【課題】脆性材料基板をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにする。
【解決手段】この方法は、パルスレーザ光を基板に照射してスクライブする方法であって、まず、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を、基板に照射するとともに焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、基板の厚み方向に進展する線状加工痕を形成する。次に、線状加工痕が所定の位置まで進展したとき、レーザ光の基板への照射を停止する。さらに、レーザ光の基板照射が停止された状態で、レーザ光の照射位置が所定距離移動されたとき、レーザ光の基板への照射を再開する。以上のレーザ光の脆性材料基板への照射及び走査、照射の停止、照射の再開の各処理を繰り返し実行することによって、複数の線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する、 （もっと読む）

【課題】半導体装置の機械強度を向上させながら、半導体装置の裏面にマークを形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、半導体基板の裏面１Ｘに研磨痕４及び破砕層５によって形成されたマーク６を備え、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されているものとする。 （もっと読む）

【課題】割断時にレーザ照射による変質層及びダイシング溝の利用により、割断ラインが蛇行せず、意図する部位で精度よく割断でき、また、得られた発光素子のダイシング溝に起因する凹部を利用して、簡便かつ確実に発光素子の光出力を向上させることができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子、前記サファイア基板の前記第２主面が接合されて前記発光素子が載置されるパッケージ及び蛍光体が含有され、かつ前記発光素子を封止する封止部材を含む発光装置であって、前記サファイア基板は、前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置し、かつ前記サファイア基板の１つの曲面と前記パッケージとからなる凹部を有しており、該凹部内に前記蛍光体が配置されている発光装置。 （もっと読む）

【課題】安価な低出力のレーザを利用して、高品質の識別コードや任意のパターンを形成するマーキング装置及び方法を提供する。
【解決手段】感光剤が塗布された基板上の所定の位置に識別コードを露光マーキングする装置及び方法であって、識別コードに対応するドットパターン生成部と、ドットパターンのドット部を感光させるためのレーザ光線照射部と、基板の所定位置におけるドットパターンのドット部にレーザ光線を偏向させる光線偏向部とを備え、ドット部一箇所に対してレーザ光線を複数回照射でき、ドットパターンの各ドット毎に識別コードの各ドット部の径が現像後に同じになるように、レーザ光線を照射すべき回数を登録し、ドット部一箇所に対してレーザ光線を照射した回数を計数し、照射規定回数だけ各ドット部にレーザ光線を照射する機能を備えたことを特徴とする、識別コードの露光マーキング装置及び方法。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することを可能にするレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１００は、載置台１０７と、レーザ光源１０１と、レーザ光源１０１で発生されたパルスレーザ光Ｌを、載置台１０７に載置されたウェハ２に集光する集光用レンズ１０５と、制御部１２７と、を備える。ウェハ２における基板の厚さが５０μｍ〜２００μｍの場合において、制御部１２７は、予め決定されたデータに基づいて該基板の内部に集光点Ｐを合わせて基板にパルスレーザ光Ｌを照射させ、形成される改質部分を切断予定ライン５に沿って該基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断予定ライン５の延びる方向に断続的に複数形成させることで、改質領域を該基板の内部にのみ形成させる。 （もっと読む）

【課題】ハードウエア調整の作業負担を軽減する。
【解決手段】照射ライン（ｓ）と重ならない測定ライン（ｈ）の表面高さ（Ｈ）を測定し、一つの照射ライン（ｓ）の最近傍の少なくとも２つの測定ライン（ｈ）の実測表面高さを基に照射ライン（ｓ）の表面高さを算出し、該表面高さにフォーカスさせる。
【効果】照射ラインと測定ラインの位置関係から照射ラインの表面高さを演算により算出するが、照射ラインと測定ラインの位置関係は例えばエンコーダにより容易に知ることが出来るので、測定ラインを照射ラインに合致させるためのハードウエア調整の必要がなく、作業負担を軽減できる。照射ラインｓのピッチＰが変わっても、その都度、ハードウエア調整を行う必要がなく、作業負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】切断端面の形状が良好でコストの増大を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】この発明に従ったレーザ加工方法は、加工対象材を準備する工程（Ｓ１０）と、加工対象材にレーザ光を照射することにより、加工対象材に改質領域を形成する工程（Ｓ２０）とを備える。上記工程（Ｓ２０）では、連続スペクトルを有するパルス状のレーザ光をレンズで集光することにより、レーザ光の連続スペクトルを形成する所定バンドの複数の焦点により構成される集光線が形成され、当該集光線の少なくとも一部が加工対象材の表面に位置するように、レーザ光を加工対象材に照射し、集光線の軸線上に改質領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの厚さ、不純物のドープ量等によって、赤外線の吸収量が変動して、表面に形成されているパターンの認識、及びストリート位置の検出が困難になる。
【解決手段】 表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、チップ領域の間にストリートとが画定された半導体ウエハの表面に、ストリートに沿って溝を形成する。半導体ウエハの裏面から、半導体ウエハを通して溝の位置を検出する。溝が検出された位置に基づいて、半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射させることにより、溝に対応する位置の半導体ウエハを改質させて改質領域を形成する。溝及び改質領域の位置で、半導体ウエハを小片に分離する。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームがウエーハをオーバーランしてもダイシングテープが溶融及び酸化することのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着し、ウエーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持工程と、環状フレームに支持されたウエーハをダイシングテープを介してレーザ加工装置のチャックテーブルで吸引保持する保持工程と、第１の強度のレーザビームを分割予定ラインに対応する領域に照射してウエーハの表面に分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割予定ラインの延長線上の外周余剰領域に該第１の強度より低く該ダイシングテープを溶融しない第２の強度のレーザビームを照射して、分割を誘導する誘導溝を形成する誘導溝形成工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハを容易に切断できる切断方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ２ａの内部に集光点を合わせて、集光点のピークパワー密度が１×１０⁸（Ｗ／ｃｍ²）以上の条件でパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光を切断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより、切断予定ラインに沿ってシリコンウェハ２ａの内部に溶融処理領域２１１ａを形成すると共に、シリコンウェハ２ａの内部であって溶融処理領域２１１ａを挟んでパルスレーザ光の入射側とは反対側に、切断予定ラインに沿って相互に離隔するように複数の微小空洞２１１ｂを形成する。このとき、パルスレーザ光のパルスピッチは２．００μｍ〜７．００μｍである。そして、溶融処理領域２１１ａと微小空洞２１１ｂとからなる改質領域２１１を起点として割れを発生させ、切断予定ラインに沿ってシリコンウェハ２ａを切断する。 （もっと読む）

【課題】リチウムタンタレート(LiTaO₃)やリチウムナイオベート(LiNbO₃)等の非線形結晶基板であってもクラックが発生することなくレーザー加工溝を形成することができる非線形結晶基板のレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】非線形結晶基板の被加工面に分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、レーザー加工溝を形成する非線形結晶基板のレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は、パルス幅が２００ps以下に設定され、繰り返し周波数が５０kHz以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】被加工物の厚みにバラツキがあっても、深さが均一なレーザー加工溝を形成することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線照射手段と、チャックテーブルの加工送り手段と、チャックテーブルの割り出し送り手段と、チャックテーブルのX軸方向位置（X座標）検出手段と、チャックテーブルのY軸方向位置（Y座標）検出手段とを具備するレーザー加工装置であって、チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出手段と、X軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて出力調整手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は高さ位置検出手段とX軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいてチャックテーブルに保持された被加工物のXY座標における高さ位置情報を記憶する記憶手段を具備し、記憶手段に記憶された高さ位置情報に基づいて出力調整手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光をワークに照射することによりワークから発生する種々の粒塵による悪影響を除去すること。
【解決手段】ワークステージ１０のステージ部１１の周縁に、環状外壁部２１ｂと天井壁部２１ａから構成される環状壁部２１が設置され、ステージ部１１には、排気機構に連結する排出口１２が複数箇所に設けられている。この排出口１２には配管２２を介して例えばポンプやファンなどの排気機構が連結され、環状壁部２１内の空気を吸引する。ワーク１にレーザ光を照射することにより、そのエッジ部からガスと一緒に、環状外壁部２１ｂと天井壁部２１ａとで区切られた内部空間Ａに噴き出された粒塵は、排出口１２に向かう流体の流れにより、ステージ部１１に設けられた排出口１２から排出される。 （もっと読む）

【課題】 大型の被加工物を精度良く分割可能な加工装置を提供することである。
【解決手段】 加工装置であって、第１及び第２チャックテーブルと、第１及び第２加工手段を含んでいる。第１及び第２チャックテーブルは保持面が連続する合体位置と、離間位置とに位置付け手段により位置付けられる。第１及び第２チャックテーブルを合体位置に位置付けた状態で被加工物を第１及び第２チャックテーブル上に搭載し、分割手段で被加工物を第１及び第２被加工物に分割する。第１被加工物を第１加工手段で加工し、第２被加工物を第２加工手段で加工する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ表面にダイシングテープを貼着することなくウエーハ内部にストリートに沿った変質層を形成可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】表面に形成された複数のストリートに沿ってレーザ光を照射し、ウエーハ１０の内部に変質層を形成するレーザ加工装置であって、ダイシングテープ１２を装着した環状フレーム１１に貼着されたウエーハの保持面を有するチャックテーブル６と、ウエーハとダイシングテープに対して透過性を有する波長のレーザ光を照射するレーザ照射手段の集光器７２と、チャックテーブルと集光器とを相対的に移動する移動手段とを具備し、ウエーハ保持部は透明部材によって形成され、チャックテーブルはウエーハ保持部の保持面を下側にしてダイシングテープに貼着されたウエーハをに保持し、レーザ光はチャックテーブルのウエーハ保持部の上側からウエーハ保持部およびダイシングテープを通してウエーハに照射される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣウェハへのレーザマーキングにおいて、刻印したパターンの高い視認性を確保しつつ、パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】ＳｉＣウェハ１００への識別子１０１のマーキングは、ＹＡＧレーザの４倍高調波を用いたパルスレーザの照射によって行われる。その際、パルスレーザのパルス毎のパルス照射痕１が、互いに重ならないように、レーザヘッドが移動する速度および軌道、照射するパルスレーザの出力パワーおよびＱスイッチ周波数等が設定される。 （もっと読む）

【課題】ストリート幅を大きくすること無く、またウエーハの表面にダイシングテープを貼着することなくウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】変形したワークを破損させることなく保持して、レーザ光を照射してレーザリフトオフ処理をできるようにすること。
【解決手段】サファイア基板１ａと材料層１ｂとサポート基板１ｃが積層された、例えば下に凸に変形したワーク１が、ステージ２０に設けられた支持機構１０の支持棒１２上に３点で支持され載置される。ステージ２０は、コンベヤのような搬送機構２に載置され、搬送機構２によって所定の速度で搬送される。ワーク１は、ステージ２０と共に搬送されながら、基板１ａを通じて、図示しないパルスレーザ源から出射するパルスレーザ光Ｌが照射される。変形したワーク１を平面状に矯正することなく、変形した状態のまま支持して、レーザリフトオフ処理を行うようにしたので、ワークが大きく変形していてもワークを破損させることなく処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 チャックテーブルの枠体の高さ位置を被加工物の高さ位置だと誤認識することのないレーザ加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持する保持部と該保持部を囲繞する金属製の枠体とを含むチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の上面に真上から測定用レーザビームを照射し、被加工物の上面で真上に反射した該測定用レーザビームの反射光の受光によって被加工物の上面高さ位置を検出する検出手段と、を備えたレーザ加工装置であって、該金属製の枠体は真上から該測定用レーザビームが照射されても真上への反射を抑制する処理が施されていることを特徴とする。 （もっと読む）