【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複合材料における強化材の充填率を高くすることができる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素および炭化ケイ素のそれぞれの強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素の粉粒体に液体フェノールをバインダとして加え、セディメント成形する工程と、セディメント成形の結果、作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程とを含む。これにより、プリフォームにおける炭化ホウ素粒子の充填阻害を回避し、充填率を高く維持でき、製造した複合材料における炭化ホウ素粒子の充填率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】接合強度の向上を図った中空構造のＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることが可能なＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法を提供する。
【解決手段】複数のＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＣＢＮ成形体であって、それの表面に耐熱性物質層が結合されている該ＣＢＮ成形体を製造するその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）成形体であって、その表面に耐熱性物質層が結合されている該立方晶窒化ホウ素成形体を製造する方法において、ＣＢＮ粒子塊を、前記耐熱性物質層を形成することのできる材料と接触させて配置することによって、反応集合体を作る工程と、前記反応集合体を、ＣＢＮ成形体を形成するのに適した高温高圧条件にさらす工程と、を含む、上記方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、より効率的に機能する、即ち耐摩耗性、熱伝導性、耐衝撃性及び耐熱性の向上を示す改良型ＣＢＮ系材料を開発することである。
【解決手段】本発明は、少なくとも７０体積パーセントの量で存在する立方体窒化ホウ素粒子の多結晶塊と、性質上金属であるバインダ相とを含む立方体窒化成形体に向けられる。本発明は、バインダ相が好ましくは性質上超合金である成形体に及ぶ。 （もっと読む）

【課題】セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属−セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、セラミックスがＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４の何れかであり、マトリックス金属及び金属が同種でＳｉ、Ａｌ、Ｃｕの何れかであり、セラミックスの充填率が２０〜５０体積％である金属−セラミックス複合材料からなる。 （もっと読む）

【課題】低コストで炭化ホウ素プリフォームにケイ素を含浸でき、ケイ素含浸中にクラックの発生を防止できる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素１０の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素１０の粒子表面に炭素成分２０をコーティングしたプリフォームを作製する工程と、前記作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程と、を含む。これにより、プリフォーム中の炭化ホウ素１０の粒子表面が炭素成分２０でコーティングされ、金属ケイ素の含浸時に直接に炭化ホウ素１０がケイ素に触れることを防止できる。また、表面にコーティングされた炭素成分２０がケイ素と反応して炭化ケイ素３０になるため、炭化ホウ素１０の粒子表面が炭化ケイ素３０に覆われ、炭化ホウ素１０の粒子が保護される。 （もっと読む）

【課題】導電性と高い熱伝導率を有すると共に、高剛性で耐摩耗性に優れたＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料は、ＳｉＣ粒子の間にＳｉが充填された構造を有し、ＳｉＣの充填率ξが８６〜９４体積％であり、断面組織におけるＳｉスポットの最近接重心間距離が１０〜８０μｍである。そして、断面組織におけるＳｉスポットの平均直径が１〜２０μｍである。 （もっと読む）

【課題】製造時に亀裂の発生が抑制された、表層と基材内部の物性が異なる複合セラミックスとその製造方法を提供する。
【解決手段】マトリックス中に強化材が含まれてなる複合セラミックスであって、前記強化材の単位体積当たりの含有率が、前記複合セラミックス表面および表面近傍で最小値をとり、続いて表面から深さ方向に対して漸増して、その後一定値に達することを特徴とし、さらに強化材の含有率が、深さ方向に対して直線状、階段状、漸近曲線状のいずれか１つの形状で漸増する、マトリックスが炭化ケイ素とシリコンと炭素からなり、強化材が炭素繊維であるとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】より容易に電極部を形成すると共に、体積抵抗率をより低減する。
【解決手段】ハニカム構造体２０は、流体の流路となる複数のセル２３を形成する隔壁部２２を備えている。このハニカム構造体２０は、隔壁部２２の一部に形成されＳｉＣ相とＳｉ酸化物とＡｌ酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と金属Ｓｉと金属Ａｌとを含み金属Ｓｉと該金属Ａｌとの総量に対する金属Ａｌの割合が０．００１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下である金属相とを有する電極部３２と、隔壁部２２の一部であり電極部３２より体積抵抗率が高い発熱部３４とを備えている。このハニカム構造体は、ＳｉＣ相とＳｉ酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Ｓｉと金属Ａｌとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Ｓｉ及び金属Ａｌをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径５ｍｍ以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が１５０μｍ以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】コストがかからず、高温での強度も十分高いＳｉ−ＳｉＣ系複合材料を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料を以下の手順で製造する。まず、ＳｉＣ成形体と金属Ｓｉとを、金属Ｓｉが加熱溶融したあとＳｉＣ成形体と接触するように配置し、酸化物の標準生成自由エネルギーの負の絶対値がＳｉより大きい元素からなる易酸化性金属（例えば金属Ａｌ）を含む混合物を共存させた状態で、常圧下、Ａｒガス雰囲気中、１４００〜１８００℃で加熱処理することにより、溶融した金属Ｓｉを前記ＳｉＣ成形体に含浸させる。 （もっと読む）

【課題】高剛性でかつ高熱伝導率のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を支障なく提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粒子の間にＳｉが充填された構造を有するＳｉＣ／Ｓｉ複合材料において、ＳｉＣ粒子が、粒度が異なる粗粉及び微粉により構成され、ＳｉＣの充填率が、８６〜９４体積％となるようにする。この場合、ＳｉＣ粒子の結晶相は、粗粉においてはα相のみであり、微粉においてはβ相のみであるか又はβ相及びα相が混在しており、α相及びβ相の結晶の含有率をそれぞれα体積％及びβ体積％とすれば、６４≦β／（１００−α）≦８６が成立する。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件下に耐え得る立方晶窒化硼素焼結体が強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、立方晶窒化硼素焼結体が接合層を介して工具母材に接合されたものであって、立方晶窒化硼素焼結体は、３０体積％以上９５体積％以下の立方晶窒化硼素粒子と５体積％以上７０体積％以下の結合相とを含有し、立方晶窒化硼素焼結体と接合層との接合面のうちの面積が最大となる接合面に垂直な面で立方晶窒化硼素焼結体工具を切断したときの少なくとも１つの切断面において、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さの４分の１の長さだけ離れた点を点Ｄとすると、点Ｃと点Ｄとを結ぶ線分と、第１立方晶窒化硼素粒子と、第２立方晶窒化硼素粒子と、結合相とによって囲まれる領域の面積を、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さで除したときの値が、０．１４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部材と金属部材とを、ろう付けによって高い導電性を確保した状態で接合するセラミックス−金属接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体の製造方法は、導電性を有するセラミックス材料からなるセラミックス部材１３１の接合面１３１ａに、還元性を有する還元剤１３４を塗工して上記接合面１３１ａにおける酸化膜を還元除去し、その後、セラミックス部材１３１と金属部材１３２とをろう材１３３を介して接合する工程を備えたセラミックス−金属接合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】溶解材料の含浸時に十分に炭化ホウ素とケイ素との反応を抑制し、クラックの発生を防止できる。
【解決手段】本発明の複合材料の製造方法は、炭化ホウ素の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、金属ケイ素に対して１０重量％以上の炭化ホウ素が含有されるように、炭化ホウ素含有材料を溶融金属ケイ素に混合し事前溶解させ、１４２０℃以上１５００℃以下で事前溶解材料を、炭化ホウ素のプリフォームに含浸させる。このように、金属ケイ素に対して１０重量％以上の炭化ホウ素が含有されるように事前溶解材料を生成し、低温の１４２０℃以上１５００℃以下でプリフォームへの含浸させるため含浸時に炭化ホウ素と金属ケイ素との反応が生じにくい。その結果、反応生成物によるクラックを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供すること。
【解決手段】基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、ＳｉＣを７０〜９９質量％、Ｓｉを１〜３０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】流体の温度を安定的にかつ短時間に上昇させることができる流体昇温用フィルターおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンおよび炭化ケイ素を含有しており、マイクロ波によって加熱されて用いられる。 （もっと読む）

【課題】高充填率であっても加工コストを抑えられるＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Ｓｉを浸透させる浸透工程と、を含むＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法。前記有機バインダーの添加量は、前記ＳｉＣ粉末をタップした際にできる空隙の容積の２５〜１００体積％に調整する。 （もっと読む）

【課題】接合強度が大きく、且つセラミックス材料と金属材料とを簡便に接合することが可能なセラミックス−金属接合体を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体１００は、骨材としての炭化珪素粒子、及び炭化珪素粒子を結合させる結合材としての珪素を含有する多孔質のセラミックス材料からなるセラミックス部材３１と、金属部材３２とが、ろう材３３を介して接合されたものであり、セラミックス部材３１を構成するセラミックス材料が、セラミックス材料１００質量％に対して、結合材としての珪素を、３０〜８０質量％含有するものである。 （もっと読む）