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Fターム[4E351DD03]の内容

Fターム[4E351DD03]の下位に属するFターム

Cu (1,248)
Ag (604)
Au (426)

Fターム[4E351DD03]に分類される特許

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【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】樹脂層と導電層との接着力を強化可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板2は、第1樹脂層6eと第1樹脂層6e上に形成された第1導電層7aとを備える。第1導電層7aは、周期表第4族、5族又は6族である遷移金属の炭化物を含み、且つ、第1樹脂層6eに接着する金属炭化物層7axを有する。第1樹脂層6eは、金属炭化物層7axが接着した第1領域6ejと、第1領域6ejよりも第1樹脂層6eの内部に位置する第2領域6ekとを有する。第1領域6ejは、炭素原子数に対する窒素原子数の比率が第2領域6ekよりも大きい。 (もっと読む)


【課題】容易に製造することができながらも、絶縁性基板と配線導体とを接合する金属層の、薬液に触れることによる腐食の可能性を低減する配線基板を提供する。
【解決手段】金属接合層5及び配線導体7よりも耐腐食性の高い真空成膜層である真空成膜層9により、金属接合層5及び配線導体7が被覆されている。このように、メッキ液などの薬液に対しては、真空成膜層9のみが触れるため、真空成膜層9と、金属接合層5及び配線導体7との間の電位差に起因する金属接合層5及び配線導体7のガルバニック腐食の発生が抑制される。 (もっと読む)


【課題】従来の方法によって形成された膜パターンよりも厚い膜パターンを形成する。
【解決手段】本発明の膜パターン215形成方法は、基板101の表面及び第1の膜パターン112の表面に、感光することで撥液化し、第2の膜パターン214の構成成分を含む機能液に対して撥液性を示す感光膜Bを形成する表面処理工程と、基板101の裏面から基板101を露光することにより、感光膜Bを撥液化する撥液化工程と、撥液化工程後、第1の膜パターン112上に上記機能液の液滴を吐出して、第2の膜パターン214を形成する膜パターン形成工程とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】流動性と粘性又は曳糸性とのバランスに優れ、凹版オフセット印刷でも微細なパターンを形成できる金属ナノ粒子ペーストを提供する。
【解決手段】金属コロイド粒子(A)、この金属コロイド粒子の分散媒(B)及び流動性向上剤(C)を含む金属ナノ粒子ペーストにおいて、前記金属コロイド粒子(A)を、金属ナノ粒子(A1)とこの金属ナノ粒子(A1)を被覆する保護コロイド(A2)とで構成し、かつ前記保護コロイド(A2)を、炭素数1〜10のアミン類(A2−1)と炭素数1〜3のカルボン酸類(A2−2)とで構成する。このような金属ナノ粒子ペーストにおいて、前記金属ナノ粒子(A1)を構成する金属が銀単体であり、金属ナノ粒子(A1)の平均粒子径が10nm以下であってもよい。 (もっと読む)


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