【課題】酸化する化合物と固形剤の物理的混合物ではない、改良された酸素除去組成物を提供することである。本発明の組成物の密接な接触が、常套の組成物よりも非常に低ヘーズを有する容器壁部を提供する。
【解決手段】酸素除去組成物を記載し、該組成物は、酸化可能な金属粒子上にプロトン性溶媒で加水分解可能なハロゲン化合物を析出させたものを含み、これは、プロトン性溶媒で加水分解可能なハロゲン化合物を含有し本質的に水分を含まない液体に金属を接触させ、次に必要なら、固形分から残りの溶媒を蒸発させたものである。また、この組成物を含有する容器壁部および半製品を記載する。 （もっと読む）

【課題】 螺旋型ポリアセチレンを用いた均一な配向膜を得ることができるＬＢ法による成膜方法を提供する。
【解決手段】 螺旋型ポリアセチレンを液面上に展開し、前記液面上に形成された螺旋型ポリアセチレンの単分子膜を基板に転写して成膜するＬＢ法による成膜方法において、成膜時における、下記式（１）で表される圧縮率Ｐが１×１０^−２ｍ／ｍＮ以下で成膜するＬＢ法による成膜方法。Ｐ＝（１／（ｄＨ／ｄＳ））×（１／Ｓ）・・（１［式中、Ｈは螺旋型ポリアセチレンの単分子膜の表面圧（ｍＮ／ｍ）を表す。Ｓは水面上に展開した螺旋型ポリアセチレンの単分子膜の面積（ｍ^２）を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト材料などに有用な単分子膜およびそれらが複数積層した積層膜を提供する。
【解決手段】 シルセスキオキサン誘導体からなるアクリル系又はスチレン系付加重合性単量体と一般式（Ｂ）で表される付加重合性単量体との共重合体の単分子膜を基板に被覆することによって、単分子膜、または積層膜を得る。


（一般式（Ｂ）において、Ｒ^bは水素もしくはメチルを表し、Ｚ²は−ＮＨ−であり、ｎは２〜２０の整数である。） （もっと読む）

【課題】導電性高分子の可溶化並びに分子レベルでの成膜化技術を同時に解決し、分子レベルで膜厚を制御した表示素子用導電性高分子薄膜を製造し、またかかる高分子薄膜を用いてなるエレクトロクロミック表示素子を提供する。
【解決手段】ｐ型導電性高分子とアニオン性の両親媒性化合物とから複合体を形成させ、又はｎ型導電性高分子とカチオン性の両親媒性化合物とから複合体を形成させ、次いでかかる複合体の溶液を調製した後、ラングミュア−ブロジェット（ＬＢ）法により分子レベルで膜厚を制御して、成膜することにより、表示素子用導電性高分子薄膜を製造する。また、この高分子薄膜を用いて、エレクトロクロミック表示素子が構成される。 （もっと読む）