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Fターム[4G026BG23]の内容

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Fターム[4G026BG23]に分類される特許

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【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子30と、半導体素子30を実装する回路層20が形成された絶縁性を有するセラミックス基板10と、を備え、半導体素子30と回路層20は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも1種類を含有するアルミニウム系ろう材60により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 (もっと読む)


【課題】導電性を示す炭化ホウ素含有セラミックス部材と絶縁性を示す酸化物セラミックス部材とが、簡便に接合されて一体化されたものでありながら100MPa以上の極めて高い接合強度を示し、かつ、炭化ホウ素含有セラミックスに別の特性が付加された複合部材とできる新規な技術の提供。
【解決手段】炭化ホウ素を2質量%以上含有してなる炭化ホウ素含有セラミックス部材と、絶縁性を示す酸化物セラミックス部材とが、アルミニウム又はアルミニウム化合物を接合材として接合した接合層を介して一体化されてなり、かつ、接合した部分の強度が100MPa以上である炭化ホウ素含有セラミックス−酸化物セラミックス接合体。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウム焼結体基板と金属基板との接合強度の向上効果を発揮するのみでなく、更に、高強度で熱サイクル特性に優れた窒化アルミニウム−金属接合基板を安定にかつ再現性よく得ることのできる窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記窒化アルミニウム焼結体の被処理面に金属基板を接合するに際し、前記砥粒として窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を10〜30体積%の濃度で含有する液体を、圧縮空気と共に、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して作用する圧力が0.10〜0.25MPaとなるように噴射して、X線回折を用いたsinψ法により求めた該被処理面の窒化アルミニウムの(112)面の残留応力値が−50MPa以下、かつ、表面粗さが0.2μm以下とする。 (もっと読む)


【課題】 窒化アルミニウム焼結体基板の表面に付着する離型材などを確実に除去しつつ、金属基板接合後の窒化アルミニウム−金属接合板の抗折強度と熱サイクル特性に優れる窒化アルミニウム−金属接合基板を安定してかつ再現性よく得ることを可能にした製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記被処理面に金属基板を接合する方法であって、前記砥粒として、窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を10〜30体積%の濃度で含有する液体を、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して、該被処理面にかかる圧力が0.07〜0.12MPaとなるように噴射する。 (もっと読む)


【課題】高い接合強度を有するとともに、高温・腐食環境下等の極限環境下における強度低下の原因となるような金属が残留しておらず、かつ、低い処理温度で安価に製造できるセラミックス接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックス焼結体2が接合されてなるセラミックス接合体1である。各セラミックス焼結体2の接合面に、少なくともケイ素を含み、セラミックス焼結体2とは異なる組成及び組織構造を有するセラミックス被膜3が形成されており、セラミックス被膜3が形成された接合面同士が、セラミックス中間層4を介して接合されている。 (もっと読む)


【課題】金属セラミックス接合基板を製造するコストを低減する要請があり、例えばろう材を形成する工程のコスト低減が考えられる。
【解決手段】金属板上にコールドスプレー法によりろう材を形成する工程と、セラミックス基板上に金属板上の前記ろう材が接触するように金属板を配置する工程と、配置された前記ろう材が形成された前記金属板と前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合することにより金属セラミックス接合基板を製造する。 (もっと読む)


【課題】静電チャックの給電部を製造するにあたり、セラミックスと金属との接合部に亀裂を生じない緻密な接合層を形成できる接合剤と、当該接合剤を用いた静電チャックの給電部及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】タングステンと活性銀ロウと有機バインダとから構成され、かつ、有機バインダを加熱除去した後に、タングステンを20体積%〜50体積%含有し、残部が活性銀ロウからなる接合剤である。この接合剤を、ベース材1、内部電極2、誘電体3が順に配置されたセラミックス構造体の穴4に装填し、金属電極5を挿入して加熱接合することで、静電チャックの給電部を形成する。 (もっと読む)


【課題】放熱特性が良好であるとともに、セラミックスからなる支持基板に大きな反りが発生することの少ない、信頼性の高い回路基板およびこれを用いた電子装置の提供。
【解決手段】窒化珪素を主成分とする支持基板1の第1主面に、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも1種の活性金属を含むろう材からなる第1の接合層3a,3bを介して、銅を主成分とする回路部材2a,2bが設けられた回路基板10であって、支持基板1の第1主面の表面に、窒化珪素の結晶粒子が活性金属を含む珪化物の結晶粒子によって連結されている回路基板10である。 (もっと読む)


【課題】軟質のアルミニウムと他の材料とのろう付品の製造に際し、冷熱サイクルに対して接合界面の応力が緩和されて割れにくいろう付品を簡単な工程で製造する。
【解決手段】Al純度が99.9質量%以上のアルミニウム基材(10)の少なくとも一つの面の表面に、コールドスプレーによって平均粒径25μm以下のSi粒子(11)を衝突させてSi付着量が3〜10g/mのSi層(12)を形成し、さらに、物理蒸着によりMg付着量が0.3g/m以上のMg皮膜(13)を形成することによりろう付用材料(15)を作製し、前記ろう付用材料(15)と他の材料(16)とを組み付けて真空ろう付する。 (もっと読む)


【課題】過酷な条件下に耐え得る立方晶窒化硼素焼結体が強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、立方晶窒化硼素焼結体が接合層を介して工具母材に接合されたものであって、立方晶窒化硼素焼結体は、30体積%以上95体積%以下の立方晶窒化硼素粒子と5体積%以上70体積%以下の結合相とを含有し、立方晶窒化硼素焼結体と接合層との接合面のうちの面積が最大となる接合面に垂直な面で立方晶窒化硼素焼結体工具を切断したときの少なくとも1つの切断面において、点Aと点Bとを結ぶ線分の長さの4分の1の長さだけ離れた点を点Dとすると、点Cと点Dとを結ぶ線分と、第1立方晶窒化硼素粒子と、第2立方晶窒化硼素粒子と、結合相とによって囲まれる領域の面積を、点Aと点Bとを結ぶ線分の長さで除したときの値が、0.14μm以上0.6μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】セラミックス部材と金属部材とを、ろう付けによって高い導電性を確保した状態で接合するセラミックス−金属接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体の製造方法は、導電性を有するセラミックス材料からなるセラミックス部材131の接合面131aに、還元性を有する還元剤134を塗工して上記接合面131aにおける酸化膜を還元除去し、その後、セラミックス部材131と金属部材132とをろう材133を介して接合する工程を備えたセラミックス−金属接合体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】接合面を鏡面研磨することなくアルミナセラミックス焼結体が接合されたアルミナセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】アルミナセラミックス接合体10は、アルミナセラミックス焼結体1,2,3を接合面1a,2a,3aで当接させた状態で焼結することにより接合されており、接合界面11における空孔12が5μm以下であり且つ空孔12の割合αが3%以上40%以下である。接合面1a,2a,3aの表面粗さRaを0.25μm以上0.80μm以下に研削したアルミナセラミックス焼結体1,2,3を焼結して形成される。 (もっと読む)


【課題】炭化ホウ素含有セラミックス部材同士を、簡便な方法で、かつ、接合強度が100MPa以上の極めて高い強度をもって接合することができる新規な技術の提供。
【解決手段】炭化ホウ素を含有してなる各セラミックス部材同士が、接合層を介して一体化されてなり、かつ、接合した部分の強度が100MPa以上である炭化ホウ素含有セラミックス接合体。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金をチューブ状の形状に加工し、チューブの中に炭素粉末を圧入し、その後、チューブをコイル形状に加工した後に真空熱処理炉内に設置し、タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa25を除去した後、タンタル若しくはタンタル合金チューブ内面と前記炭素粉末PITを固相拡散結合で分子接合させるとともに、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入してタンタル若しくはタンタル合金チューブの外表面に炭素を侵入させてTaCを形成する。 (もっと読む)


【課題】セラミックス材と金属材との接合体において、熱膨張差による接合界面の剥離を防止し、接合強度を改善する。
【解決手段】セラミックス材11と金属材14とが積層された接合体10であって、セラミックス材11と金属材14との間に、三次元網目状の金属多孔質材からなる中間層12を備え、中間層12は、その厚さ方向に沿って密度や孔径が異なることにより異なる変形能を有し、セラミックス材11側の変形能が金属材14側の変形能よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】加工時間が短く結合強度が高いカーボンスチールとジルコニアセラミックとの接合方法及びこの方法で得た接合部品を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、カーボンスチール、ジルコニアセラミック及びチタン箔の接合されるべき界面を磨き上げてから洗浄して乾燥させる工程と、チタン箔がカーボンスチールとジルコニアセラミックとの間に挟まれるように、これらを石墨金型内に設置する工程と、石墨金型を放電プラズマ焼結装置の炉内に設置して、直流パルス電源を起動して、垂直圧力が10〜50MPaで、加熱レートが50〜600℃/minで、焼結温度が800〜1100℃で、加熱時間が10〜50分間で、炉の真空度が6〜10MPaである条件下でカーボンスチール及びジルコニアセラミックにパルス電流を印加して、両者を焼結する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】高温環境下において、金属とセラミックとの機械的接合信頼性及び電気的接合信頼性の確保が可能なハニカム構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭化珪素を主成分とする多孔質セラミックスからなるハニカム体10の表面に金属層からなる一対の電極11を設けてなるハニカム構造体1及びその製造方法である。金属層11は、少なくともCrとFeとを含有し、かつCr又はFeを主成分とする表面金属層110と、ハニカム体10との境界部に形成される金属シリサイドからなる拡散層111とからなる。ハニカム構造体1は、ハニカム体10の表面に、少なくともCrとFeとを含有し、かつCr又はFeを主成分とする合金を配設した状態で加熱することにより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】セラミックス材と金属材との接合において、大きな接合面積、および高温環境下においても、接合界面の剥離を防止する。
【解決手段】セラミックス材11と金属材12との間に配置された三次元網目状の金属多孔質材からなる中間層13を備え、この中間層13に、セラミックス材11との接合面13aまたは金属材12との接合面13bに対して略垂直方向に延びるスリット13cが設けられているセラミックス材と金属材との接合体10。 (もっと読む)


【課題】高温環境下において、耐熱性及び接合信頼性を確保することができると共に、オーミックコンタクト性の確保が可能な接合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともSiを含む化合物からなるセラミック体10と、その表面に接合された金属体11との接合体1及びその製造方法である。金属体11は、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素とを少なくとも含有し、かつ熱膨張係数が11×10-6/℃以下である。セラミック体10と金属体11との接合界面には、SiとCrと上記金属元素とを含有する拡散接合領域12が形成されている。 (もっと読む)


【課題】接合強度が大きく、且つセラミックス材料と金属材料とを簡便に接合することが可能なセラミックス−金属接合体を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体100は、骨材としての炭化珪素粒子、及び炭化珪素粒子を結合させる結合材としての珪素を含有する多孔質のセラミックス材料からなるセラミックス部材31と、金属部材32とが、ろう材33を介して接合されたものであり、セラミックス部材31を構成するセラミックス材料が、セラミックス材料100質量%に対して、結合材としての珪素を、30〜80質量%含有するものである。 (もっと読む)


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