【課題】熱処理後に高い熱膨張係数を示すとともに、流動性に優れ、また、長期間に亘って高温に晒されても、接着箇所の気密性や接着性の低下や、ガラス成分の揮発が発生しにくい結晶性ガラス組成物を提供する。
【解決手段】熱処理によって、主結晶としてＭｇＯ系結晶を析出する結晶性ガラス組成物であって、ガラス組成としてモル％で、Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｙ_２Ｏ_３＋Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｙｂ_２Ｏ_３ ０．１〜３０％を含有し、かつ、Ｒ_２Ｏ（ＲはＬｉ、ＮａまたはＫを示す）およびＰ_２Ｏ_５を実質的に含有しないことを特徴とする結晶性ガラス組成物。 （もっと読む）

【課題】フランジ付き金属物品を作製する方法を提供すること。
【解決手段】本発明はフランジ付き金属物品を作製する方法を提供する。その方法は、（ａ）第１のろう付け化合物を金属物品の第１の部分に付着するステップと、（ｂ）金属物品の第１の部分をある長さの拘束用金属部材で巻くステップと、（ｃ）金属物品、拘束用金属部材および第１のろう付け化合物の組立体を第１のろう付け化合物の固相線温度を超える温度、典型的には約３００℃から約２５００℃の範囲の温度まで加熱して、フランジ付き金属物品を製造するステップとを含み、その方法では金属物品が熱膨張係数ＣＴＥ１を有し、拘束用金属部材が熱膨張係数ＣＴＥ２を有し、ＣＴＥ１がＣＴＥ２よりも大きい。本発明はさらに、高膨張金属と低膨張脆弱材料の間の熱膨張の不一致を最小化する金属フランジを提供する。 （もっと読む）

【課題】 高い電圧が印加された場合であっても、過大電流が発生し難いセラミックス体を提供する。
【解決手段】
セラミック体の表面に導電層が接合された、導電層付きセラミック体であって、前記セラミック体は、ＡｌＯ_２とＡｌ_２ＴｉＯ_５とを含み、前記導電層は、ＭｏおよびＭｎを合計で５０質量％以上の割合で含有しているとともにＴｉを含み、前記導電層と前記セラミック体との境界部分に、Ｍｎを主成分として含む第１の境界領域が形成されていることを特徴とする、導電層付きセラミック体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が高い、金属層付きセラミックス部材を提供する。
【解決手段】 ＡｌおよびＯを含むとともに、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含むセラミックス体と、前記セラミックス体の表面に設けられた金属層と、を備える金属層付きセラミックス部材であって、前記金属層が、前記セラミックス体表面に接合した、前記特定遷移元素を主成分として含む第１の層と、前記第１の層と接合した、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ、Ｈｆ、Ｖのうち少なくとも１種と前記特定遷移元素とを含む第２の層と、を有し、前記第１の層における前記特定遷移元素の含有割合（質量％）は、前記第２の層における前記特定元素の含有割合（質量％）に比べて高いことを特徴とする金属層付きセラミックス部材を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ろう材を含む接合材を介した、セラミック基板と金属枠体との接合の信頼性が高い電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】 上面に電子部品の搭載部１ａを有するセラミック基板１と、セラミック基板１の上面にろう材５を含む接合材３を介して接合された、搭載部１ａを取り囲む金属枠体２とを備え、金属枠体２はろう材５よりも熱膨張係数が小さく、接合材３は、熱膨張係数が金属枠体２の熱膨張係数以下の金属粉末が加圧成型されてなる枠状のコア材４と、コア材４の表面を覆うとともに少なくともその表面近傍の金属粉末の間に含浸したろう材５とからなる電子部品収納用パッケージである。コア材４により接合材３の熱膨張係数を低減でき、接合強度を向上できるため、接合材３に作用する熱応力を小さくして接合材３の破壊を抑制することができるので、接合の信頼性が高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属と同時焼成が可能であり、しかも高い機械的強度と低熱膨張性を実現する、高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、ａは質量比で０．０４〜０．２５であり、α、β、γ及びδは質量％比でα：β：γ：δ＝７．６〜１３．２：４．０〜１０．３：１３．０〜３０．４：５３．７〜７２．８である。）で示される組成を有する複合酸化物を含む高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属部材とセラミッ部材との信頼性の高い接合が可能で、かつセラミック部材にクラックが発生することのない接合構造体、及びそのような接合構造体を備えた高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】金属からなる第１の部材１１と、この第１の部材１１に接合される、表面に金属層１２ａを有するセラミックからなる第２の部材１２と、第１の部材１１上から第２の部材１２の金属層１２ａ上に跨って配置される金属からなる第３の部材１３と、第１の部材１１および第２の部材１２の金属層１２ａと、第３の部材１３との間に配置されるろう材１４と、第３の部材１３の周囲にろう材１４により形成されるフィレット１５，１６とを具備し、第３の部材１３は、第１の部材１２と対向する部分にのみろう材１４の溜まり部となる面取部１７を備える接合構造体、及びこのような接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージ。 （もっと読む）

【課題】比較的高温で熱処理した後であっても、熱処理前の接合強度に対する劣化が比較的小さいメタライズ基板、およびアルミニウムとセラミックとの接合体を提供する。
【解決手段】
セラミック基板の主面に、Ａｇと、Ｔｉと、Ａｌと、を少なくとも含む金属膜が設けられており、前記金属膜と前記セラミック基板との境界部分に、ＡｌとＯとをそれぞれ１０質量％以上、かつＡｌとＯとを合計５０質量％以上含む接合層が形成されていることを特徴とするメタライズ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高温酸化雰囲気下で使用される金属／セラミック接合体において、金属材料の耐熱性及び／又は耐酸化性、並びに、耐久性を向上させること。
【解決手段】セラミック材料と、該セラミック材料の表面に接合された金属薄層と、該金属薄層の表面に形成された表面層とを備え、前記表面層は、前記金属薄層への酸素の拡散を抑制する機能を有する第２の酸化膜を形成可能な第２の酸化膜形成元素の含有量が前記金属薄層より多い層からなる金属／セラミック接合体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半田流れによる回路の短絡や部品の接合不良が少なく動作信頼性に優れ、高い製造歩留りで容易に量産することが可能なセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の表面に厚さが０．１〜０．５ｍｍである複数の金属回路板３を接合し、上記金属回路板３の表面に半田層７を介して半導体素子８などの部品を一体に接合したセラミックス回路基板１の製造方法において、上記部品を半田接合する金属回路板３，３の少なくとも他の金属回路板３，３と隣接する周縁部に半田流れを防止する突起９、９ａを形成する工程と、この突起９、９ａの高さが５〜５０μｍの範囲であり、突起９、９ａの幅が０．１〜０．５ｍｍの範囲に調整する工程とを備え、上記突起９，９ａとして、金属板素材をプレス成形により打ち抜いて所定の金属回路板とする際に、回路板周縁に形成されるばりをそのまま突起として利用することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 低温での焼成でも十分なメタライズの接合強度が得られる接合用セラミック部材の製造方法、接合用セラミック部材、接合体、真空スイッチ、及び真空容器を提供すること。
【解決手段】 金属部材３との接合に用いられるメタライズ層１１を備えた接合用セラミック部材１の製造方法であって、Ｗ及び／又はＭｏの高融点金属粉末；７０〜９７重量％、Ｎｉ粉末；１〜１０重量％、Ｍｎ粉末；５〜１０重量％、Ｔｉ及び／又はＴｉＨ₂粉末；０．５〜２重量％、ＳｉＯ₂粉末；２〜１５重量％を含有する混合物を、有機バインダと混合してペーストとしてメタライズインクを製造し、該メタライズインクをセラミック焼成体であるセラミック基材９に塗布して焼き付けてメタライズ層１１を形成する。 （もっと読む）

活性鑞材（３２）によってセラミック基板（１２）に直接接合されたビード（２６）の形態の熱接点即ち測定接点を有する熱電対（１６）を備えたセラミック加熱器（１０）が提供される。別法としては、セラミック基板（１２）上に金属化層（４２）が形成され、通常の鑞材によって熱電対のビード（２６）が金属化層（４２）に直接接合される。セラミック基板にビードが直接接合されるため、ビードの温度はセラミック加熱器の温度をほぼ瞬時に反映し、したがって熱電対はセラミック加熱器の温度をより正確に測定することができる。
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【課題】半導体デバイスの製造装置の処理室内を高真空に保つことができる基板載置台を提供する。
【解決手段】基板載置台１は、一つの面が基板載置面１１ａである板状のセラミックス基体１１と、基板載置面１１ａとは反対の面で接合材２２を介してセラミックス基体１１と接合され、多孔質セラミックスの気孔内に金属が充填された気孔率が０％を超え５％未満の板状の複合材料基体２１と、複合材料基体２１の、セラミックス基体１１と接合される面とは反対の面で接合材３２を介して複合材料基体２１と接合される金属板３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス層にクラック等の欠陥が発生せず、接合強度が良好で耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス体２ａと金属体３ａとの間に熱膨張差による残留応力の発生を抑制するための軟質材料から成る中間層４ａを介してセラミックス体２ａと金属体３ａとを一体に接合したセラミックス−金属接合部品１ａであり、上記セラミックス体２ａと金属体３ａとの接合領域のうち、接合外周縁から内側に３ｍｍ以内の領域を少なくとも含む接合領域において、上記中間層４ａの厚さが、上記接合領域の中央部から接合外周縁に向かって厚く形成されていることを特徴とするセラミックス−金属接合部品１ａである。 （もっと読む）

【課題】 ４００℃以上の高温の酸化雰囲気でも長時間の使用に耐え、セラミック部材と金属部材との接合強度を維持させることが可能なセラミック部材と金属部材の接合体を提供すること。
【解決手段】 本発明のセラミック部材と金属部材の接合体は、表面にメタライズ層２が形成されたセラミック部材１と、メタライズ層２にろう材５を介して接合された金属部材４とから成り、メタライズ層２とろう材５とをガラスを含む被覆材６で気密に覆ったものである。メタライズ層２とろう材５とが被覆材６により保護され、４００℃以上の高温の酸化雰囲気でもメタライズ層２とろう材５とが酸化されて劣化するのを防止することができる。 （もっと読む）

本発明は、金属部分、セラミック部分、およびろう付けにより上記部分の各々に組み立てられる少なくとも１つの接続用スペーサーを含む接続部に関する。前述の接続用スペーサー（１０’）は、上述の部分にそれぞれろう付けされる少なくとも２つの平坦な領域（１１、１２）を有する変形可能な層からなる。更には、上記２つの平坦な領域（１１、１２）は、金属部分とセラミック部分に向かって交互に配向されている少なくとも２つの非ろう付け波状形（１９、２０）を有する、変形可能な領域（１３’）により相互接続される。
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【課題】第１および第２部品の位置ずれを回避しつつ、製造コストの低減および生産性の向上を実現することができる重ね合わせ部品の加熱方法を提供する。
【解決手段】作業ステージ上に第１板状素材４１は設置される。第１板状素材４１では複数個の部品２９が連結部材に連結される。続いて作業ステージ上には第２板状素材５１が設置される。第２板状素材５１では複数個の部品３１が連結部材に連結される。個々の第２部品３１は対応する第１部品２９に重ね合わせられる。各板状素材４１、５１は１部品として取り扱われる。生産性は著しく向上する。第２部品３１にヒートブロックの加熱面は押し付けられる。各連結部材の熱膨張は阻止される。部品２９、３１相互間で規定の間隔は確実に維持される。 （もっと読む）

【課題】 熱膨張係数差に起因する熱応力が相対的に小さく、高い強度及び優れた耐久性を示し、高温酸化雰囲気下で使用した場合であっても、長期間に渡って高い耐熱性、耐酸化性を示す金属電極／セラミックス接合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セラミックスと、該セラミックスの少なくとも一方の表面に接合された金属電極とを備え、前記金属電極は、連続体であり、かつ、複数個の凹部を有している金属電極／セラミックス接合体。このような金属電極／セラミックス接合体は、所定の凹凸構造を有する金属シートとセラミックスとを重ね合わせ、金属シートとセラミックスとを所定の条件下で加熱処理及び／又は電圧印加することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】セラミックスと金属とのろう付け接合において、セラミックス表面のろう材反応性を阻害することなく、ろう付け後における接合部の残留応力を大幅に低減することができ、接合部の厚さが薄く、しかも製造安定性及び耐ガスリーク性に優れ、繰り返し熱衝撃に強いセラミックスと金属のろう付け構造体を提供する。
【解決手段】セラミックスと金属のろう付け構造体におけるろう付け接合層にＮｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ及びＳｎから成る群より選ばれた少なくとも１種の添加元素を添加し、このような添加元素の含有量のピーク位置が接合層の中心よりも金属側となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ダイカスト用スリーブの曲がりを防止するとともに、内筒とプランジャチップとの間の摩擦抵抗を小さく抑えることができるダイカスト用スリーブを提供する。
【解決手段】 金属材料からなる外筒の内面に、常温における熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化ケイ素を主成分とするセラミックス焼結体からなる内筒を焼嵌めて構成したことを特徴とする。前記セラミックス焼結体が実質的に窒化ケイ素粒子とその周囲の粒界相とで構成され、溶融金属と接触する面において窒化ケイ素粒子が面積率で７０〜９９．９％を占めることを特徴とする。 （もっと読む）