【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点ＰをＳｉＣ基板１２の内部に合わせて、パルスピッチが１０μｍ〜１８μｍとなるように切断予定ライン５ａ，５ｍに沿ってレーザ光Ｌを加工対象物１に照射する。これにより、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って、切断の起点となる改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、第１の列数の改質領域７ａを形成する。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、第１の列数よりも少ない第２の列数の改質領域７ｍを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板上に材料層が形成されたワーク３に対し、基板を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる２辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射される。基板１から順次に剥離される剥離領域において、基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になり、かつ、ワークの移動方向と交差する方向に伸びる剥離辺Ａと、剥離済みの領域のワークの移動方向と平行方向に伸びる辺Ｂ´のなす角（未分解領域側から見た角θ１）が鈍角となるように、ワークに対して照射する。これにより、材料層２に割れを生じさせることなく材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】
レーザを用いた薄膜のスクライブにおいて、加工スポット間の重畳部でエネルギが過剰になることを防ぎ、下地へのダメージを発生させないようにすると共に、膜残りが発生しないようにスクライブ領域を加工することを可能にする。
【解決手段】
試料の表面に形成された薄膜にパルスレーザ光を試料の表面に対して相対的に走査しながら照射することで試料の表面から薄膜を部分的に除去加工する薄膜レーザパターニング方法及び装置において、パルスレーザを相対的に走査する方向に対して非対称なトップハット形状の強度分布を有するように成形し、この成形したパルスレーザの照射領域を一部重複させながら照射して相対的に走査することによりこの相対的に走査して照射した領域の薄膜を除去加工するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ａが、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ａよりも小さくなるようにする。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ｍが、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ｍよりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のレーザ光を照射して、シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を形成する。レーザ光は、パルス幅が１００ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光が好ましい。レーザ光の集光点の位置は、シリコンカーバイドの表面から上方１００μｍ〜表面から内部１００μｍの範囲内となるように調整される。 （もっと読む）

【課題】ヒートモードレジスト層を有する被加工物に対して、深さ方向の加工性が良好であり、アスペクト比が高く、高精細な微細穴乃至溝を効率よく形成可能な被加工物の加工方法の提供。
【解決手段】基材上にヒートモードレジスト層を形成するヒートモードレジスト層形成工程と、前記ヒートモードレジ スト層に対してレーザ光を複数回照射して微細穴乃至溝の形状を形成する微細穴乃至溝形成工程とを含む被加工物の加工方法である。該レーザ光の照射回数が、２回以上１，０００回以下である態様、レーザの線速が、１００ｍ／ｓ以下である態様などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さが５０μｍ〜２００μｍの基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し、溶融処理領域を含み且つ切断の起点となる改質領域７を基板１の内部にのみ形成し、基板１の表面３及び裏面２１には溝及びスクライブラインを形成することなく改質領域７から発生させた割れを表面３及び裏面２１に到達させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを当該割れによって切断する。 （もっと読む）

【課題】並行して使用するレーザ光のスポットの形状や大きさを簡単に個別に調整する。
【解決手段】レーザ光λａは、レンズ１２０ａにより結像位置Ｐ１ａにおいて結像した後、レンズ１２１ａによりコリメートされ、２波長性ミラー１２３に入射する。レーザ光λｂは、レンズ１２０ｂにより結像位置Ｐ１ｂにおいて結像した後、レンズ１２１ｂによりコリメートされ、全反射ミラー１２２により反射され、２波長性ミラー１２３に入射する。そして、レーザ光λａおよびレーザ光λｂは、２波長性ミラー１２３により光路が結合され、２波長性レンズ１２４により結像位置Ｐ２において結像する。本発明は、例えば、薄膜太陽電池パネルを加工するレーザ加工装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザビームを使って、半導体基板の上又は内部の導電性のあるリンクを加工する。
【解決手段】２又は３以上のＮについて、スループットの利益を得るためにＮ組のレーザパルスを使う。前記リンクは、ほぼ長手方向に延びる実質的に平行な複数の列５１０、５２０をなして配置される。前記Ｎ組のレーザパルスは選択された構造の上に投射するまでＮ本のそれぞれのビーム光軸に沿って伝搬する。得られたレーザビームスポットのパターンは、Ｎ本の別個の列内のリンクか、同一の列内の別個のリンクか、同一のリンクかの上に、部分的に重複するか完全に重複するかのいずれかである。得られたレーザスポットは、互いからの前記列の長手方向のオフセットと、前記列の長手方向と垂直な方向のオフセットとの一方又は両方を有する。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】アブレーションの発生を抑制すると共に加工対象物を精度よく切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】複数列の改質領域７のうち最も表面３側の改質領域７ｂ以外の改質領域７ａを形成する場合には、集光点がベベル部４ｘに位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＦＦとする。そして、集光点がベベル部４ｘよりも内側に位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＮとし、改質領域７ａを形成する。一方、最も表面３側の改質領域７ｂを形成する場合、集光点がベベル部４ｘに位置するとき、及び、集光点がベベル部４ｘよりも内側であって積層部１６の外縁１６ｅよりも外側に位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＦＦとする。そして、集光点が積層部１６の外縁１６ｅよりも内側に位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＮとし、改質領域７ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】ワーク内部にレーザー光線を集光して改質層を形成する加工装置において、厚さが規格外のワークが搬入されたことを加工前に検出する。
【解決手段】ワーク１を保持手段４０に搬入して保持した状態で、光学式の測定手段７０により、ワーク１の上面１ａの高さ位置を測定する第一の測定工程と基準面に設定した保護テープ１０の粘着面１０ａの高さ位置を測定する第二の測定工程とを行い、第一の測定工程と第二の測定工程とによって得られた値の差分によってワーク１の上面１ａから基準面までの距離を検出し、該距離に基づいて、搬入されたワーク１の厚さが規格外であるか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】被加工領域が一直線上に形成されていないワークの被加工領域に効率よくレーザー加工による改質層を形成できるようにする。
【解決手段】割り出し方向の位置がばらつき加工方向に平行に延びた複数の被加工領域７ａ〜７ｎが断続的に形成されたストリートＳ１からＳ３を有するワークＷを各ストリートに沿って分割加工する場合に、個々の被加工領域の割り出し方向と加工方向との座標を装置の記憶手段に記憶させ、記憶手段に記憶された被加工領域の座標に基づいて被加工領域へレーザー光線の照射を行い、照射位置が次の被加工領域が存在する加工方向の位置の座標に移動するまでの間レーザー光線の照射を停止し、その停止中に次に加工すべき被加工領域が存在する割り出し方向の位置の座標にレーザー光線の照射位置が一致するように補正し、レーザー光線の照射、停止及び補正を繰り返しながら、一度の加工送りで複数の被加工領域に断続的にレーザー照射を行い、生産性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する基板の内部にレーザー光線を照射し改質層を形成して基板を分割するにあたり、基板の内部にレーザー光線を十分に集光する。
【解決手段】貫通電極４を有する基板１の表面１ａをエッチングによって除去し、貫通電極４の上面４ａを基板１の表面１ａから突出させる電極頭出し工程と、基板１の内部に、分割予定ライン２に沿って基板１を透過する波長のレーザー光線Ｌを集光して改質層５を形成する改質層形成工程と、電極頭出し工程と改質層形成工程との後に、改質層５に外力を加えることによって分割予定ライン２に沿って基板１を分割する分割工程とを経て、基板１を分割する方法において、電極頭出し工程を改質層形成工程の後に行う。 （もっと読む）

【課題】切断予定ラインに沿った加工対象物の高精度な切断が可能となるレーザ加工方法の使用により得られるチップを提供する。
【解決手段】厚さ方向に略平行な側面２５ａを有するチップ２５であって、側面２５ａには、厚さ方向に並ぶ溶融処理領域１３_１，１３_２と、これら溶融処理領域１３_１，１３_２間に位置し厚さ方向の長さが溶融処理領域１３_１，１３_２より短い溶融処理領域１３_３と、が形成されている。また、側面２５ａには、少なくとも溶融処理領域１３_１，１３_２間に連続するように渡り、厚さ方向に対して同じ側に傾斜し延在する複数のウォルナーライン２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に触れることなく加工処理することができるレーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びにウェーハ処理方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷは、裏面に透明なダイシング用テープＴが貼着されて、ダイシング用フレームＦにマウントされる。ダイシング用フレームＦにマウントされたウェーハＷは、裏面を吸引されて、透明なウェーハテーブル２０に保持される。レーザ光は、透明なウェーハテーブル２０及び透明なダイシング用テープＴを通してウェーハＷの裏面に入射される。これにより、ウェーハＷの表面に触れることなくウェーハＷを保持して、ウェーハＷの裏面にレーザ光を入射することができ、ウェーハＷの表面に形成された素子等を破壊することなく、レーザダイシングすることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザーが接着テープに照射されたり、板状物に完全切断溝が形成されてレーザーが接着テープに照射されても、板状物が貼着された接着テープに貫通穴が形成されない板状物の加工方法を提供する。
【解決手段】板状物２の分割予定ライン２１に沿ってレーザーを照射し分割溝を形成する板状物の加工方法であって、ポリオレフィンフイルムを基材とし表面に接着層が敷設された３００〜４００ｎｍの波長域での全光線透過率が５０％以上であるとともにヘーズが７０％以上の接着テープ４を開口部に設けた環状フレームの接着テープに板状物を貼着する工程と、該板状物をレーザー加工装置のチャックテーブル５１に接着テープを介して保持し、３００〜４００ｎｍの波長のレーザーを照射しつつ加工送りし、板状物に設定された分割予定ラインに沿ってレーザーを照射し、レーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減されるレーザー加工を行えるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。具体的には、パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが第１の方向に沿って離散する照射条件でパルスレーザー光を走査するか、パルスレーザー光の照射エネルギーを変調させつつパルスレーザー光を第１の方向に走査するか、それぞれに第１の方向に対し所定の角度を有する第２の方向と第３の方向へのパルスレーザー光の走査を交互に繰り返すことによって、被加工物におけるパルスレーザー光の走査軌跡を第１の方向に沿った分割予定線と繰り返し交互に交差させるかのいずれかで実現される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に触れることなく加工処理することができるウェーハテーブル及びレーザダイシング装置を提供する。
【解決手段】ウェーハＷは、裏面に透明なダイシング用テープＴが貼着されて、ダイシング用フレームＦにマウントされる。ダイシング用フレームＦにマウントされたウェーハＷは、裏面を吸引されて、透明なウェーハテーブル２０に保持される。レーザ光は、透明なウェーハテーブル２０及び透明なダイシング用テープＴを通してウェーハＷの裏面に入射される。これにより、ウェーハＷの表面に触れることなくウェーハＷを保持して、ウェーハＷの裏面にレーザ光を入射することができ、ウェーハＷの表面に形成された素子等を破壊することなく、レーザダイシングすることができる。 （もっと読む）