【課題】 粒界内炭素の含有量が少なく、焼結性に優れ、さらに高い熱伝導率を有する焼結体を得ることのできる、窒化アルミニウム粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法により窒化アルミニウム粉末を製造する方法であり、アルミナ粉末、カーボン粉末、ナトリウム化合物、及び、上記還元窒化温度下でアルミナと共融解し得るアルカリ土類金属化合物又は希土類金属化合物を特定量使用した組成物を、１３００℃〜１７５０℃の温度で還元窒化する。 （もっと読む）

【課題】複合材料における強化材の充填率を高くすることができる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素および炭化ケイ素のそれぞれの強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素の粉粒体に液体フェノールをバインダとして加え、セディメント成形する工程と、セディメント成形の結果、作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程とを含む。これにより、プリフォームにおける炭化ホウ素粒子の充填阻害を回避し、充填率を高く維持でき、製造した複合材料における炭化ホウ素粒子の充填率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 大粒径の窒化アルミニウム焼結顆粒を工業的に製造することを可能とする窒化アルミニウム焼結顆粒の製造方法を提供する。
【解決手段】 有機バインダー、窒化アルミニウム粉末及び焼結助剤を含有するグリーンシートを細片に切断加工することにより、好ましくは、個々のグリーン片の体積が１．５×１０^７〜１．０×１０^９μｍ^３であるグリーン片を得、次いで、得られたグリーン片を、例えば、１５００〜２０００℃の温度で焼成して窒化アルミニウム焼結顆粒を得る。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】
アルミニウム粉末、又はアルミニウムを９０質量％以上含むアルミニウム合金粉末との混合粉末を含む金属粉末２０体積％〜４０体積％と、平均粒径が１０μｍ〜３５０μｍの炭化珪素を９５体積％以上含有するセラミックス粉末６０体積％〜８０体積％との混合粉末を金属粉末の融点未満の温度で加圧成形し、加圧成形時に最終的に穴加工を行う箇所に融点が成形温度以上である金属、若しくは融点が成形温度以上である金属にセラミックスを含有するセラミックス−金属複合体を配置した板状のアルミニウム−炭化珪素質複合体で、板状のアルミニウム−炭化珪素質複合体の金属、若しくは融点が成形温度以上である金属にセラミックスを含有するセラミックス−金属複合体部分を機械加工し、穴部を形成した板状のアルミニウム−炭化珪素質複合体。 （もっと読む）

【課題】基板の厚みを低減させることなく、放熱性を向上させたパワーモジュール用のセラミックス焼結板を提供する。
【解決手段】少なくとも針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と粒状非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子がＣ軸配向し、かつ、相対密度が９４〜９８％であるセラミックス焼結板により、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化アルミニウム基板の製造に関し、酸化性、非酸化性と雰囲気の相反する脱脂炉と焼結炉において共用可能な台板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム粒子と焼結助剤と有機バインダーとから成る窒化アルミニウム成形体を酸化性雰囲気の脱脂炉中で脱脂し、次いで１６００〜２１００℃の非酸化性雰囲気の焼結炉中で焼成して窒化アルミニウム焼結体を得る製造方法において、窒化アルミニウム成形体を積載した耐酸化性及び耐熱性を有する台板を前記脱脂炉及び焼結炉内で共用可能に使用すること、また前記台板が、グラファイト板の全表面を炭化珪素の皮膜で被覆していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、
前記緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比４以上１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックスを含み、該アルミナ質セラミックスが、アルミナ以外の成分系として、それぞれ０．１〜６質量％の、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、希土類酸化物（ＲＥ_２Ｏ_３及び／又はＲＥＯ_２、ＲＥ：希土類元素）、酸化鉄(Ｆｅ_３Ｏ_４及び/又はＦｅ_２Ｏ_３）、カルシア（ＣａＯ）、クロミア（Ｃｒ_２Ｏ_３）、前記以外の遷移金属酸化物、又は、これらの複合酸化物の少なくとも１種以上を含有することを特徴とする蓄熱部材。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属Ｓｉの窒化過程において、金属Ｓｉの噴出を抑制する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は、金属Ｓｉを窒化する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法において、金属Ｓｉ、焼結助剤、および、加熱することによって気孔を形成する造孔剤を含む混合物の圧紛体を加熱して、上記圧紛体中の金属Ｓｉ間に気孔を形成する造孔工程と、上記造孔工程にて得られた、気孔が形成された金属Ｓｉおよび焼結助剤を含む多孔体を、窒素雰囲気下にて焼成して反応焼結体を得る窒化工程と、窒化工程での反応焼結体を焼成した窒化温度を超える温度にて反応焼結体を焼成して緻密化し、最終焼結体を得る緻密化工程と、を含む （もっと読む）

【課題】耐酸化性や耐食性に優れた炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材を提供する。
【解決手段】有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰囲気下において反応焼結させて炭化ケイ素化し、シリコンを溶融含浸してシリコン被覆層を形成し、次いで樹脂類を含む第二スラリーを含浸させ炭素化するとともにシリコン被覆層の少なくとも表面を炭化ケイ素化する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱伝導性に優れた窒化ホウ素粒子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
ホウ酸メラミンと、粉末X線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）２．０以下、平均粒子径５〜４０μmの鱗片状窒化ホウ素粉末からなり、平均粒子径が４０〜３００μmである複合粒子。有機バインダーを０．０５〜１．０質量％含有した水溶液１００質量部に対し、ホウ酸メラミン１００質量部に対して鱗片状窒化ホウ素が１．０〜２０質量部の混合物１０〜５０質量部含有するスラリーを用いて、噴霧造粒する複合粒子の製造方法。複合粒子を、非酸化性雰囲気下６００〜１３００℃で焼成後、非酸化性雰囲気下１６００〜２２００℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの１２００ｃｍ^−１での散乱強度を基準散乱強度レベルＸ0として、その基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度にて表した、５００〜５３０ｃｍ^−１に出現する最強の散乱ピークの高さをＹkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、１２００ｃｍ^−１における基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度Ｙ1として、Ｙ1のＹkに対する比Ｙ1／Ｙkを０．４以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】超硬質多結晶炭化ホウ素材料を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶Ｂ_４Ｃ材料は強磁界整列技術及び焼結によって作製することができる。このＢ４Ｃのｃ軸は印加された磁界に垂直に高度に配向されていた。ｃ軸に垂直／平行な表面上で測定された硬度は夫々３８．８６±２．１３ＧＰａ及び３１．３１±０．７９ＧＰａであった。これらの大きな値の硬度、弾性係数及び破壊靱性によりＢ４Ｃ材料の応用分野が拡大する。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性と靭性とを備えたセラミックス焼結体を実現する。
【解決手段】セラミックス焼結体を、β型窒化ケイ素および／またはβ型サイアロンを主体とし、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含む基材と、物理蒸着法により、前記基材の少なくとも一部を被覆する硬質セラミックス皮膜とから形成する。基材に、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含むため、この基材上に形成される硬質セラミックス皮膜の結晶構造が適切なものとなる。 （もっと読む）

【課題】切削工具の材料として用いた場合に、優れた耐摩耗性および耐欠損性を有する切削工具を得ることのできる焼結体およびその製造方法ならびにその焼結体を用いた切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶型サイアロンと、β型サイアロンと、第１化合物および第２化合物の少なくともいずれかとを含む焼結体であって、第１化合物は、鉄、コバルト、ニッケル、周期律表の第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、第２化合物は、第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、炭素、窒素および硼素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる少なくとも１種の化合物である。 （もっと読む）

【課題】平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いた基板を提供する。
【解決手段】ヒーター基板３００は、板状の基板３１０と、ヒートパターン３２０とを備える。基板３１０は、窒化珪素結晶相と、メリライト結晶相（Ｍｅ２Ｓｉ３Ｏ３Ｎ４、Ｍｅはメリライトを形成する金属元素）と、粒界相とを有する窒化珪素・メリライト複合焼結体を材料として作成されている。窒化珪素・メリライト複合焼結体の切断面におけるメリライト結晶相の占める割合は２０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）