【課題】レーザー光線を照射してバッファー層を破壊後、移設基板からエピタキシー基板を脱落させずに搬送することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】光デバイス層１２を接合金属層を介して移設基板１５に接合した光デバイスウエーハ１０のバッファー層１３を破壊する加工方法であって、光デバイスウエーハに接合された移設基板側をレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保持するウエーハ保持工程と、エピタキシー基板１１側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程とを含み、バッファー層破壊工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第２のレーザー光線照射工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークに孔あけ加工する際に、大掛かりな設備を必要とせず、エッチング液にレーザ吸収用の添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第３工程を含んでいる。第１工程では、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの加工領域がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程ではワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク上面からレーザを照射する。第３工程では、レーザの集光点を、環状の軌跡に沿って走査するとともにワークに対して上下方向に相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を確実に剥離することができる光デバイス層の移替装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合して複合基板を形成し、エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を剥離することにより光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層の移替装置であって、複合基板の移設基板側を保持する第1の保持面を備えた第１の保持手段と、第１の保持面と対向し複合基板のエピタキシー基板側を保持する第２の保持面を備えた第２の保持手段と、第1の保持手段と第２の保持手段とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる分離手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークをレーザ加工する際に、カーフロスを抑え、特にエッチング液にレーザ吸収用の添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第４工程を含んでいる。第１工程は、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの加工領域がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程はワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク上面からレーザを照射する。第３工程はレーザの集光点を加工方向に沿って走査してワーク下面に溝を形成する。第４工程は、レーザの集光点を、溝の底面に移動させ、溝が形成された方向に沿って走査して溝をワーク上面に向かって深くする。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いてワークをレーザ加工する際に、カーフロスを抑え、特にエッチング液に色素としての添加物が不要となる加工方法を提供する。
【解決手段】この加工方法は、レーザを照射してワークを加工する方法であって、第１〜第３工程を含んでいる。第１工程は、レーザを吸収可能でありかつレーザに対して吸収ピークを有する溶媒を含むエッチング液を容器に充填するとともに、ワークの少なくとも下面がエッチング液に接触するように容器内にワークを支持する。第２工程は、ワークを透過しかつワーク下面で集光するようにワーク表面からレーザを照射する。第３工程は、ワークとレーザとを相対的に移動させてワークを加工する。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で５０μｍ以下まで薄型化される半導体デバイス用として好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、所定の条件によるレーザー照射にてデバイス後工程で薄型化させたシリコン基板裏面全面あるいは一部を深さ方向に対してアモルファス化、あるいは基板内部の所定位置に最適化された結晶欠陥を形成させて強力なゲッタリング層を具備させる事が可能なシリコン基板及び製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ビーム断面が長尺化しても、シリンドリカルレンズのコスト増を抑制することができるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】複数のレーザ出射面が、相互に直交するＸ方向及びＹ方向に配列し、Ｚ方向にレーザビームを出射する。Ｘ方向に並ぶレーザ出射面の列に対応して第１のシリンドリカルレンズが配置されている。第１のシリンドリカルレンズは、レーザ出射面から出射したレーザビームを、ＹＺ面内において平行光線束にする。第１のシリンドリカルレンズを透過した複数のレーザビームが、第２のシリンドリカルレンズに入射する。第２のシリンドリカルレンズは、複数のレーザビームを、Ｘ方向に長い長尺領域に重ね合わせる。第２のシリンドリカルレンズは、Ｘ方向に配列された複数の光学部材を含ム。光学部材の各々は、Ｘ方向に平行な母線からなる柱面と、鏡面研磨されたＸ方向に垂直な端面とを含ム。相互に隣り合う光学部材の端面同士が密着している。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射エネルギーの利用効率を上げて一台のレーザーで多点の一括加工を容易に行い得るようにする。
【解決手段】無機絶縁膜２で被覆されたシリコン基板１面にレーザー光を照射して局所的に前記絶縁膜２を除去するレーザー加工方法であって、少なくとも前記基板１の表面を溶融させる程度の強度に設定された紫外域の第１のレーザー光Ｌ１を前記基板１面に照射して溶融させ、前記基板１の前記溶融部分ＭＰに前記第１のレーザー光Ｌ１の照射と同時に、又は一定の遅延時間を与えて前記第１のレーザー光Ｌ１よりも波長が長く、一定強度に設定された第２のレーザー光Ｌ２を照射して前記基板材料を蒸発させるものである。 （もっと読む）

【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート２２で区画形成されたサファイア基板２０をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜２１０を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】外観不良ワークに対してレーザー加工を施す際に他のワークに悪影響を与えることなく、かつ、外観不良ワークに対して適切な加工を施す。
【解決手段】複数のワークがｍ列及びｎ行に配列されたリードフレーム基板２００における外観不良ワークに対して所定の加工を施す外観不良ワーク加工装置であって、ｍ列のうちの１つの列を露出可能とする開口窓を有する第１カバー１３０により、加工対象ワークが存在する列を露出させるように覆うとともに、任意の列に存在するｎ個のワークを個々に露出可能とするｎ個の開口窓を有する第２カバー１４０により、第１カバー１３０によって露出している列のｎ個のワークを個々に露出させるように覆い、さらに、シャッター１５０により加工対象ワークを露出させるように覆った状態で、当該加工対象ワークの所定部分をレーザー発生装置１７０によりレーザー加工する。 （もっと読む）

【課題】チップ抵抗器の製造過程でトリミング不良の発生を迅速かつ的確に検出できるチップ用抵抗体の抵抗値調整方法を提供する。
【解決手段】集合基板２０に所定の配列で印刷形成された多数の抵抗体５に対して、順次、抵抗値を測定しながらレーザビームを照射してトリミング溝１１を形成するというレーザトリミングを実施する際に、レーザビームの照射が開始された時点から、抵抗体５にレーザビームが到達してトリミング溝１１が形成され始めるまでの経過時間（抵抗体到達時間ｔ）を測定抵抗値の変化に基づいて計測し、この抵抗体到達時間ｔを予め設定された許容時間Ｔと比較する。そして、抵抗体到達時間ｔの計測値がゼロ（ｔ＝０）または許容時間Ｔよりも長い（ｔ＞Ｔ）ときだけ、トリミング不良が発生したものと判定する。 （もっと読む）

【課題】 回転体の平滑な加工面を容易に得ることができるレーザ加工装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 加工対象物にレーザビームＬを照射して形状形成を行うレーザ加工装置であって、加工対象物を軸中心に回転させると共に加工対象物とレーザビームとの相対的な位置関係を調整する位置調整機構と、加工対象物の外周面にレーザビームを集光して照射するレーザ光照射機構と、制御部とを備え、制御部が、位置調整機構及びレーザ光照射機構により、レーザビームの光軸に直交する仮想面Ｋに対して加工対象物の回転軸Ｏを傾斜させ、光軸を回転軸に対してねじれの位置に配した状態で加工対象物を回転させ、焦点位置と仮想面との距離を一定に維持したままレーザビームを加工対象物の外周面に照射させると共に回転軸に沿って揺動させて加工を行う。 （もっと読む）

【課題】過酷な坑底の環境下で所望のレーザービームパターンを岩盤表面に描くことができるレーザー掘削装置を提供すること。
【解決手段】光ファイバーケーブル１１と、光ファイバーケーブル１１を内包する管１２と、管１２を貫通させ、軸受１４を介して管１２を回転自在に支持する第１偏心リング１３と、第１偏心リング１３を内包し、軸受１６を介して第１偏心リング１３を回転自在に支持する第２偏心リング１５と、第２偏心リング１５を内包し、軸受１６を介して第２偏心リング１５を回転自在に支持する固定リング１７と、を含み、第１偏心リング１３及び第２偏心リング１５の回転によって管１２の中心軸を移動させて、管１２に内包される光ファイバーケーブル１のビーム放射端３７の位置を移動させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ耐力が異なる欠陥を１台で修正可能なリペア装置、およびリペア方法を提供する。
【解決手段】本発明の位置決め装置は、載置ステージと、対象物を撮像する撮像部と、差画像データにより欠陥を抽出する第１欠陥抽出部と、レーザ照射範囲を設定するレーザ形状制御部と、レーザ光を照射する光源と、前記レーザ形状制御部が設定した照射範囲にレーザ光を照射する第１光学系と、差画像データと輝度情報により、欠陥を抽出する第２欠陥抽出部と、前記第２欠陥抽出部が抽出した欠陥の一部にスポット照射する第２光学系と、前記光源から照射されたレーザ光の光路を、前記第１光学系と前記第２光学系とに切り替える切替部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 先のスクライブ後、次のスクライブ時に残留冷媒の影響を受けないようにしたスクライブ装置を提供する。
【解決手段】 テーブル１と、スクライブヘッド９と、スクライブヘッド９をテーブル１に対し相対的に移動する移動機構６、８、Ｍとを備え、スクライブヘッド９は、テーブル１上の脆性材料基板Ｗにレーザビームを照射して加熱領域となるレーザスポットを形成するレーザ照射部１０、および、レーザスポットの移動方向後方位置に向けて液体を含む冷媒を噴射して冷却領域となる冷却スポットを形成する冷媒噴射部１１を有し、基板Ｗに想定したスクライブ予定ラインに沿って、レーザスポットおよび冷却スポットをこの順で移動させて、熱応力によるスクライブラインを形成するスクライブ装置Ａであって、スクライブヘッド９は、レーザスポットの移動方向前方位置に向けて気体を噴射する気体噴射部１２をさらに備えるようにしている。 （もっと読む）