【課題】 脱粒が少なく、優れた機械的特性および耐磨耗性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた溶湯金属用部材ならびに耐磨耗性部材を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、ジルコニアと、イットリア，セリア，マグネシアおよびカルシアの少なくともいずれか１種とを含んでなり、主結晶を構成する窒化珪素に単斜晶のジルコニアを含む窒化珪素質焼結体である。この窒化珪素質焼結体は、高い圧縮応力が主結晶にかかった状態となっており窒化珪素の粒子の脱粒が少なく、優れた機械的特性や耐磨耗性を有する。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性および高い耐欠損性を有する、酸窒化アルミニウムを含む焼結体を提供する。
【解決手段】焼結体は、酸窒化アルミニウムを含む硬質部と、第６族元素〜第１０族元素から選択される少なくとも１種の金属からなる結合部と、を含み、焼結体における前記硬質部の含有量が４０体積％以上９０体積％以下である、焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高い硬度と高い靭性を有する焼結体を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結体は、工具用の焼結体であって、酸窒化アルミニウムと、第５族元素〜第１０族元素の遷移金属、該遷移金属の窒化物、炭化物、およびホウ化物から選択される少なくとも１種を含む結合材と、ウィスカーと、を含み、焼結体における酸窒化アルミニウムの含有量が２０体積％以上８０体積％以下である、焼結体である。 （もっと読む）

【課題】焼結助剤の種類を限定することなく、より迅速に窒化ケイ素焼結体を得ることができる、窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化ケイ素焼結体の製造方法であって、（１）ケイ素粒子および還元作用と窒化促進作用を有する成分を含む原料を準備する工程と、（２）窒素ガスを含む環境下で、前記原料中のケイ素を窒化ケイ素に変化させる工程と、（３）窒素ガスを含む環境下、１６００℃〜１９５０℃の温度で、前記窒化ケイ素を焼結させる工程と、を有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの１２００ｃｍ^−１での散乱強度を基準散乱強度レベルＸ0として、その基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度にて表した、５００〜５３０ｃｍ^−１に出現する最強の散乱ピークの高さをＹkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、１２００ｃｍ^−１における基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度Ｙ1として、Ｙ1のＹkに対する比Ｙ1／Ｙkを０．４以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】構造部材等の用途において必要な高密度、高硬度の二硼化チタン焼結体を製造するに際し、焼結温度をより低くして製造コストをより低くする。
【解決手段】Al₃Tiまたは、MをNi,Cr,Fe,Mo,Cuの１種類または２種類以上の組み合わせとして、(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤を用い、焼結助剤の重量割合を１０％以上５０％以下とし、TiB₂を主成分とした金属硼化物基本成分との混合粉末とした焼結材料を１０００℃で焼結しビッカース硬度５００以上、曲げ強度２００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度の二硼化チタン系焼結体を製造することができる。(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤の重量割合を２０％以上４０％以下とすることにより、１０００℃の温度の焼結温度でビッカース硬度８００以上、曲げ強度３００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度、高強度の二硼化チタン系焼結体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素焼結体は、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を施してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性の低下が抑制され、しかも優れた耐欠損性を有する立方晶窒化硼素質焼結体およびそれを用いた切削工具である。
【解決手段】 この焼結体は、繊維状の芯材の外周面を表皮材によって被覆した繊維状構造で、立方晶窒化硼素粒子を結合相で結合したものであり、前記結合相は、周期律表第４，５および６族金属の群から選ばれる少なくとも１種の金属元素の炭化物を芯材または表皮材に、周期律表第４，５および６族金属の群から選ばれる少なくとも１種の金属元素の窒化物を表皮材または芯材に存在させることによって、前記粒子の脱落と結合相の摩耗、脱落とを同時に抑制でき、耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性が特に優れた焼結体となる。 （もっと読む）

【課題】粒子形状及びサイズの一定した高品質の結晶質窒化ケイ素粉末を低コストで大量に生産できる新規な製造方法を提供することである。
【解決手段】非晶質窒化ケイ素粉末及び／又は含窒素シラン化合物を窒素含有不活性ガス雰囲気下又は窒素含有還元性ガス雰囲気下に焼成して、結晶質窒化ケイ素粉末を製造するに際し、非晶質窒化ケイ素粉末及び／又は含窒素シラン化合物を圧縮成形して、嵩密度０．８ｇ／ｃｍ^３超〜１．０ｇ／ｃｍ^３以下、短軸径１ｍｍ以上、長軸径２０ｍｍ以下の顆粒状物とすること、及び昇温過程において、１０００〜１２００℃の温度範囲全域における昇温速度を１０℃／分以下とすることを特徴とする結晶質窒化ケイ素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来法よりも比較的低温で高密度のホウ化チタン焼結体を製造することが可能な方法を提供する。
【解決手段】本製法は、３〜１０体積％の酸化チタン粉末が均一に混合されたホウ化チタン粉末を調製し、この混合粉末を成形して成形体を製造する工程Ａと、前記工程Ａで得られた成形体をパルス通電加圧焼結して、相対密度９０％以上のホウ化チタン焼結体を製造する工程Ｂを含む。更に高密度で、機械的特性の優れた焼結体を得るには、３〜７体積％の酸化チタン粉末及び１〜４体積％の酸化マグネシウム粉末が均一に混合されたホウ化チタン粉末を調製し、この混合粉末を用いて製造された成形体をパルス通電加圧焼結すれば良く、工程Ｂの条件としては、１０Ｐａ以下の真空下、焼結温度１６５０℃、保持時間１０分、加圧力３０ＭＰａ、昇温速度１００℃／分が好ましい。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素粉末と比較して、安価なケイ素粉末を主原料としても、通常の窒化ケイ素セラミックスを焼結する際の昇温条件で反応焼結を完了させることが可能で、その後の高温焼結まで含めた時間が従来の窒化ケイ素セラミックス焼成と同等で、かつ高性能な窒化ケイ素基セラミックスと、材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む原料を用い、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結の後に、緻密化する窒化ケイ素基セラミックスの製造方法において、出発原料として主原料であるケイ素に少なくともＥｕおよびＣｅを含む化合物のいずれかもしくは両方を添加した混合粉末を用い、成形後、反応焼結及び焼結による緻密化を行う。 （もっと読む）

【課題】 高い熱伝導性を有しながら、ブレードによる切断、スクライブ処理後の折割処理等の加工において粒界破壊によるチッピングが起こり難く、加工の際に高い寸法精度が求められる用途に好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 イットリウム元素換算で０．１〜０．５質量％の量のイットリウム化合物を含有し、該イットリウム化合物のうち、窒化イットリウムが占める比率が、５〜３０％であり、且つ、該窒化イットリウムの少なくとも一部が窒化アルミニウム結晶粒子の二粒界に存在し、且つ、相対密度が９８％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体である。 （もっと読む）

【課題】劈開性が低く、クラック（亀裂）伝播抑制作用に優れ、高硬度かつ高靭性を有する高純度窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径０．５μｍ以下の微細なウルツ鉱型窒化ホウ素微粒粉末表面を、酸素を含有せず、流体源として固体のポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンを使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加せずに５ＧＰａ以上かつ１４００℃以上の高圧高温条件下で焼結することにより、微量のウルツ鉱型窒化ホウ素を含有する高純度窒化ホウ素焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を低減する方法及び静電チャックを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約１０００℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。物体は、多結晶質体のような緻密化された物である。静電チャックはチャック体内に電極１２を有する。電極１２の第１の面１４における、チャック体の第１の部分２０は約２３℃で約１×１０¹³ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。電極１２の第２の面１６における、物体の第２の部分２２は、第１の部分２０と１桁違う大きさの範囲内の体積比抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することが可能なβサイアロン焼結体からなる自在継手用トルク伝達部材およびその製造方法、さらに当該自在継手用トルク伝達部材を備えた自在継手を提供する。
【解決手段】固定ジョイント１を構成する自在継手用トルク伝達部材であるボール１３は、βサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成されている。そして、ボール１３の接触面であるボール転走面１３Ａを含む領域には、内部１３Ｃよりも緻密性の高い層であるボール緻密層１３Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】靱性を向上できる炭化硼素質焼結体およびその製法ならびに防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、前記炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に、針状の炭化珪素５が存在するとともに、任意の断面における針状の炭化珪素５が５００〜５０００個／ｍｍ^２存在するため、針状の炭化珪素５のアンカー効果により炭化硼素からなる主結晶粒子１同士を連結し、靱性を向上でき、仮に、クラックが発生したとしても、針状の炭化珪素５でクラックの進展を抑制することができ、これにより、防護部材の破損を抑制することができる。 （もっと読む）