【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の断続切削加工で、すぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮する立方晶窒化ほう素基焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素基焼結材料製切削工具において、立方晶窒化ほう素粒子の平均粒径は０．５〜８μｍである。該前記立方晶窒化ほう素粒子の表面は、部分的に切れ間が形成された平均膜厚１０〜９０ｎｍの酸化アルミニウム膜によって被覆される。前記切れ間の平均形成割合ｈ／Ｈは、０．０２≦ｈ／Ｈ≦０．０８を満足する。ここで、ｈは酸化アルミニウム膜の切れ間長、Ｈは立方晶窒化ほう素粒子の周囲長を示す。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性および高い耐欠損性を有する、酸窒化アルミニウムを含む焼結体を提供する。
【解決手段】焼結体は、酸窒化アルミニウムを含む硬質部と、第６族元素〜第１０族元素から選択される少なくとも１種の金属からなる結合部と、を含み、焼結体における前記硬質部の含有量が４０体積％以上９０体積％以下である、焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高い硬度と高い靭性を有する焼結体を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結体は、工具用の焼結体であって、酸窒化アルミニウムと、第５族元素〜第１０族元素の遷移金属、該遷移金属の窒化物、炭化物、およびホウ化物から選択される少なくとも１種を含む結合材と、ウィスカーと、を含み、焼結体における酸窒化アルミニウムの含有量が２０体積％以上８０体積％以下である、焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を持ち、難焼結性を改善し、他の特性も同時に向上させる、ＷＣ基Ｗ−Ｍｏ−ＳｉＣ系複合セラミックス及びその製造方法。
【解決手段】Ｗ_１−ｘＭｏ_ｘＣ（ｘ＝０．０５〜０．２５）固溶体及び５〜３０ｍｏｌ％のＳｉＣからなる相を備え、高ヤング率、高硬度の特性を有することを特徴とするＷＣ基Ｗ−Ｍｏ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス。ＷＣの持つ特性すなわち、高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるＷＣ基Ｗ−Ｍｏ−ＳｉＣ系複合セラミックスを製造出来る。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件下に耐え得る立方晶窒化硼素焼結体が強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、立方晶窒化硼素焼結体が接合層を介して工具母材に接合されたものであって、立方晶窒化硼素焼結体は、３０体積％以上９５体積％以下の立方晶窒化硼素粒子と５体積％以上７０体積％以下の結合相とを含有し、立方晶窒化硼素焼結体と接合層との接合面のうちの面積が最大となる接合面に垂直な面で立方晶窒化硼素焼結体工具を切断したときの少なくとも１つの切断面において、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さの４分の１の長さだけ離れた点を点Ｄとすると、点Ｃと点Ｄとを結ぶ線分と、第１立方晶窒化硼素粒子と、第２立方晶窒化硼素粒子と、結合相とによって囲まれる領域の面積を、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さで除したときの値が、０．１４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】粒子形状及びサイズの一定した高品質の結晶質窒化ケイ素粉末を低コストで大量に生産できる新規な製造方法を提供することである。
【解決手段】非晶質窒化ケイ素粉末及び／又は含窒素シラン化合物を窒素含有不活性ガス雰囲気下又は窒素含有還元性ガス雰囲気下に焼成して、結晶質窒化ケイ素粉末を製造するに際し、非晶質窒化ケイ素粉末及び／又は含窒素シラン化合物を圧縮成形して、嵩密度０．８ｇ／ｃｍ^３超〜１．０ｇ／ｃｍ^３以下、短軸径１ｍｍ以上、長軸径２０ｍｍ以下の顆粒状物とすること、及び昇温過程において、１０００〜１２００℃の温度範囲全域における昇温速度を１０℃／分以下とすることを特徴とする結晶質窒化ケイ素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有するβ型サイアロンの製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ_６−ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８−ｚで示されるβ型サイアロンにＥｕ^２＋を固溶したβ型サイアロンの製造方法である。β型サイアロンの原料を混合する混合工程と、混合工程後の原料を焼成してβ型サイアロンを形成する焼成工程と、焼成工程後のβ型サイアロンにＨＩＰ（Ｈｏｔ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）処理を行うＨＩＰ処理工程と、ＨＩＰ処理工程後のβ型サイアロンにアニ−ル処理を行うアニ−ル処理工程と、アニール処理工程後のβ型サイアロンに酸処理を行う酸処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】摩擦撹拌接合のプローブに適した回転工具を提供する。
【解決手段】この回転工具は、摩擦撹拌接合のプローブに用いられるものであり、WCを主成分とし、残部がSiC及び不純物から構成される焼結体からなる。この焼結体の熱伝導率が130W/m・K以下である。SiCを含有していながらも熱伝導率が低いことで、この回転工具により摩擦撹拌接合を行った場合、接合対象に摩擦熱を十分に伝えて、接合対象の構成材料を十分に塑性流動させて良好に接合できる。この回転工具は、WC-SiC系焼結体により構成されることで、ヤング率が高く剛性に優れる上に、硬度が高く耐摩耗性に優れるため、長期に亘り上記良好な接合を安定して提供することができると期待される。 （もっと読む）

【課題】本質的にモリブデンケイ化物及びこの基本材料の合金を含有し、そしてその表面にアルミニウムオキシドを形成する加熱エレメント製造方法の提供。
【解決手段】シリコン、及びモリブデン化合物の混合物をアルミニウム化合物と混合することにより、実質的にＭｏ（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）_２及びＡｌ_２Ｏ_３を含む材料を製造することを特徴とし、シリコン及びモリブデン化合物はいずれも、Ｍｏ（Ｓｉ_１−ｙＡｌ_ｙ）_２を含み、そしてＡｌ_２Ｏ_３又はＡｌ（ＯＨ）_３から成るアルミニウム化合物のいずれかと混合され、所望によりＳｉＯ_２、Ｓｉ、及びＭｏ_３の１種以上と、あるいは又ＭｏＯ_３及びＡｌそしてＳｉ及び／又はＳｉＯ_２を含むシリコン及びモリブデン化合物と混合され、投入成分は共に少なくとも９８％に対応する純度を有する。混合物は発熱性の反応を起こし、そして／又は焼結される。（ｘ：０．４〜０．６の範囲） （もっと読む）

【課題】制御された密度及び破壊強さの特徴を有する新規な窒化ホウ素凝集粉末及び窒化ホウ素凝集粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化ホウ素凝集体を含む供給原料粉末を準備し、そして、供給原料粉末を熱処理することにより、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末を形成することを必要とする。1態様の場合、供給原料粉末は、制御された結晶サイズを有する。別の態様の場合、供給原料粉末はバルク源から導かれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ケイ化モリブデン及びこの基本材料の合金から本質的に構成される発熱体の製造のための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それ自体既知の方法で、アルミニウムケイ化モリブデンＭｏ（Ｓｉ_１−ｙＡｌ_ｙ）_２をベントナイトクレーと混合することによりＭｏ（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）_２及びＡｌ_２Ｏ_３を実質的に含有する材料を生成し、しかも、該ベントナイトクレーは不純な又は汚染性の物質を含有するようにされ、該ケイ化モリブデンは、該不純物と合金化されることができなく且つケイ化モリブデンの結晶格子の対称性は、２０００ｐｐｍ未満での組み合わせ含有量で該不純物と維持されることを特徴とする。本発明はまた、発熱体に関する。 （もっと読む）

【課題】作業性および精度を向上させると共に、適用範囲を拡大する。
【解決手段】原料微粉を被成形微粉として、加圧成形した後、焼結させて形成したスリーブおよびコアを備えた熱間加圧成形用の型であり、原料微粉として、炭化チタンの微粉、炭化バナジウムの微粉、炭化クロムの微粉、炭化ジルコニウムの微粉、炭化ニオブの微粉、炭化モリブデンの微粉、炭化ハフニウムの微粉、炭化タンタルの微粉、炭化タングステンの微粉および炭化珪素の微粉の中から１種選択し、或いは２種以上を選択して混合し、スリーブおよびコアの被成形微粉の配合を各々個別に調製することにより、コアの熱膨張係数をスリーブの熱膨張係数より大きくすると共に、両熱膨張係数の値およびその差を所望の値に調製して、冷間時のスリーブとコアとの間のクリアランスを大きく確保すると共に、熱間時にスリーブとコアを密着させる。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１３００〜１４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能な耐熱耐摩耗部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、相対密度９７％以上かつＳｉＣの最大粒子径が４．０μｍ以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用耐熱耐摩耗部材。１４００℃の窒素ガス中で６時間加熱した後の減量が０．１質量％以下、かつ耐ブラスト性試験が０．０５質量％/回以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

本発明は、酸化ケイ素と、炭水化物を有する炭素源との高めた温度での反応による炭化ケイ素の製造方法、特に炭化ケイ素の製造のため又は炭化ケイ素を含有する組成物の製造のための工業的方法に関する。更に、本発明は、高純度の炭化ケイ素、これを含有する組成物、触媒としての使用並びに電極及び他の物品の製造の際の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板、パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４及びβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分４よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域部５を有するとともに、該Ａｌ多領域部５が希土類元素を含有する被覆層６で覆われていることを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】色むらがなく熱伝導性に優れたアルミニウム焼結体を、生産性良く製造する。
【解決手段】成形・プレス工程で生じる窒化アルミニウム成形体のシート残りを、加熱処理した後に粉砕して粉状とし、それを原料として再び配合することを特徴とする生産性に優れた窒化アルミニウム焼結体の製造方法であり、３５０℃以上で加熱処理して作製した回収粉を原料として添加することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法であり、回収粉中のＦｅ増分が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）