【課題】３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤は含有しておらず、研削加工を行っても表面粗さの小さい窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性を有する純度９９％以上の窒化アルミニウム焼結体であって、密度が３．２０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上であり、Ｃａを２００ｐｐｍ以上４００ｐｐｍ以下、Ｓｉを１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、Ｃを２２０ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下含有する。窒化アルミニウム焼結体は、３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤を含有せず、緻密化を促進する物質であるＣａと阻害する物質であるＳｉおよびＣを所定量含有する。これにより、研削面において窒化アルミニウム焼結体の表面粗さを小さくすることが可能となる。その結果、研削面の表面積が小さくなり、窒化アルミニウム焼結体の耐食性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 粒界内炭素の含有量が少なく、焼結性に優れ、さらに高い熱伝導率を有する焼結体を得ることのできる、窒化アルミニウム粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法により窒化アルミニウム粉末を製造する方法であり、アルミナ粉末、カーボン粉末、ナトリウム化合物、及び、上記還元窒化温度下でアルミナと共融解し得るアルカリ土類金属化合物又は希土類金属化合物を特定量使用した組成物を、１３００℃〜１７５０℃の温度で還元窒化する。 （もっと読む）

【課題】 大粒径の窒化アルミニウム焼結顆粒を工業的に製造することを可能とする窒化アルミニウム焼結顆粒の製造方法を提供する。
【解決手段】 有機バインダー、窒化アルミニウム粉末及び焼結助剤を含有するグリーンシートを細片に切断加工することにより、好ましくは、個々のグリーン片の体積が１．５×１０^７〜１．０×１０^９μｍ^３であるグリーン片を得、次いで、得られたグリーン片を、例えば、１５００〜２０００℃の温度で焼成して窒化アルミニウム焼結顆粒を得る。 （もっと読む）

【課題】セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属−セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、セラミックスがＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４の何れかであり、マトリックス金属及び金属が同種でＳｉ、Ａｌ、Ｃｕの何れかであり、セラミックスの充填率が２０〜５０体積％である金属−セラミックス複合材料からなる。 （もっと読む）

【課題】基板の厚みを低減させることなく、放熱性を向上させたパワーモジュール用のセラミックス焼結板を提供する。
【解決手段】少なくとも針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と粒状非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子がＣ軸配向し、かつ、相対密度が９４〜９８％であるセラミックス焼結板により、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化アルミニウム基板の製造に関し、酸化性、非酸化性と雰囲気の相反する脱脂炉と焼結炉において共用可能な台板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム粒子と焼結助剤と有機バインダーとから成る窒化アルミニウム成形体を酸化性雰囲気の脱脂炉中で脱脂し、次いで１６００〜２１００℃の非酸化性雰囲気の焼結炉中で焼成して窒化アルミニウム焼結体を得る製造方法において、窒化アルミニウム成形体を積載した耐酸化性及び耐熱性を有する台板を前記脱脂炉及び焼結炉内で共用可能に使用すること、また前記台板が、グラファイト板の全表面を炭化珪素の皮膜で被覆していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 加工効率が高く、しかも欠けにくい窒化珪素質焼結体およびこれを用いた装飾部品を提供する。
【解決手段】 β−窒化珪素を主成分としてなり、Ｘ線回折法を用いて得られる、β−窒化珪素の（101）面および（210）面のそれぞれの回折強度をＩ（101），Ｉ（210）としたとき、内部における回折強度の比Ｉ（101）／Ｉ（210）は１よりも小さく、研磨された表面における回折強度の比Ｉ（101）／Ｉ（210）は１よりも大きい窒化珪素質焼結体である。回折強度の比Ｉ（101）／Ｉ（210）を上述のようにすることによって、内部から表面に向かって結晶の配向性が変化するので、内部および表面における回折強度の比Ｉ（101
）／Ｉ（210）が１よりも小さい場合に比べて、表面における破壊靱性は低くなり、加工
効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】金属Ｓｉの窒化過程において、金属Ｓｉの噴出を抑制する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は、金属Ｓｉを窒化する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法において、金属Ｓｉ、焼結助剤、および、加熱することによって気孔を形成する造孔剤を含む混合物の圧紛体を加熱して、上記圧紛体中の金属Ｓｉ間に気孔を形成する造孔工程と、上記造孔工程にて得られた、気孔が形成された金属Ｓｉおよび焼結助剤を含む多孔体を、窒素雰囲気下にて焼成して反応焼結体を得る窒化工程と、窒化工程での反応焼結体を焼成した窒化温度を超える温度にて反応焼結体を焼成して緻密化し、最終焼結体を得る緻密化工程と、を含む （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素発熱体，ハニカムを製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の製造方法は、炭化ケイ素と、ケイ素と、炭素と、アルミニウム原料と、を混合する工程と、混合物を焼成する工程と、を有する製造方法である。そして、アルミニウム原料の割合，焼成条件を調節することで、優れた抵抗値特性が得られるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】押出成形など、低コストの成形法に対して、同じく低コストでかつ環境負荷が少ない酸による洗浄法による半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法を提供する。
【解決手段】水系押出成形において、成形体を乾燥後、不活性ガス雰囲気中で３５０〜４５０℃の温度で熱処理する脱脂工程と、酸で洗浄する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの１２００ｃｍ^−１での散乱強度を基準散乱強度レベルＸ0として、その基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度にて表した、５００〜５３０ｃｍ^−１に出現する最強の散乱ピークの高さをＹkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、１２００ｃｍ^−１における基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度Ｙ1として、Ｙ1のＹkに対する比Ｙ1／Ｙkを０．４以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶１と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相２とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔３を有し、開気孔３の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第１の柱状結晶１ａよりも径の太い第２の柱状結晶１ｂが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔３の内面の粒界相２の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相２と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で製造することができ、広い範囲内で種々の比抵抗値をとることが可能な炭化珪素質セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体であって、粒子表面に二酸化珪素層が形成されている。また、二酸化珪素層は、酸素濃度として０．４質量％〜４．８質量％が形成されている。更に、炭化珪素質セラミックス焼結体は、単一の方向に延びて列設された隔壁により区画された複数のセルを備えるハニカム構造に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素焼結体は、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を施してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、ホウ素を含むホウ素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する。 （もっと読む）