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【課題】耐摩耗性および耐欠損性に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、60体積%以上99.7体積%以下のSiAlONを含み、残部が結合材からなり、該結合材は、FeSi化合物を含み、結合材の組織は、不連続な部分を有することを特徴とする。上記の結合材は、Si34およびAl23をさらに含むことが好ましい。複合焼結体に含まれる結合材のうちの、10%以上95%未満の結合材の粒子径の長径が5μm以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、1500℃を超え2600℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び/または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び/または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び/または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相10と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相20とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 (もっと読む)


【課題】高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を持ち、難焼結性を改善し、他の特性も同時に向上させる、WC基W−Mo−SiC系複合セラミックス及びその製造方法。
【解決手段】W1−xMoC(x=0.05〜0.25)固溶体及び5〜30mol%のSiCからなる相を備え、高ヤング率、高硬度の特性を有することを特徴とするWC基W−Mo−Si−C系複合セラミックス。WCの持つ特性すなわち、高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるWC基W−Mo−SiC系複合セラミックスを製造出来る。 (もっと読む)


【課題】金属Siの窒化過程において、金属Siの噴出を抑制する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は、金属Siを窒化する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法において、金属Si、焼結助剤、および、加熱することによって気孔を形成する造孔剤を含む混合物の圧紛体を加熱して、上記圧紛体中の金属Si間に気孔を形成する造孔工程と、上記造孔工程にて得られた、気孔が形成された金属Siおよび焼結助剤を含む多孔体を、窒素雰囲気下にて焼成して反応焼結体を得る窒化工程と、窒化工程での反応焼結体を焼成した窒化温度を超える温度にて反応焼結体を焼成して緻密化し、最終焼結体を得る緻密化工程と、を含む (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、熱伝導性に優れた窒化ホウ素粒子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
ホウ酸メラミンと、粉末X線回折法による黒鉛化指数(GI)2.0以下、平均粒子径5〜40μmの鱗片状窒化ホウ素粉末からなり、平均粒子径が40〜300μmである複合粒子。有機バインダーを0.05〜1.0質量%含有した水溶液100質量部に対し、ホウ酸メラミン100質量部に対して鱗片状窒化ホウ素が1.0〜20質量部の混合物10〜50質量部含有するスラリーを用いて、噴霧造粒する複合粒子の製造方法。複合粒子を、非酸化性雰囲気下600〜1300℃で焼成後、非酸化性雰囲気下1600〜2200℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】強化繊維の形態を適切に調整することで、破壊エネルギーが高く、かつ熱伝導率や曲げ強度の特性も適切に制御された、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックスを提供する。
【解決手段】炭素繊維31からなる短繊維を集合してその外表面に炭素被膜32を形成することで被膜付き繊維集合体3を作製する工程と、炭化ケイ素と炭素材料とを混合して基材部原料2を作製する工程と、これらに炭素被膜のない炭素繊維からなる短繊維4とを混合して混合体を作製する工程と、前記混合体を成型,加圧して成形体を作製し、前記成形体を還元雰囲気下で焼成して焼成体を作製したのち、焼成体に対して減圧下でシリコン含浸を行うことを特徴とする、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックス1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い熱電性を備えるMg−Si系のp型熱電変換材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】MgSiと、下記一般式(1):MgX・・・・(1)[式(1)中、Xはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。]で表わされる化合物(I)と、下記一般式(2):XMgSi・・・(2)[式(2)中、Xは式(1)中のXと同義である。]で表わされる化合物(II)とからなり、前記MgSiと前記化合物(I)と前記化合物(II)との合計量(合計量a)に対する前記MgSiの含有モル比(MgSi量/合計量a)が0.005〜0.2であり、前記化合物(I)の含有モル比(化合物(I)量/合計量a)が0.65〜0.99であり、前記化合物(II)の含有モル比(化合物(II)量/合計量a)が0.005〜0.15である焼結体を含有することを特徴とするp型熱電変換材料。 (もっと読む)


【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶1と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相2とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔3を有し、開気孔3の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第1の柱状結晶1aよりも径の太い第2の柱状結晶1bが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔3の内面の粒界相2の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相2と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が0.5〜1.5である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Zに延びて列設された複数の隔壁14により区画された複数のセル15を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体10とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部11を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材12で充填する充填工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】溶解材料の含浸時に十分に炭化ホウ素とケイ素との反応を抑制し、クラックの発生を防止できる。
【解決手段】本発明の複合材料の製造方法は、炭化ホウ素の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、金属ケイ素に対して10重量%以上の炭化ホウ素が含有されるように、炭化ホウ素含有材料を溶融金属ケイ素に混合し事前溶解させ、1420℃以上1500℃以下で事前溶解材料を、炭化ホウ素のプリフォームに含浸させる。このように、金属ケイ素に対して10重量%以上の炭化ホウ素が含有されるように事前溶解材料を生成し、低温の1420℃以上1500℃以下でプリフォームへの含浸させるため含浸時に炭化ホウ素と金属ケイ素との反応が生じにくい。その結果、反応生成物によるクラックを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性に優れた新規な構成のAlN粒子を簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置し、次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、全体積の5%〜40%の割合で内部に中空部を有することを特徴とする、窒化アルミニウム粒子を製造する。 (もっと読む)


【課題】高密度で耐久性が高い炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末及び非金属系焼結助剤を含む混合粉体を焼成するにあたり、前記混合粉体にケイ素を含むケイ素源を混合することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法である。前記ケイ素源としては粉末状ケイ素粉体、特に粒径1μm以下の粉末状ケイ素粉体が望ましい。上記混合粉体をスラリー状で混合したのち造粒し、造粒粉を加圧しながら焼成することで、炭化ケイ素焼結体を得る。 (もっと読む)


【課題】顆粒痕の発生を確実に抑止し、微細構造においても均一な炭化ケイ素焼結体を製造する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の焼成前の炭化ケイ素前駆体を製造する炭化ケイ素前駆体の製造方法であって、粉砕された炭化ケイ素と非金属系焼結助剤とを多価アルコールに分散し混練することによりペースト状の炭化ケイ素前駆体を形成する工程と、ペースト状の炭化ケイ素前駆体を成形モールドに入れて焼成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】コンパクトでありながら高い熱交換機能を有し、製造も容易な積層内部熱交換型反応器を提供する。
【解決手段】紙製の平板と波板とが積層され波板の山部と平板との間に往路を有する流入側ユニットと、波板の谷部と平板との間に復路を有する流出側ユニットと、が交互に積層されてなる積層前駆体から積層前駆体と同一形状の炭化ケイ素質の積層体を形成し、積層体を流入口と流出口をもつケーシングに封入する。流入口から往路に流入した流体は、積層体とケーシングとの間に形成された連通空間に入り、連通空間から復路を流れる。連通空間又は積層体には発熱手段が形成され、流体は発熱手段で加熱されて流出口から流出される。 (もっと読む)


【課題】面積の大きいディスクを作製する際、曲げ強度と破壊エネルギーがともに増大した炭素繊維強化シリコン含浸炭化珪素セラミックスを得ることできる製造方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維と、炭素粉と、炭化ケイ素粉と、ゲル化能を有する有機物と、揮散性液体とを含む原料を混合してスラリーを調製する工程と、前記工程により得られたスラリーを型に鋳込み、加圧または減圧下でゲル化または硬化させて成形する工程と、前記工程により得られた成形体を焼成する工程と、前記工程により得られた焼成体にシリコンを含浸させる工程とを含む。 (もっと読む)


少なくとも1つのセラミック成形部品を作成するための方法および装置であって、少なくとも1つの雌型と少なくとも1つの雄型との間に空洞を設けることと、Si含有粉末組成物を空洞にもたらすことと、Si粉末組成物を反応ガス雰囲気中で反応によって境界付けられたセラミック成形部品が得られる温度へと加熱することとを含んでいる方法および装置、ならびにその使用。
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【課題】炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。
【解決手段】金属珪素を含む炭化珪素質焼結体であって、該炭化珪素焼結体は珪素スポットを有し、前記炭化珪素質焼結体の断面より求めた前記珪素スポットの平均等価円直径D1と炭化珪素粒子の平均粒子間距離D2との比D1/D2が4以上であることを特徴とする炭化珪素質焼結体。前記珪素スポットは、真円度0.6〜1.0である。 (もっと読む)


【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、炭化硼素の有する高い比剛性率を持ちながら、炭化硼素とシリコンを反応させ表層部の状態を変化させることで研削性に優れた構造部材の作製を可能とした複合材料を提供する。
【解決手段】炭化硼素、炭化珪素、シリコンを主成分とする複合材料であって、前記炭化硼素の粒子にシリコンを含んでいることを特徴とする炭化硼素・炭化珪素・シリコン複合材料が提供される。 (もっと読む)


【課題】単体で熱容量が低く、良好な触媒作用を有する炭化ケイ素多孔体を製造する。
【解決手段】炭化ケイ素と炭素とを混合し、混合液(以下、スラリーという)を形成するスラリー形成工程(工程S2)と、スラリー含浸工程の後に、余剰スラリーを除去するスラリー除去工程S2aと、スラリーを含浸させたポリウレタンフォームを乾燥する乾燥工程(工程S3)と、乾燥後の成形体をケイ素溶融液に浸漬した状態で反応焼結する焼結工程(工程S4)とを有する。 (もっと読む)


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