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Fターム[4E351BB31]の内容

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【課題】プリント配線板に実装する抵抗器がプリント配線板のコンパクト化を図る。
【解決手段】レーザを光源とし、基板6上の導電性ペースト12で形成したプリント回路8を走査するレーザ光の処理条件を可変にして、前記プリント回路8に、導体化した導体化回路8a8bと所望の抵抗値をもって抵抗器化した抵抗器化回路9、10、11を形成するレーザ出力制御機構、レーザ走査速度制御機構及びレーザ走査領域制御機構を備えることを特徴とする抵抗器化回路付きプリント配線板の作製装置1。 (もっと読む)


【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成されたシート状の仮成形体を用意する工程と、前記仮成形体に、多価アルコールの縮合物を含む組成物を付与することにより、表面付近に前記多価アルコールの縮合物を含む領域が形成されたセラミックス成形体を得る工程と、前記セラミックス成形体の前記多価アルコールの縮合物を含む領域に、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒とを含む導体パターン形成用インクを液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体を形成する工程と、複数の前記セラミックス成形体を積層して積層体を得る工程と、前記積層体を焼結して、導体パターンおよびセラミックス基板とを有する配線基板を得る焼成工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】平均粒径で50nm以上となることを抑制することのできる金属粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属イオンと、還元剤としての三塩化チタンと、錯化剤と、分散剤と、を含む酸性の反応溶液をアルカリ性に調整し、この反応溶液を撹拌して金属粒子を析出させる。上記錯化剤としては、リンゴ酸およびリンゴ酸塩およびグルコン酸およびグルコン酸塩の少なくとも一種を用いる。 (もっと読む)


【解決手段】硬化性オルガノポリシロキサンと硬化剤とを含有するシリコーンゴム組成物に、最大粒径が1μm未満の導電性微粒子を配合してなることを特徴とする導電性パターン形成用組成物。
【効果】本発明の導電性パターン形成用組成物を用いることによって、インクジェット法やスタンプ法のような印刷方法により半導体基板上に微細な導電性パターンを塗布描画することができ、描画された回路を、組成物中に含まれる硬化剤によって架橋形成してゴム化することで、応力耐性を持つ導電性回路とすることができる。これにより、導電性回路の微細化が可能となると共に、信頼性の高い半導体回路を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】第1に、導体断面積を大きくとることができ、第2に、しかも高周波特性に優れており、効率が向上し、第3に、もって小型化が可能となり、第4に、しかもこれらが簡単容易に、コスト面に優れて実現される、高伝導化プリント基板およびその製造方法を提案する。
【解決手段】この高伝導化プリント基板1は、中空導体構造よりなり、絶縁基材2の外表面にパターニングされた銅箔パターン4と、銅箔パターン4を被覆する導体被膜9と、銅箔パターン4と導体被膜9間に形成された発泡中空層7とを、少なくとも有している。そして、銅箔パターン4と導体被膜9とで、導体部10が、形成されている。なお代表例では、発泡中空層7は、発泡インク等の発泡剤5の発泡により形成され、導体被膜9は、半田被膜よりなる。 (もっと読む)


【課題】分割後の配線基板のバリや欠けの発生が低減され、かつ焼成中の基板の割れもない連結配線基板を提供する。
【解決手段】ガラスセラミックス組成物の焼結体からなる母基板の両主面上に、金属ペーストを焼成してなる配線層を有する複数の配線領域が形成され、母基板の少なくとも非搭載面において、配線領域を区画する分割溝が配設された連結配線基板である。非搭載面の分割溝の近傍に形成された配線層を、TMAによる収縮開始温度が、ガラスセラミックス組成物の収縮開始温度に対して−100℃乃至+80℃の範囲にあり、かつ最終収縮量が、ガラスセラミックス組成物の最終収縮量に対して±10%の範囲にある金属ペーストにより形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低ESL化を図ることができると共に、回路基板への実装の際にショートが発生することを抑制できる電子部品及び基板モジュールを提供することである。
【解決手段】積層体11は、コンデンサを形成している容量導体18,19及び内部導体32を内蔵している。外部電極12a,12bはそれぞれ、容量導体18,19に引き出し導体20,21を介して接続されている。内部導体32は、容量導体18,19に対向している。外部電極13,14は、引き出し導体22,23を介して容量導体18に接続されている。外部電極15,16は、引き出し導体24,25を介して容量導体19に接続されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁樹脂層に三次元的に形成された2つの配線間を層間接続するための高い接続信頼性を有する低抵抗のビアホール導体を備えた多層配線基板であって、鉛フリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供する。
【解決手段】ビアホール導体を有する多層配線基板であって、ビアホール導体は金属部分と樹脂部分とを含み、金属部分は、第一配線と第二配線とを電気的に接続する経路を形成する銅粒子の結合体を含む第一金属領域と、錫,錫‐銅合金,及び錫‐銅金属間化合物からなる群から選ばれる金属を主成分とする第二金属領域と、ビスマスを主成分とする第三金属領域と、錫−ビスマス系半田粒子である第四金属領域とを有し、結合体を形成する銅粒子同士が互いに面接触する面接触部を形成しており、第二金属領域の少なくとも一部分が第一金属領域に接触しており、錫−ビスマス系半田粒子が樹脂部分に囲まれて点在している多層配線基板である。 (もっと読む)


【課題】セラミックグリーンシートと同時に焼成して導体回路を形成したときに、反りの発生をより一層有効に抑制することができるセラミック多層回路基板用導電ペーストを提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミック多層回路基板用導電ペーストは、アトマイズ法により製造され、平均粒径が2〜9μmの範囲内であるとともに最大粒径が40μm以下であり、さらに薄片化されたアトマイズ銀薄片粉末を導電性粉末として含有するもので、アトマイズ銀薄片粉末は、導電性粉末の50重量%以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】個片分割時に露出するめっき用引き出し線からの水分の浸透が抑制された多数個取り配線基板、および個片の配線基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁層1aが積層されてなり、配線基板領域2が縦横の並びに配列された母基板1と、絶縁層1aの層間から配線基板領域2の表面にかけて形成された配線導体3と、絶縁層1aの層間に形成された、配線基板領域2の境界2aを越えて配線導体3同士を接続するめっき用接続導体4とを備え、配線導体3がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、めっき用接続導体4が配線基板領域2の境界2aおよび境界2aに隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる多数個取り配線基板9である。めっき用接続導体4のうち個片に分割したときに露出する部分が比較的緻密なモリブデン,タングステンからなるため、その露出部分からの水分の浸透を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】断線が防止された信頼性の高い導体パターンを形成することができ、液滴の吐出安定性に優れた導体パターン形成用インクを提供すること、信頼性の高い導体パターンを提供すること、および、このような導体パターンを備え、信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の導体パターン形成用インクは、液滴吐出法により、セラミックス粒子と、結合剤とを含む材料で構成されたシート状のセラミックス成形体上に付与され、導体パターンの形成に用いられる導体パターン形成用インクであって、金属粒子と、前記金属粒子が分散する水系分散媒と、少なくとも高分子バインダーと、低分子保湿剤とを含み、前記低分子保湿剤には、少なくとも高分子バインダーと同一の構成単位からなる1量体または3量体以下の低分子またはその還元物を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】液滴吐出ヘッドから安定して吐出可能な導体パターン形成用インクを提供すること、信頼性の高い導体パターンを提供すること、および、このような導体パターンを備え、信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】導体パターン形成用インク1は、液滴吐出ヘッド110により、基材上に導体パターン10を形成するための導体パターン形成用インクであって、金属粒子と、前記金属粒子が分散する水系分散媒と、ポリエチレングリコールの脂肪酸エステルと、を含み、前記ポリエチレングリコールの脂肪酸エステルを構成する脂肪酸の炭素数が、10以上20以下である。ポリエチレングリコールの脂肪酸エステルの含有量は、0.1wt%以上5wt%以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Pbフリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂層と絶縁樹脂層の両面にそれぞれ配設された配線とこれらの配線間を電気的に接続するためのビアホール導体とを有し、ビアホール導体は金属部分と樹脂部分とを含み、金属部分は、配線間を接続する銅粒子の結合体を含む第一金属領域と、錫,錫‐銅合金,及び錫‐銅金属間化合物等を主成分とする第二金属領域と、ビスマスを主成分とする第三金属領域と、を有し、結合体を形成する銅粒子同士が互いに面接触することにより面接触部を形成し、第二金属領域の少なくとも一部分が第一金属領域に接触している多層配線基板であって、絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂と無機フィラーを含有する多層配線基板である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が発する熱を拡散させるため、絶縁基板の回路パターンを厚くすると、エッチングに時間を要するうえ、加工精度が良くなかった。少ない工数で製造が可能で安価かつ放熱性に優れた絶縁基板を提供する。
【解決手段】絶縁層上に形成された回路パターン上に、はんだシートを介して金属ブロックを載置し、あるいは、予め金属ブロックをはんだ接合し、この金属ブロックの上面および側面を覆い、金属材料を直接積層した上積み回路パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】外部への不要な磁束漏洩が防止され、基板の内部または外面に形成されている配線などの導体に対するノイズの重畳が抑制されたコイル内蔵基板を構成する。
【解決手段】コイル内蔵基板101はコイル導体形成層20と非磁性体層31,32を備えている。コイル導体形成層20は、コイル導体9と磁性体とが積層された磁性体層である。非磁性体層31は電子部品搭載面側(第1主面側)に形成され、表面導体膜7を含む。非磁性体層32は実装先の配線基板に対する実装面側(第2主面側)に形成され、表面導体膜7を含む。コイル導体形成層20と非磁性体層31との間には透磁率の高い磁性体層41を備えている。また、コイル導体形成層20と非磁性体層32との間には透磁率の高い磁性体層42を備えている。 (もっと読む)


【課題】体積抵抗率の低い導電体膜を形成できる銅粒子および導電体形成用組成物の製造方法、該導電体形成用組成物を用いた導電体膜の製造方法、ならびに該導電体膜を有する物品の提供。
【解決手段】アスペクト比が2.5〜6である銅粒子を分散媒に分散させ、pH3以下かつ酸化還元電位100〜300mVとした反応系にて還元処理して還元銅粒子を得る工程と、該還元銅粒子を解砕して平均粒子径D50が8.60μm以下の表面改質銅粒子を得る工程とを含む、表面改質銅粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 基板への密着性が高い銅配線を形成するために有用な亜酸化銅粒子分散体を提供すること。
【解決手段】本発明の亜酸化銅粒子分散体は、亜酸化銅粒子と、亜酸化銅粒子に対して5〜50重量%のグリセリンと、亜酸化銅粒子に対して10〜90重量%のポリエチレングリコールを含む。この分散体は、電気回路の配線形成に用いられる。特に、ポリイミドのフレキシブル基板へ配線を形成することが好ましい。この分散体を用い、印刷によってポリイミドのフレキシブル基板に電気回路の配線を形成するときには、印刷によって形成された塗膜を、ポリイミドのガラス転移点以下の温度で熱処理することが好適である。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Pbフリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂層を介して配設された複数の配線同士を電気的に接続するビアホール導体を有する多層配線基板であって、ビアホール導体は銅と錫とビスマスとを含み、複数の銅粒子が互いに面接触して前記複数の配線同士を電気的に接続する前記銅粒子の結合体を含む第1金属領域と、錫,錫−銅合金または錫と銅の金属間化合物のいずれか一つ以上を主成分とする第2金属領域と、ビスマスを主成分とする第3金属領域とを含み、第2金属領域の少なくとも一部が銅粒子の結合体の面接触部を除く表面に接触しており、金属部分中のCu,Sn及びBiが特定の重量組成比(Cu:Sn:Bi)を有する多層配線基板。 (もっと読む)


【課題】コイルの磁気特性を改善し効率を向上することができるコイル内蔵基板を提供する。
【解決手段】積層方向から透視すると、第1のコイル要素32a〜32dが互いに重なり合う外コイル領域32の内周より内側において、第2のコイル要素34a〜34dが互いに重なり合う。空隙部40は、積層方向に透視すると第2のコイル要素34a〜34dが互いに重なり合う内コイル領域34の内周と外コイル領域32の外周との間に環状に延在し、コイル要素34b,34cの一部が露出するように形成される。第1及び第2のコイル要素32a〜32d,34a〜34dが有する一定の線幅をA、空隙部40の幅をBとすると、1.5≦B/A≦2.0である。空隙部40の個数は、第1のコイル要素32a〜32dと第2のコイル要素34a〜34dの合計個数の半分より少ない。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法でセラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス焼結体基板10に導電性ビア23が形成されてなるセラミックスビア基板であって、融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)、該金属(A)よりも融点が高い金属(B)、および、活性金属を含む導電性の金属20がスルーホール12に密充填されてなる導電性ビア23を有し、前記導電性ビア23と前記セラミックス焼結体基板10との界面に活性層が形成されている、セラミックスビア基板とすることで、簡易な方法で製造することができるセラミックスビア基板とする。 (もっと読む)


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