【課題】転写法により被転写物に金属配線を形成するための転写用基板であって、被転写物側の加熱温度を低くすることのできるもの、及び、金属配線の形成方法を提供する
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記金属配線素材の表面上に形成された少なくとも１層の被覆層と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜と、からなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度９９．９重量％以上、平均粒径０．０１μｍ〜１．０μｍである金粉等の金属粉末を焼結してなる成形体であり、前記被覆層は、金等の所定の金属又は合金であって、前記金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなり、かつ、その合計厚さは１μｍ以下であり、前記下地金属膜は、金等の所定の金属又合金からなる転写用基板である。 （もっと読む）

【課題】表面が黒色であり、エッチング性も良好である粗化処理銅箔を提供を提供する。
【解決手段】銅箔の少なくとも一方の表面に、黒色ではない粗化処理層と、ニッケル−タングステン合金めっき層とがこの順に形成されており、当該ニッケル−タングステン合金めっき層のニッケル量が２０００μｇ／ｄｍ²以上である印刷回路用銅箔。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
【解決手段】液温５０℃の塩化第二銅又は塩化第二鉄水溶液における、電位−ｐＨ図のｐＨ＝０における酸化還元電位が銅の酸化還元電位よりも貴である金属又はその酸化物が、銅箔厚みの１０分の１以下相当の付着量で、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆したプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】 ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を、良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＭｏからなる群から選択された１種以上を含む被覆層とを備え、前記被覆層におけるＡｕの付着量が６５０μｇ／ｄｍ²以下、Ｐｔの付着量が６５０μｇ／ｄｍ²以下、Ｐｄの付着量が４００μｇ／ｄｍ²以下、Ｍｏの付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下であり、所定幅及び所定ピッチの回路を形成し、塩化第二銅濃度が２．０Ｍ、且つ、塩酸濃度が０〜４．５Ｍの塩化第二銅水溶液、又は、塩化第二鉄濃度が３．２Ｍ、且つ、塩酸濃度が０〜１．０Ｍの塩化第二銅水溶液を、５０℃で０．２Ｐａの圧力で噴射してエッチングしたとき、回路のボトム幅が回路ピッチの半分となるまでの時間が、前記被覆層が形成されていない場合よりも１ｓ以上短いプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】キャリア付き薄銅箔であって、ビルドアップ配線板のビア形成でレーザー穴あけ加工を行う際に、レーザー吸収層及び薄銅の飛散、銅の盛り上がりが生成することがない、薄銅箔、および該薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】キャリア箔１、剥離層２、レーザー吸収層５、薄銅箔４がこの順に形成されているレーザー吸収層付き銅箔であって、前記キャリア箔と銅箔とを剥離した時の前記レーザー吸収層表面の表面粗さＲｚ＝２．０μｍ以下、明度Ｌ＝３０、色度ａ＝７、色度ｂ＝３に対し、色差ΔＥ＝６以下であるレーザー吸収層付き銅箔である。前記レーザー吸収層は、波長９〜１２μｍの光に対して、消光係数ｋ＝２５以上である２種以上の元素で構成され、かつ前記２種以上の金属元素の内の１種は少なくとも原子量５０〜７０の中の金属元素であり、該金属元素と他の元素との単位面積あたりの原子数比＝１〜５である。 （もっと読む）

【課題】焼成温度が十分に低く、焼成して得られる導電膜の抵抗値が十分に低い導電性組成物を提供する。
【解決手段】錫又は錫合金を主体とする金属粉と、有機酸と、アミンとを含む導電性組成物であって、前記金属粉に含まれる錫成分１００重量部に対して、前記有機酸を１重量部以上１５重量部以下、前記アミンを２重量部以上３０重量部以下含む導電性組成物。 前記アミンと前記有機酸との重量比は、前記有機酸１重量部に対して前記アミン１重量部以上４重量部以下であることが好ましい。前記有機酸は、カルボン酸であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 配線基板上の表面金属層にめっき層を良好に被着し、信頼性に優れた配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板10は、絶縁基体１と、絶縁基体１から部分的に露出するように絶縁基体１内に設けられており、ＣｕＷを含む放熱部材２と、放熱部材２に接して放熱部材２を覆うように絶縁基体１の表面に設けられており、主成分としてＭｏを含んでおり、Ｃｕを含む表面部を有している第１表面金属層３ａと、絶縁基体１の表面に設けられており、主成分としてＭｏを含んでおり、Ｃｕを含む表面を有している第２表面金属層３ｂと、絶縁基体１の表面または内部に設けられており、第２表面金属層３ｂに接してＣｕＷからなる金属部材３ｃと、第１表面金属層３ａ上および第２表面金属層３ｂ上にそれぞれ設けられためっき層とを備える。第１表面金属層３ａおよび第２表面金属層３ｂの表面にＣｕを起点としてめっき層を被着できる。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、前記表面処理層がＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＭｏのいずれか１種以上を含み、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＭｏのいずれか１種以上の元素、及び、酸素の深さ方向の濃度分布を測定したとき、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＭｏのいずれか１種以上の原子濃度が最大となる表層からの距離Ｘｎｍ、及び、酸素の原子濃度が最大となる表層からの距離Ｙｎｍが、Ｙ≦Ｘを満たす積層体。 （もっと読む）

【課題】低プロファイルで、常態における機械的強度が大きく、３００℃以上に加熱しても熱劣化がしにくい電解銅合金箔を提供すること。
【解決手段】タングステンを含有し、残部が銅（不可避的に混入する不純物を含む）からなる電解銅合金箔である。
また、タングステン、炭素、硫黄、窒素、及び塩素を含有し、残部が銅（不可避的に混入する不純物を含む）からなる電解銅合金箔である。
上記電解銅合金箔は、硫酸−硫酸銅系電解液に、チオ尿素系化合物、タングステン塩、塩化物イオンを添加し、電解析出することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】金属箔と金属箔上に配置される抵抗層との間の剥離を回避し充分なピール強度を有した電気抵抗層付き金属箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔の表面にベンゾトリアゾール処理を施したのち、その金属箔表面上に電気抵抗層を形成する。電気抵抗層は、アルミニウム、ニッケル、クロム、銅、鉄、インジウム、亜鉛、タンタル、スズ、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン及びこれらの合金からなる群の中から選択された金属から形成される。また、電気抵抗層付き金属箔は別の一実施形態において、金属箔上に配置された熱可塑性樹脂層を更に備える。 （もっと読む）

【課題】 サブトラクティブ法を用いた加工においても、微細配線加工性に優れたメタライジング法による２層金属化ポリイミドフィルムの提供と、この微細配線加工性に優れた２層金属化ポリイミドフィルムを基材に用いたプリント配線基板を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくＮｉを含む合金からなる下地金属層と、その下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜される銅薄膜層と、銅薄膜層の表面に電気めっき法で形成された銅めっき被膜を備える金属化ポリイミドフィルムにおいて、その銅めっき被膜が、銅薄膜層との界面から膜厚２．５μｍの範囲では、結晶が（１１１）面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが０．５μｍ〜１．５μｍの範囲で、硫黄を３０重量ｐｐｍ〜２５０重量ｐｐｍ含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）

【課題】電子部品が搭載されるランドを有する配線基板において、ランドの微細化に適した構成を実現する。
【解決手段】内部に内部配線１１を有する基材１２と、基材１２の一面１３に設けられ、電子部品３０と接続される導電性のランド１４とを備える配線基板１０において、基材１２の一面１３上には、ランド１４よりも面積の大きい表面配線層１５が設けられており、この表面配線層１５上にランド１４が直接積層されており、表面配線層１５は、ランド１４の直下より外れた部位にて内部配線１１と電気的に接続されることにより、ランド１４は、表面配線層１５を介して内部配線１１と電気的に接続されており、基材１２の一面１３上には、電気絶縁性の樹脂層２０が設けられており、ランド１４の上面１４ａが樹脂層２０より露出した状態でランド１４および表面配線層１５は樹脂層２０に封止されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を実現し得る半導体装置、及び、半導体素子が搭載される配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置は１０、絶縁性基板１２１と、縁性基板１２１の第１の主面１２１ａ上に形成される配線層１２２と、配線層１２２上に搭載される半導体素子１４と、を備える。この半導体装置１０において、配線層１２２は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第１の銅含有材料から構成されており、第１の銅含有材料の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数より小さい。また、絶縁性基板１２１の第１の主面１２１ａと反対側の第２の主面１２１ｂ上に形成される放熱層１２３と、放熱層１２３を介して絶縁性基板１２１と接合されるヒートシンク１６とを備える。この放熱層１２３は、銅を含む第２の銅含有材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】 表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、
前記表面処理層が、Ａｕ、Ｐｄ及びＰｔの少なくともいずれか１種を含み、
前記表面処理層側の２０ｎｍの深さまでの表層の２価のＣｕの酸化物の原子数の割合である（２価のＣｕの酸化物の原子数）／｛（１価のＣｕの酸化物の原子数）＋（単体のＣｕの原子数）｝（％）が８０％以下である積層体。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】 表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩化第二銅水溶液を腐食液とし、前記腐食液中、液温５０℃で且つ前記腐食液の攪拌を行わずに、Ａｇ／ＡｇＣｌ電極を用い、前記表面処理層側から測定範囲１ｃｍ×１ｃｍで測定したときに、測定開始時の自然電位が前記メッキ銅層の自然電位より３０ｍＶ以上高く、且つ、測定開始から１００秒以内で前記測定開始時の自然電位の２０％以下まで低下する積層体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】高透過性、低抵抗であり、耐久性、及び可撓性が向上し、簡易にパターニングが可能である導電材料、並びに該導電材料を用いた、視認性のよいタッチパネル及び変換効率の高い太陽電池の提供。
【解決手段】導電性繊維を含有する導電層を有する導電材料であって、前記導電層の分光吸収スペクトルにおいて、３２５ｎｍ〜３９０ｎｍの吸収ピークが１つである導電材料とする。３２５ｎｍ〜３９０ｎｍにおける吸収ピークの半値幅が１００ｎｍ以下である態様、導電材料の分光吸収スペクトルにおいて、３２５ｎｍ〜３９０ｎｍのピークトップ吸光度Ａと、８００ｎｍの吸光度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が１．５以上である態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａが０．２μｍ以下、又はＲｚが１．５μｍ以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が０．０５〜１．０ｍｇ／ｄｍ^２のＮｉまたＮｉ−Ｐの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が０．０１〜０．１０ｍｇ／ｄｍ^２のＺｎまたはＺｎ−Ｖの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ（親水性）が１５°から３５°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量０．００２〜０．０２ｍｇ／ｄｍ^２のシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式１に示すＬＭＰ値が１０６６０以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）、Ｌｏｇは常用対数である。 （もっと読む）