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Fターム[4G001BA05]の内容

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【課題】より容易に電極部を形成すると共に、体積抵抗率をより低減する。
【解決手段】ハニカム構造体20は、流体の流路となる複数のセル23を形成する隔壁部22を備えている。このハニカム構造体20は、隔壁部22の一部に形成されSiC相とSi酸化物とAl酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と金属Siと金属Alとを含み金属Siと該金属Alとの総量に対する金属Alの割合が0.001mol%以上20mol%以下である金属相とを有する電極部32と、隔壁部22の一部であり電極部32より体積抵抗率が高い発熱部34とを備えている。このハニカム構造体は、SiC相とSi酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Siと金属Alとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Si及び金属Alをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 (もっと読む)


【課題】コストがかからず、高温での強度も十分高いSi−SiC系複合材料を提供する。
【解決手段】Si−SiC系複合材料を以下の手順で製造する。まず、SiC成形体と金属Siとを、金属Siが加熱溶融したあとSiC成形体と接触するように配置し、酸化物の標準生成自由エネルギーの負の絶対値がSiより大きい元素からなる易酸化性金属(例えば金属Al)を含む混合物を共存させた状態で、常圧下、Arガス雰囲気中、1400〜1800℃で加熱処理することにより、溶融した金属Siを前記SiC成形体に含浸させる。 (もっと読む)


【課題】赤みが強くかつ色空間において明るい色域を有する赤色顔料セラミックスを提供する。
【解決手段】 M2−xEuSiの化学組成(但し、MはSr、SrとBaま
たはSrとCa、Xが0.1≦X≦1.5)を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化アルミニウム粉末とアルカリ土類系酸化物の焼結助剤とを特定の配合比で含む混合物からなる成形体を、還元雰囲気下の特定条件での焼成、特定条件でのアニールすることに特徴があり、この製造方法により、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W/mK以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体が得られる。 (もっと読む)


【課題】平均熱膨張係数(23〜150℃)が2〜6ppm/Kの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いた基板を提供する。
【解決手段】ヒーター基板300は、板状の基板310と、ヒートパターン320とを備える。基板310は、窒化珪素結晶相と、メリライト結晶相(Me2Si3O3N4、Meはメリライトを形成する金属元素)と、粒界相とを有する窒化珪素・メリライト複合焼結体を材料として作成されている。窒化珪素・メリライト複合焼結体の切断面におけるメリライト結晶相の占める割合は20面積%以上である。 (もっと読む)


【課題】非接触式電力伝達系を提供する。
【解決手段】この電力伝達系は誘電材料を含む場集束素子を含む。誘電材料は(Ba,Sr)TiO又はCaCuTi12の群から選択される組成物を含む。(Ba,Sr)TiOの組成物には、Ca1−x−yBaSrTi1−zCr3−δのような材料が包含され、ここで0<x<1、0<y<1、0≦z≦0.01、0≦δ≦1、0≦p≦1である。CaCuTi12の組成物には、Ca1−x−yBaSr(Ca1−zCu)CuTi4−δAlδ12−0.5δのような材料が包含され、ここで0≦x<0.5、0≦y<0.5、0≦z≦1、0≦d≦0.1である。 (もっと読む)


【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、1000℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Cu、Ag、Au、Al等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、(a)ガーナイト結晶相および/またはスピネル結晶相、(b)アスペクト比が3以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び(c)AlN、Si、SiC、Al、ZrO、3Al・2SiO及びMgSiOの群から選ばれる少なくとも1種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が0.3%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、青色放射LEDと、前記LEDの放射波長で励起される第1の蛍光体層であって、蛍光体が500nm乃至560nmの範囲内の放射波長を有する第1の蛍光体層と、0.24乃至0.35の間の範囲での色点u'及び放射スペクトルのうちのλp>600nmの蛍光体層のピーク放射を有する第2の蛍光体層と、を含む発光装置に関し、特に、緑色放射ルミネッセンスセラミック材料及び広い放射スペクトルを有する第2の蛍光体材料の組合わせを含む蛍光体変換LEDに関する。第2の蛍光体材料は、一般式M1-x-y-zSi1+zAl1-zN3-zOz :Eu2+xCe2+yの複合物を含み得、MはCa、Sr、及びこれらの混合物からなる群から選択されており、0.0001≦x≦0.005、0.001≦y≦0.05、及び0≦z≦0.25
である。 (もっと読む)


本発明は、M3―x―yIIxSi6―xAl12:Euの形の改良された緑色発光材料に関する。ここで、Mは、アルカリ土類金属であり、MIIは希土類金属又はランタンである。この材料は、低温度焼結ステップを使用しているセラミックとして作られることができ、より良好で更に均一のセラミック体をもたらす。
(もっと読む)


【課題】匣鉢内に蓋や囲い等を設置することなく、仮焼及び本焼成の両者に対応可能なSi結合SiCセラミックスの焼成方法を提供する。
【解決手段】溝6が、匣鉢2における対向する一対の枠板5にのみ形成されており、少なくとも本焼成において、それぞれの匣鉢2の溝形成枠板5aと、隣接する匣鉢2の溝形成枠板5aとが向かい合い、それぞれの溝形成枠板5aが焼成炉8の幅方向と平行となるよう配置された、複数の匣鉢2の積載された耐火容器を、互いに接しない程度の間隔を保持しつつ、連続的に焼成炉8へと導入し、焼成を行う、Si結合SiCセラミックスの焼成方法。 (もっと読む)


【課題】アルカリ性溶液と酸性溶液とに対する耐食性に優れ、それら溶液に頻繁に晒されるような過酷な環境下でも強度が低下しにくいセラミック多孔体を提供する。
【解決手段】10〜20質量%のZrOを含むガラス相と、ZrO粒子及びSiC粒子からなる群より選択される何れか一種の骨材粒子とを含むセラミック多孔体。 (もっと読む)


【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してSiC粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるSiC系焼結体リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】SiC系焼結体回転リング及びカーボン系シートリングを含むメカニカルシール装置において、前記SiC系焼結体リングは、平均結晶粒径が5μm以下、気孔率が5.0%以下、平均気孔径が2.0μm以下であって、比抵抗が室温で1Ω・cm以下であるSiC系焼結体リングとする。このリングはSiC純度が97%以上であるとともに3C結晶を92%以上含有するSiC原料粉末を造粒・成形した後で、加圧焼結法による圧力環境下で焼結することによって製造する。 (もっと読む)


【課題】平均熱膨張係数(23〜150℃)が2〜6ppm/Kの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体、およびそれを用いた装置を提供する。
【解決手段】窒化珪素・メリライト複合焼結体は、窒化珪素及びメリライト(MeSi、Meは窒化珪素とメリライトを形成する金属元素)を含む複合焼結体であって、Siを、Si換算で41〜83モル%、Meを、酸化物換算で13〜50モル%、含有する。また、装置は、半導体検査用装置であって、そのような窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いて構成される。 (もっと読む)


【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がc軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化1】


(式中、Aは2価の元素、BおよびB’は4価の元素を表す。xは0.35以上0.6以下、yは0.35以上0.6以下、zは0.35以上0.6以下、δ1およびδ2は−0.2以上0.2以下の数値を表す。)前記AはBa,Sr,Caから選ばれた少なくとも1種であり、BおよびB’はTi,Zr,Hf,Si,Ge,Snから選ばれた少なくとも1種である。 (もっと読む)


【課題】
高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末を、これまでに知られている方法と比べ、より経済性に優れた方法で製造する。
【解決手段】
ホウ素含有物質と窒素含有物質とを1300℃以下で反応させて得られる粗製六方晶窒化ホウ素粉末を、大気雰囲気中60℃以下で1週間以上養生させた後に、洗浄してから、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200℃で再加熱処理し、平均粒径が10μm以上に結晶成長させることを特徴とする、高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。大気雰囲気中60℃以下で1週間以上養生させた後再加熱する前の状態における、粗製六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が2.5以上かつ数平均粒子径が9μm以下であり、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200℃で再加熱処理した後の高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が1.9以下かつ数平均粒子径が10μm以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第3a族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ2GHzと3GHzにおける誘電損失が5×10−4以下であり、熱伝導率が50W・m−1・K−1以上であり、気孔率が3%未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 高い熱伝導率を有し、しかも切削加工性の良い窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 硬度が21000Pa、平均粒径が4〜9μmの窒化アルミニウム結晶粒を有する窒化アルミニウム焼結体であり、上記焼結体は、窒化アルミニウム結晶粒の三重点に、平均粒径が0.5〜2μmであり、好ましくは、Yを単一化合物として有する焼結助剤含有相を、焼結体中におけるYの割合が 1.4〜3.5質量%となる割合で有する。 (もっと読む)


【課題】ドライエリア発生時のクラックの発生が抑制された金属蒸発発熱体を製造するのに好適なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
二硼化チタン(TiB)粉末と窒化硼素(BN)粉末を含有する原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下で焼結する方法において、TiB粉末が、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された体積基準の粒度において、5μm未満の領域の頻度が全領域の15%以下、5μm以上20μm未満の領域の頻度が全領域の75%以上、20〜62μmの領域の頻度が全領域の10%以下であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明では、原料粉末の組成が、TiBが40〜60質量部、BNが31.5〜58.9質量部、AlNが0.3〜2.0質量部、Sr化合物が0.3〜3.0質量部及びFe又はFe化合物が0.5〜3.5質量部であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体の製法を提供する。
【解決手段】酸素を1.7重量%以下、不純物陽イオン元素としてのAl,Li,Na,K,Fe,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下、α相型窒化けい素を90重量%以上含有し、平均粒径1.0μm以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して2.0〜17.5重量%,Mgを酸化物に換算して0.3〜3.0重量%添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度1700〜1900℃で焼結し、上記焼結温度から、1500℃までの冷却速度を毎時100℃以下にして徐冷することにより、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合を20%以上とすることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法である。 (もっと読む)


本発明は、基本的に、組成物M1−y2−x2−2x2+x:Euから成り、ここで、Mは、Sr、Ca、Ba、Mg又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Aは、Si、Ge又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Bは、Al、B、Ga又はそれらの混合物を含むグループから選択され、x及びyは、>0から≦1までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にLEDに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である2相組成物であることが分かった。
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