Fターム[4E351BB01]の内容

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【課題】従来よりも微細なパターンを集積させた上、体積抵抗値を比較的低減させて微細金属構造体としての性能を向上させる微細金属構造体を提供する。
【解決手段】基材上に所定のパターンを有する金属膜が設けられた微細金属構造体であって、前記金属膜は、金属成分として平均一次粒子径1〜100nmの金属ナノ粒子を含むペーストから形成されるものであり、前記所定のパターンにおける金属膜の幅は10μm以下であり、前記金属膜の体積抵抗率が1.0×10−5Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができ、より細線化に対応可能な加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、(A)銀粉末、(B)加熱硬化性成分、(C)硬化剤および(D)溶剤を含有し、(D)溶剤として、(D−a)主溶剤のジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートと、1種類以上の(D−b)副溶剤とを混合して成る混合溶剤が用いられ、(D−b)副溶剤の沸点が200℃〜300℃の範囲内にあり、かつ、その溶解度パラメータが7.5〜12.0の範囲内にある溶剤であり、混合溶剤の溶解度パラメータが8.0〜9.5の範囲内にある。 (もっと読む)


【課題】レーザー加工性に優れ、且つ、その後のエッチングにおいて、厚さ方向で均一なエッチング速度が得られる電解銅合金箔を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため、電解液を電解することにより得られる電解銅合金箔であって、当該電解銅合金箔は、スズ含有量が8質量%〜25質量%であることを特徴とする電解銅合金箔を採用する。この電解銅合金箔は、結晶組織中の結晶粒が、厚さ方向に伸長した柱状結晶であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】VOCの問題を生じさせる有機溶媒系の導電ペースト材料ではなく、水を主成分とした水系媒体に銅粉末を分散させた水系銅ペースト材料を塗布、加熱して導電層パターンを形成した場合に、導電性に優れた導電層パターンを容易かつ低コストで形成できる水系銅ペースト材料を提供する。
【解決手段】水系媒体中に、表面に酸化膜が形成された銅粉末と、前記酸化膜を加熱還元できる水系還元剤成分と、水系バインダー樹脂とを含有する水系銅ペーストにより、上記課題を解決する。この水系銅ペースト材料には、銅酸化物、銅化合物錯体及び銅化合物塩から選ばれる1又は2以上の銅化合物が含まれていてもよいし、酸化防止剤成分がさらに含まれていてもよい。また、水系還元剤成分としては、次亜リン酸、アスコルビン酸、ヒドラジン又はジメチルアミンボラン等を挙げることができる。 (もっと読む)


【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができる加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、(A)銀粉末と、(B)加熱硬化性成分と、(C)硬化剤と、(D)溶剤と、必要に応じて(E)添加剤とを含有しており、さらに、レオメータで測定した貯蔵弾性率が100Pa〜400Paとなっている。これにより、高い導電性を実現しつつ高精細な導体パターンを低コストで形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】銅粉末を導電材として含有する導電ペーストにおいて、スクリーン印刷法により高精細な導電パターンを形成することが可能な導電ペーストを提供する。
【解決手段】銅粒子(A)と、レゾール型フェノール樹脂(B)と、脂肪酸アマイドワックスを活性化処理してなるチキソトロピー性付与剤(C)とを含有する導電ペーストであって、前記チキソトロピー性付与剤(C)の含有量が、固形分である前記脂肪酸アマイドワックスとして、前記導電ペースト全体に対して0.05〜2質量%の割合である導電ペーストである。 (もっと読む)


【課題】 高導電性で安定性に優れ微細な配線の形成に適する導電性インク組成物を提供する。
【解決手段】 ギ酸銅、二種類以上のエタノールアミンを含む組成物を、導電性インク組成物に用いる。 (もっと読む)


【課題】転写法により被転写物に金属配線を形成するための転写用基板であって、被転写物側の加熱温度を低くすることのできるもの、及び、金属配線の形成方法を提供する
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記金属配線素材の表面上に形成された少なくとも1層の被覆層と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜と、からなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度99.9重量%以上、平均粒径0.01μm〜1.0μmである金粉等の金属粉末を焼結してなる成形体であり、前記被覆層は、金等の所定の金属又は合金であって、前記金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなり、かつ、その合計厚さは1μm以下であり、前記下地金属膜は、金等の所定の金属又合金からなる転写用基板である。 (もっと読む)


【課題】高精細で低抵抗な金属銅層を精度よく形成可能な酸化銅ペースト及びこれを用いた金属銅層の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化銅ペーストを、長径の長さの平均値が100nm以上1700nm未満であり、短径の長さの平均値に対する長径の長さの平均値の比が1.2以上20以下である酸化銅粒子群と、分散媒とを含んで構成する。また該酸化銅ペーストを支持体上に付与し、導体化処理することで金属銅層を製造する。 (もっと読む)


【課題】銅微粒子が分散される銅微粒子分散液の配合を提供する。
【解決手段】銅微粒子分散液は、銅微粒子と、この銅微粒子を含有する少なくとも1種の分散媒と、この銅微粒子を分散媒中で分散させる少なくとも1種の分散剤とを有する。銅微粒子は、中心粒子径が1nm以上100nm未満である。分散媒は、極性分散媒である。分散剤は、少なくとも1個の酸性官能基を有する分子量が200以上100000以下の化合物又はその塩である。これにより、分散剤は分散媒との相溶性を有し、銅微粒子は、分散剤分子で表面が覆われるので、分散媒中に分散される。 (もっと読む)


【課題】層間接続部にCNTを良好に混入させることのできる多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層の表面および前記ビア内壁面に無電解銅めっき皮膜が形成された樹脂基板を、正負いずれかに帯電されたカーボンナノチューブ(CNT)が分散された溶液が収容された泳動槽に装着し、通電してCNTを電気泳動させ、前記樹脂基板のビア内壁面の無電解銅めっき皮膜上に付着させる電気泳動工程と、該樹脂基板に逆電流パルス法により電解銅めっきを施し、前記無電解銅めっき皮膜上に電解銅めっき皮膜を形成するとともに、ビア内に電解銅めっき皮膜を充填し、ビア内に、銅めっき皮膜中にCNTが混入した複合材料からなる前記層間接続部を形成する電解銅めっき工程と、前記絶縁樹脂層表面の銅めっき層を所要の配線パターンに形成するパターン形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】十分な導電性を有しつつ、高精細パターンを形成可能な感光性導電ペースト、その感光性導電ペーストを用いた導電回路パターン、その導電回路パターンを有する、タッチパネルセンサーおよび表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも(A)銀粉と、(B)光重合開始剤と、(C)重合性多官能モノマーと、(D)アルカリ可溶性樹脂と、(E)ラジカル捕捉剤と、(F)有機溶剤と、を含有する感光性導電ペーストであって、前記(A)銀粉を全固形分量中に65〜85重量%の範囲内で含み、前記(E)ラジカル捕捉剤を全固形分量中に0.01〜0.1重量%の範囲内で含むことを特徴とする感光性導電ペーストを用いて、導体の厚みが3〜5μmの範囲内にある導電回路パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、350℃で30分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線Cを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。350℃で30分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満(0%を含む)である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】表面が黒色であり、エッチング性も良好である粗化処理銅箔を提供を提供する。
【解決手段】銅箔の少なくとも一方の表面に、黒色ではない粗化処理層と、ニッケル−タングステン合金めっき層とがこの順に形成されており、当該ニッケル−タングステン合金めっき層のニッケル量が2000μg/dm2以上である印刷回路用銅箔。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く、且つ、厚み方向への収縮が大きな場合でも、層間接続導体の突き上げを抑制して、基板内部で変形や断線等の発生を低減できる多層セラミック基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】平面視で層間接続導体部13と同じ位置であって、且つ、層間接続導体部13の厚み方向の少なくとも一方に、層間接続導体部13と直接に又は第1内部配線層9を介して接触するように、導体と結晶化ガラスとムライトとを含み導電性を有する第2内部配線層11を備える。この結晶化ガラスは、ガラス転移点(Tg)が焼成収縮開始温度より低く、しかも、結晶化温度(Tc)が焼成収縮開始温度より高く且つ焼成収縮開始温度+150℃より低い。 (もっと読む)


【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】 350℃で30分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0〜0.01%である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料の耐酸化性と接合性とを両立するとともに、当該焼結性接合材料を用いて作製した半導体装置等の接合部におけるイオンマイグレーションを抑制する。
【解決手段】粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む液又はペーストであって、銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークは、粒径が1〜35nmの区間、及び、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、銅ナノ粒子は、単一粒子155(一次粒子)と、単一粒子155の融合体156である二次粒子とを含む焼結性接合材料を用いる。 (もっと読む)


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