投影マスクを提供する。
【解決手段】 このレーザビーム投影マスク１４は、透過エリアとしての長方形状の３つのスリット２５,２６,２７を有する。この３つのスリット２５,２６,２７は、図２(Ｃ)において矢印Ｘで示すＸ方向に所定の間隔を隔てて順次形成されており、スリット２５、スリット２６、スリット２７の順に上記Ｘ方向の幅が小さくなっている。すなわち、上記透過エリアの透過率は、図２(Ｂ)に示すシリコン膜４の温度分布曲線Ｖ１に対応して変化している。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光が照射されたとしてもアブレーション現象の発生を抑制し，被加工物に貼り付けられたテープの溶融を防止可能な，被加工物保持装置を提供すること。
【解決手段】 テープが貼り付けられた被加工物にレーザ光を照射して被加工物を加工するレーザ加工装置に使用される被加工物保持装置３６が提供される。この被加工物保持装置３６では，被加工物のテープが貼り付けられた面を保持する被加工物保持部３６１を備え，この被加工物保持部３６１の少なくとも保持面３６１ａ側の材質は，ＰＴＦＥであることを特徴とする。かかる構成により，被加工物保持部３６１の保持面３６１ａは，ビームエネルギーの吸収率が小さいＰＴＦＥで形成されているので，レーザ光の照射を受けたとしても，アブレーション現象が発生しにくい。このため，被加工物保持部３６１が過度に加熱されないので，被加工物に貼り付けられたテープが溶融することがない。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工時に発生するシリカによる作業性の低下を改善し、且つ保護ガラス等の損傷を防止して安定した作業を行うことができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１は、レーザ部２、レーザ加工部３、及び集塵部４を有している。レーザ加工部３は、上部カバー２１、下部カバー２２、カバードア２３、交換用ガラス２４、交換用ガラスガイド２５、飛散シリカ受け部２６、上部飛散防止板２７、及び下部飛散防止板２８を有している。交換可能な交換用ガラス２４は、下部カバー２２上部裏面中央部に設けられ、交換用ガラスガイド２５で下部カバー２２上部裏面に固定され、レーザ光を透過する。飛散シリカ受け部２６は、下部カバー２２側面に固定され、レーザ光が透過する部分の周辺四方向には上部飛散防止板２７及び下部飛散防止板２８が垂直方向に設けられている。飛散したシリカは飛散シリカ受け部２６の上面に堆積される。 （もっと読む）

【課題】 対物レンズの製造精度を高くすることなく、線状プロファイルでの均一照射を行うことができる照射装置を提供する。
【構成】 ＬＤアレイ１の各エミッタ１ａより射出されたビームは、アレイ方向（第１方向）の成分がシリンドリカルレンズアレイ２により集光される一方、アレイ方向に垂直な方向（第２方向）の成分がシリンドリカルコリメータレンズ３によりコリメートされる。コリメートされたビームは、シリンドリカルレンズ４Ａと球面レンズ系４Ｂで構成された対物レンズ４によって第２方向成分が被照射面５に集光される。各ビームの第１方向の成分は、シリンドリカルレンズ４Ａによって、隣り合うビーム同士が被照射面５上で互いに重なり合うように集光され、線状プロファイルとなる。 （もっと読む）

本発明は、液体ジェット（７）中に入射されるレーザ光線（６）を用いてウェハ（２）を複数のチップに切断する装置（１）に関する。ブラスト効果を有する薄い流動液体層（９）が、ウェハ（２）の表面（５）上に生成される。これは、レーザ切断中に生じる噴出物がウェハの表面に再び堆積するのを防止することを可能にする。その結果、切断プロセス後の表面の清浄度が非常に高くなる。液体層（９）は、特に、加工点（８）の周りの加工領域（１０）内の方が加工領域（１０）の外側よりも薄くなるように生成される。これにより、材料を除去するのに十分なレーザエネルギーがウェハ表面に当たるように、液体層が加工点（８）において十分に薄い（１４）ことが確実になるとともに、ウェハ（２）の表面（５）のいかなる領域も乾燥しないように、液体層が加工領域の外側において十分に厚い（１５）ことが確実になる。
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対象物の加工時に発生する副産物を最小化して加工効率を向上させるためのレーザー加工装置を開示する。レーザー加工装置は、レーザー光源からレーザービームを照射するためのビーム照射器と、ビーム照射器から出射するレーザー光を対象物加工位置の指定の区間に直線状に繰り返し走査するためのビームスキャナと、ビームスキャナから出射するレーザービームの焦点を一定にするための集光レンズとを含む。対象物を加工する間、対象物を加工方向に少なくとも１回移動させて対象物を加工する。本発明によれば、ハイブリッド駆動方式によって対象物の加工効率を向上させることができ、ビームスキャナミラーの回転転換点で照射されるレーザービームをフィルタリングするためのマスクによって対象物を均一に加工することができ、レーザービームのスポットを楕円形に成形して照射することで、レーザービームを連続して照射することができる。
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レーザパルスからなるバーストを使って材料をレーザ加工する方法。その方法は、加工される材料に照射された前のパルスで行われた熱的、物理的変化の正の効果を最大化するように、バーストに含まれる多重レーザパルスのパルス幅、パルス分離間隔、波長及び偏光を調整する。

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リフトオフ工程を用いて、材料層と基板との間の界面を照射することによって基板から材料層を分離する。一実施例では、層を、基板上のダイに対応する複数のセクションに分離し、均一なビームスポットを整数の数のセクションをカバーするような形状にする。
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共通の光学パスを用いて、コーティングされた表面（５０）にレーザパルスを供給し、コーティングされた表面から反射した照明光（３４）を、光検出器及び解析器に向けるコーティング除去装置を提供する。このコーティング除去装置は、レーザ光源（１２）、ビームスプリッタ（１４）、走査光学素子（１６）、不要物除去装置（２６）、１つ以上の照明器（１８）、光検出器（２０）、比較器（２２）及び制御論理回路（２４）を備える集積デバイスである。これに代えて、レーザ光源を集積デバイスの外部に設け、光ファイバを用いてレーザ光源を集積デバイスに接続してもよい。
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本発明は、一次レーザービーム（２）を発生するレーザー装置（１）を使用することによって、半導体材料のウェハ（１２）内に形成された半導体素子を分離する方法に関する。前記ウェハ（１２）に対する少なくとも第１格子構造を有する第１回折格子（４、１４）を使用し、少なくとも１つの一次レーザービーム（２）を前記第１格子構造（４、１４）に衝突させることによって、前記少なくとも１つの一次レーザービーム（２）を複数の二次レーザービーム（５）に分割する。前記レーザー装置（１）を前記ウェハ（１２）に対し第１方向に移動させることによって、少なくとも１つの第１切込み溝を形成する。この方法は更に、前記レーザー装置（１）を前記ウェハ（１２）に対し第２方向に移動させることによって、少なくとも１つの第２切込み溝を形成する工程を有する。この方法は、前記レーザー装置（１）を前記ウェハ（１２）に対し第２方向に移動させる工程の前に、前記第１格子構造（４、１４）を前記ウェハにする第２格子構造（４、１４）に変える工程を含む。本発明では、この方法に用いる装置および回折格子（４、１４）をも提供する。
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第１および第２の対向する表面を有し、第１および第２のデバイス領域を備える半導体基板を用いて半導体デバイスを形成する方法は、レーザ光のビームが第１の表面と第２の表面との間の基板内に焦点合わせされ、レーザ光のビームが基板に熱により弱化された区域（ＴＷＺ）を形成するように、レーザ光のビームを基板に方向付けることを含む。ＴＷＺは、第１のデバイス領域と第２のデバイス領域との間に広がり、分割ラインを画定する。

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陰イオンプラズマの存在下でマイクロエレクトロニクス素子のウエハの少なくとも相互接続層の部分をレーザーアブレーションすることでマイクロエレクトロニクス素子のウエハをダイシングする装置及び方法であって、陰イオンプラズマはレーザーアブレーションから発生する破片と反応して反応ガスを発生させる。
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本発明の方法およびレーザ装置は、加工物(20)上のターゲット位置(16)に光ビームの形態(28)で加熱エネルギを照射することにより、加工物から迅速な材料除去を行い、その寸法安定性を維持しながら温度を上昇させる。加工物のターゲット部が加熱される場合に、レーザビーム(12)は加熱されるターゲット位置上に入射するように向けられる。このレーザビームは、加工物からターゲット材料の除去を行うのに適切な加工レーザ出力を好適に有する。ターゲット位置上の加工レーザ出力および加熱エネルギの組み合わされた入射は、加工レーザ出力が、ターゲット材料が加熱されない時に実現可能な材料除去速度よりも高い材料除去速度で、ターゲット材料の一部を除去することを可能にする。
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【課題】
【解決手段】エネルギビーム機械加工システムは、エネルギビームを射出するための射出部と、システムの瞳サイズを複数の値に調節するためのズーム望遠鏡などのビーム調節光学系と、を備える。瞳サイズの調節は、自動、半自動、または手動で実行可能である。手動モードでは、瞳サイズの調節方法を示す指示が、（例えば、モニタや予めプログラムされた音声指示を介して）操作者に提供されてよい。集束レンズは、各光路に沿って方向付けられた調節後のビームを、集束レンズの視野に含まれる走査範囲内の異なる焦点に集束させる。ビーム方向付け光学系は、集束レンズの視野内で複数の走査範囲を実現するよう構成されている。 （もっと読む）