【課題】耐火性、生体溶解性に優れる無機繊維を含む、実用特性を有する不定形組成物を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２６６〜８２重量％、ＣａＯ１０〜３４重量％、ＭｇＯ３重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３５重量％以下、ＳｉＯ_２、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３の合計９８重量％以上の組成を有する無機繊維と、金属イオンを含まないキレート剤とを含む不定形組成物。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。等方圧成形前の第１および第２のセラミックス成形体１，２のそれぞれは、セラミックス接合体３より低い成形密度を有している。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて嵌合することによってセラミックス接合体Ｓ３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。等方圧成形前の第１および第２のセラミックス成形体１，２のそれぞれは、セラミック接合体３より低い成形密度を有している。等方圧成形前の第１のセラミックス成形体１は、第２のセラミックス成形体２より低い成形密度を有している。等方圧成形の際に第１のセラミックス成形体１に第２のセラミックス成形体２が嵌合されてセラミックス接合体３が得られる。 （もっと読む）

【課題】 大型化が容易に可能であるチタン酸アルミニウム質ハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 複数のセル２２がセル壁２４を隔てて長手方向に並設された柱状のチタン酸アルミニウム質ハニカム焼成体２０が、少なくともセラミック粒子を含む接着剤層１４を介して複数個結束された構造を有し、複数のセル２２の少なくとも一部は、長手方向に垂直な断面形状が六角形のセルであり、且つ、複数のチタン酸アルミニウム質ハニカム焼成体２０の少なくとも一部は、長手方向に垂直な断面形状が六角形の柱状体である、チタン酸アルミニウム質ハニカム構造体。 （もっと読む）

【課題】研削抵抗の相違に由来する、緻密質体と多孔質体との境界における段差の低減または解消を図ることができる緻密質−多孔質接合体等を提供する。
【解決手段】本発明の緻密質−多孔質接合体によれば、緻密質体１と前記多孔質体２との接合界面が実質的に隙間なく一体的に焼成されている。緻密質体１が酸化アルミニウムの焼結体からなり、ＸＲＤのピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_３００／（Ｉ_３００＋Ｉ_１０４）が０．１〜０．２である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易かつ正確に、球面曲率を有するウエハホルダを製造できるウエハホルダの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１は、球面形状を有する凸状の表面５を有し、基板固定工程Ｓ２１では、支持体１の表面５に基板１００を載置し、かつ基板１００を支持体１に固定し、前記基板研削工程Ｓ２２では、基板１００が支持体１に固定された状態において基板１００の研削された表面が平面となるように、基板１００の表面を研削する。 （もっと読む）

【課題】外部からケイ素を添加することなく、熱処理工程において接合層が熱収縮することに伴うクラックや、それに起因する接合不良を防止し、高強度に接合されたセラミックス接合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】この製造方法は、一対のセラミックス焼結体であって、少なくとも一方が反応焼結法により形成され遊離シリコンを含むものを準備する準備工程と、一対のセラミックス焼結体それぞれの接合面の間に、炭素元素を含む微粒子を有機溶媒中に分散した接合スラリーを配した後に乾燥させてなる微粒子層を形成する形成工程と、一対のセラミックス焼結体を、微粒子層を加圧するように保持した状態で、不活性雰囲気下において加熱し、遊離シリコンを微粒子層に導入することで、少なくとも炭化ケイ素を含む接合層を形成して接合し、セラミックス接合体となす接合工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 噴射されたディーゼル燃料（ＨＣ）が、排気ガス中の窒素酸化物と反応が良好に行われ、排気ガス中の窒素酸化物を効率良く低減することが可能であり、排気ガスがＨＣ−ＳＣＲ触媒を通過する際の圧力損失を低く維持できるセラミックハニカム構造体及びその製造方法を得る
【解決手段】 多孔質の隔壁により仕切られた流路を有する複数のセラミックハニカム部材が、前記セラミックハニカム部材の端面において流路方向に接合されたセラミックハニカム構造体であって、前記複数のセラミックハニカム部材は、前記流路が流路方向に直交する断面において、前記隔壁の交点部にＲ部を有し、前記複数のセラミックハニカム部材の隔壁同士が、少なくとも一方の端面において、前記端面の中心を軸として35〜55°の角度ずれた位置で接合され、前記隔壁の表面粗さが最大高さRyで20μm以上、隔壁厚さが0.2〜0.4mm、セル数が100〜300cpsiであるセラミックハニカム構造体。 （もっと読む）

【課題】良好な密着性が得られるセラミック製部材の接合方法。
【解決手段】第１および第２のセラミック成形体を準備する工程と、前記第１のセラミック成形体の一面に、添加物質を設置する工程であって、前記添加物質は、前記第１のセラミック成形体に含まれる無機物質主成分との間で、第１の温度以上の温度で液相を形成する第２の無機物質を含む、工程と、前記第１および第２のセラミック成形体を焼成して、第１および第２のセラミック製部材を形成する工程と、前記第１および第２のセラミック製部材を、前記第１のセラミック製部材の前記一面が、前記第２のセラミック製部材の一面と接触するように配置して、これを前記第１の温度以上の第２の温度に保持する工程と、を有する方法。 （もっと読む）

【課題】排ガス中の粒子状物質（パティキュレート）等を捕集するフィルタとして特に有用な、コーティング材による被覆後における小孔やクラック等の欠陥の発生が確実に抑制された、耐久性に優れたハニカム構造体を提供する。
【解決手段】複数のハニカムセグメントが接合材によって一体的に接合されてなり、かつその接合体の外周面が主成分としてセラミックスを含有するとともに粒状のフィラーと水９〜１３質量％とを含有するコーティング材によって被覆されてなり、粒状のフィラーが塗布性および延び性を前記コーティング材に付与するものであることを特徴とするハニカム構造体。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置用部材などに好適なセラミックス接合体およびその製造方法に関し、簡単な接合手法によって得られ、高強度に接合されたセラミックス接合体、およびその製造方法の提供。
【解決手段】金属ケイ素を含むセラミックス焼結体からなる第１の被接合体と、セラミックス焼結体からなる第２の被接合体と、が接合層を介して接合され、接合層は金属ケイ素を主成分とするセラミックス接合体であり、その製造方法は、接合面を有し、金属ケイ素を含むセラミックス焼結体からなる第１の被接合体と、接合面を有し、セラミックス焼結体からなる第２の被接合体を準備する工程と、第１の被接合体の接合面と第２の被接合体の接合面との間に熱可塑性樹脂薄膜を配置して第１の被接合体と第２の被接合体とを重ね合わせる工程と、重ね合わされた接合面同士が押圧された状態を維持しつつ、不活性雰囲気下において所定温度で熱処理する工程と、を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物の接合に対して優れた接合強度および気密封止性を達成できる、低融点の酸化物接合用はんだ合金ならびにこれを用いた酸化物接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｍｇを０．００５ｗｔ％以上２．０ｗｔ％以下とＹを０．０００５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下をそれぞれ含み残部実質的にＳｎからなる酸化物接合用はんだ合金であり、好ましい組成は、Ｍｇが０．０３〜０．２ｗｔ％、Ｙが０．００１〜０．０５ｗｔ％、残部が実質的にＳｎである。本発明は、ガラス同士等といった酸化物の接合に用いることができ、安価な酸化物接合体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低く抑えることができるハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設されたハニカム焼成体が接着材層を介して複数個結束されてなるセラミックブロックと、上記セラミックブロックの外周面に形成されたシール材層とからなるハニカム構造体であって、上記セラミックブロックは、長手方向に垂直な断面の形状が四角形である断面四角形ユニットが接着材層を介して複数個結束されてなる断面四角形ユニット集合体と、長手方向に垂直な断面の形状が三角形であり、外周部に外壁が形成された断面三角形ユニットとを含んでなり、上記断面四角形ユニット集合体の外周面には、凹部及び凸部が階段状に形成されており、上記凹部には、上記断面三角形ユニットが接着材層を介して存在しており、上記シール材層の厚さが部分的に異なっていることを特徴とするハニカム構造体。 （もっと読む）

【課題】 接着材ペーストが端面側に押し出されることがなく、端面の封止不良等が発生しにくいハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、それぞれ側面と端面とを有する複数のハニカム焼成体と、前記複数のハニカム焼成体の側面に配設され、それぞれ前記のハニカム焼成体を結束させる複数の接着材層と、前記複数のハニカム焼成体の側面に配設された複数の端面部材と、を有するハニカム構造体であって、上記ハニカム焼成体の上記接着材層と接する側面は、上記ハニカム焼成体の端面と接する辺Ａを有し、上記端面部材は、無機材料からなり、上記辺Ａと略同じ幅の辺Ｘを有する略四角柱形状であり、上記端面部材は、辺Ｘが上記ハニカム焼成体の端面に近接するように配置されていることを特徴とするハニカム構造体。 （もっと読む）

【課題】脆性材料を気密に封止可能であり、かつ熱サイクルや腐食性物質に対する信頼性の高い構造を提供する。
【解決手段】脆性材料−金属構造体は、脆性材料からなる管状支持体１４、この管状支持体１４の内側または外側に設けられており、脆性材料からなり、管状支持体１４よりも短いパイプ状支持体２３、および管状支持体１４とパイプ状支持体１２との間に挟まれている板状金属片１３を備える。管状支持体と板状金属片とが直接接触しており、板状金属片とパイプ状支持体とが直接接触しており、更に管状支持体とパイプ状支持体とが直接接触している。 （もっと読む）

【課題】原料収率を向上させ、製造コストを低減させることが可能なハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の四角柱状のハニカム焼成体２の中の少なくとも１個のハニカム焼成体を切断して三角セグメント３を作製し、三角セグメント３に、断面形状が三角形の筒状のアルミニウム又はアルミニウム合金製の補助部材４を、それぞれの斜辺が対向するようにして貼り付けて、四角柱状の擬似四角セグメント５を作製し、中心軸に直交する断面において、三角セグメント３の直交する２つの辺が四角柱状のハニカム焼成体２に接するとともに、補助部材４の直交する２つの辺が最外周を構成するようにして、四角柱状のハニカム焼成体２と四角柱状の擬似四角セグメント５とを、接合材１３で接合しながら組み合わせ、最外周から加圧してハニカムブロック体を作製し、ハニカムブロック体の外周部分を研削してハニカム構造体を得るハニカム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】約１１００℃以下のろう付け温度で加工でき、かつろう付け工程の終了後に約９００℃までの作動温度で使用できる高温度用ガラスソルダーを提供する。
【解決手段】２０℃〜３００℃の温度範囲での線熱膨張α_(20-300)を８×１０^-6Ｋ^-1〜１１×１０^-6Ｋ^-1の範囲で有し、質量％で１０〜４５％未満のＢａＯ、０〜２５％のＳｒＯ（２０〜６５％のＢａＯ＋ＳｒＯ）、１０〜３１％のＳｉＯ_２、２％未満のＡｌ_２Ｏ_３、０〜１０％のＣｓ_２Ｏ、０〜３０％のＲＯ、０〜３０％のＲ_２Ｏ_３、０〜２０％のＲ_２Ｏからなるガラスソルダー。（ＲＯはアルカリ土類金属酸化物、Ｒ_２Ｏ_３はＢ_２Ｏ_３等からなる酸化物、Ｒ_２ＯはＴｉ_２Ｏ等の酸化物からなる。） （もっと読む）

【課題】表面粗さに関係なく、金属又は金属化合物の基板同士の接合を可能とする方法を提供すること。
【解決手段】金属又は金属化合物の基板とシリコンを主とする基板を接合して接合体を製造するに際し、あるいは、金属又は金属化合物の基板同士を接合して接合体を製造するに際し、金属又は金属化合物の基板の表面にシリコン化合物を形成する金属を被覆し、該被覆面に他方の基板を接触配置して熱処理する、好ましくは、接触面を局所的に加熱することからなる接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高精度に導体が内蔵された薄型のセラミックス部材を提供するものである。
【解決手段】相対密度９９％以上の第１のセラミックス焼結体１１の主面に溝１１１を形成する工程と、溝１１１に導体１２を形成する工程と、第１のセラミックス焼結体１１の主面を導体１２とともに研磨して、主面における溝１１１に形成された導体１２の表面１２１と溝１１１以外の第１のセラミックス焼結体表面１１１とを面一の研磨面とする工程と、相対密度９９％以上の第２のセラミックス焼結体１３の主面を研磨面とする工程と、第１のセラミックス焼結体１１の主面と第２のセラミックス焼結体１３の主面とを密着させてホットプレスする工程とを含む。第１のセラミックス焼結体１１及び第２のセラミックス焼結体１３は、互いに共通する成分を主成分とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス回路基板と金属ベース板の放熱性が高く信頼性に優れた、安価なパワーモジュール構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板１の熱膨張係数をα（×１０^−６／Ｋ）、応力緩和板２の熱膨張係数をβ（×１０^−６／Ｋ）、金属ベース板３の熱膨張係数をγ（×１０^−６／Ｋ）とした時、（α＋γ）／２−４＜β＜（α＋γ）／２＋４を満たす熱膨張係数を有し、板厚が０．５〜３．０ｍｍで温度２５℃の熱伝導率が１００Ｗ／(ｍ・Ｋ)以上、３点曲げ強度が５０ＭＰａ以上の応力緩和板２の表面に金属層を形成した後、セラミックス回路基板１と金属ベース板３との間にはんだ付け又はロウ付けしてなるパワーモジュール構造体。 （もっと読む）