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Fターム[4E068DA10]の内容

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Fターム[4E068DA10]に分類される特許

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【課題】レーザー光線を照射してバッファー層を破壊後、移設基板からエピタキシー基板を脱落させずに搬送することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】光デバイス層12を接合金属層を介して移設基板15に接合した光デバイスウエーハ10のバッファー層13を破壊する加工方法であって、光デバイスウエーハに接合された移設基板側をレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保持するウエーハ保持工程と、エピタキシー基板11側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程とを含み、バッファー層破壊工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を確実に剥離することができる光デバイス層の移替装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合して複合基板を形成し、エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を剥離することにより光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層の移替装置であって、複合基板の移設基板側を保持する第1の保持面を備えた第1の保持手段と、第1の保持面と対向し複合基板のエピタキシー基板側を保持する第2の保持面を備えた第2の保持手段と、第1の保持手段と第2の保持手段とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる分離手段とを具備している。 (もっと読む)


【課題】 ビーム断面が長尺化しても、シリンドリカルレンズのコスト増を抑制することができるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】複数のレーザ出射面が、相互に直交するX方向及びY方向に配列し、Z方向にレーザビームを出射する。X方向に並ぶレーザ出射面の列に対応して第1のシリンドリカルレンズが配置されている。第1のシリンドリカルレンズは、レーザ出射面から出射したレーザビームを、YZ面内において平行光線束にする。第1のシリンドリカルレンズを透過した複数のレーザビームが、第2のシリンドリカルレンズに入射する。第2のシリンドリカルレンズは、複数のレーザビームを、X方向に長い長尺領域に重ね合わせる。第2のシリンドリカルレンズは、X方向に配列された複数の光学部材を含ム。光学部材の各々は、X方向に平行な母線からなる柱面と、鏡面研磨されたX方向に垂直な端面とを含ム。相互に隣り合う光学部材の端面同士が密着している。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、ハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥を修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥の画像を取得する画像取得工程(S2)と、前記画像と予め格納されている参照情報とに基づいて欠陥情報を抽出する欠陥抽出工程(S3)と、前記欠陥情報から前記欠陥がハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥であるか否かを判定する判定工程(S4)と、前記判定工程(S4)にて前記欠陥がハーフトーン欠陥であると判定された場合に前記ハーフトーン部の高さを測定する高さ測定工程(S9,S12)と、この高さ測定工程で高さを測定したハーフトーン部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程(S10)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】デバイス後工程で50μm以下まで薄型化される半導体デバイス用として好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、所定の条件によるレーザー照射にてデバイス後工程で薄型化させたシリコン基板裏面全面あるいは一部を深さ方向に対してアモルファス化、あるいは基板内部の所定位置に最適化された結晶欠陥を形成させて強力なゲッタリング層を具備させる事が可能なシリコン基板及び製造方法である。 (もっと読む)


【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート22で区画形成されたサファイア基板20をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜210を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】リンク加工システムにおいて、レーザビーム軸の速度が速くなるのに従い、所望の標的にレーザパルスの発生をトリガーする能力が低下するのを防止する。
【解決手段】予測的パルストリガー(PPT)法によって、リンク加工システムにおいてレーザビーム100の正確なトリガーが可能になる。PPT法では、ターゲット106とレーザビーム軸108について推定される相対運動パラメータに基づいてレーザビームをトリガーすることが必要になる。PPT法では、レーザ位置決め精度において、従来の全面的な測定ベースの方法に対して、6倍の向上が可能になる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ10と、半導体チップ10を封止する樹脂20と、を備え、半導体チップ10の一面10aの一部が露出部11として樹脂20より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ10の一面10a側にて、露出部11の周囲に位置する樹脂20は、露出部11側が広く露出部11から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴22とされた錐体形状をなす空間部21を形成しており、露出部11は空間部21に位置し、穴22を介して樹脂20の外部に露出している。 (もっと読む)


【課題】被測定物の表面の反射の状態によって、変位センサの測定方式を切り換えたり、変位センサを交換したりすることを不要にする。
【解決手段】拡散反射板212は、レーザ光源231から出射され、ワーク102の加工面で正反射されたプローブ光が入射する位置に配置されている。リニアセンサ233は、拡散反射板212により拡散反射されたプローブ光がさらにワーク102の加工面で反射された第1の反射光、レーザ光源231から出射されたプローブ光がワーク102の加工面で拡散反射された第2の反射光を受光する。信号処理部234は、第1の反射光によりプローブ光がワーク102の加工面を介して拡散反射板212に入射するまでの第1の距離を検出するか、または、第2の反射光によりプローブ光がワーク102の加工面に入射するまでの第2の距離を検出する。 (もっと読む)


【課題】特定可能なビーム位置決め装置加速により、円状穴開け運動を開始し終了する方法を提供すること。
【解決手段】標本からの材料の高速除去は、様々な円形50及びスパイラル状レーザツールパターンに沿ってレーザビーム軸を指向するのにビーム位置決め器を使用する。材料除去の好ましい方法は、ビームの軸と標本との間に相対運動を引き起こすこと、入口セグメント加速度で入口軌跡52に沿ってレーザビームパルス放射58が開始される標本内の入口位置54へビーム軸を指向すること、標本の円形セグメントに沿って材料を除去するために標本内の円形周囲加速度でビーム軸を移動すること、そして入口セグメント加速度を2倍未満の円形周囲加速度に設定することを要する。 (もっと読む)


【課題】デブリ除去のために別途スペースを要することなく且つ簡易に実現できるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るレーザ加工装置は、被加工材の表面を加工するレーザ光を発する光源と、被加工材を搬送する搬送部と、レーザ光が搬送された被加工材の表面に照射されたことによって、被加工材から飛散した物質を捉えるために、被加工材の表面に液体を供給する液体供給部と、被加工材から飛散して液体の中に捉えられた物質を回収する飛散物回収部とを備える。 (もっと読む)


【課題】レーザーアニール工程において、レーザーの異常によりパターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態に異常がある基板が発生した際、この異常を早期に発見し、生産ラインの生産安定性を向上させることが可能な、レーザーアニール方法および装置を提供すること。
【解決手段】相対走査される基板がレーザー照射開始位置にきて、照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有することで、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】バッファー層にレーザー光線を照射することによりサファイア基板を剥離する際に、レーザー光線の適正な出力を設定する出力設定方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層された光デバイス層にレーザー光線を照射することにより、エピタキシー基板を剥離する際のレーザー光線の出力を設定する方法であって、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を、出力を変更しつつ照射するレーザー光線照射工程と、レーザー光線照射工程によって発生するプラズマにおけるバッファー層を形成する物質の波長域の光強度を、バッファー層に照射したレーザー光線の出力に対応して表示手段に表示するプラズマ光強度表示工程と、表示手段に表示されたレーザー光線の出力に対応したプラズマの光強度に基づいて、適正なレーザー光線の出力を設定する出力設定工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを形成可能なチップ形成方法を提供することである。
【解決手段】 被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法であって、被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って互いに離間した複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備したことを特徴とする (もっと読む)


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