【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式（１）
（１−ｘ）｛（Ｎａ_ｙＢａ_１−ｚ）（Ｎｂ_ｚＴｉ_１−ｚ）Ｏ_３｝−ｘＢｉＦｅＯ_３（式中、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ≦０．０１５、０．８０≦ｙ≦０．９５、０．８５≦ｚ≦０．９５を表す。）上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 （もっと読む）

【課題】各種圧電特性がバランス良く優れたニオブ酸アルカリ系圧電材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸アルカリ系圧電材料の製造方法であって、前記圧電材料となる化合物の原料と溶媒とを混合する混合ステップｓ１１と、前記化合物と前記溶媒との混合物を、焼結温度より低い所定の温度で焼成する仮焼成ステップｓ１３と、前記仮焼成ステップ後の前記混合物にバインダーを添加したものを所定の形状に成形する成形ステップｓ１５と、前記成形ステップにて得た成形物を酸素雰囲気中で焼結させる焼成ステップｓ１７と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】セラミック粒子（単結晶粒子）よりも磁気異方性が大きい圧電体セラミックデバイス用のセラミック粒子集合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、(１)セラミック粒子ＣＰを多数含むスラリーＳＬ１を用意する準備ステップ、(２)スラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに分散力を付与することによって各セラミック粒子ＣＰをばらばらに散らばらせる分散ステップ、(３)分散ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに磁場を印加することによって各セラミック粒子ＣＰの結晶方位を揃える配向ステップ、(４)配向ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに凝集力を付与することによって結晶方位が揃っている複数のセラミック粒子ＣＰが凝集したセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを作製する凝集ステップ、(５)凝集ステップ後のスラリーＳＬ１からセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを取り出す取出ステップ、を備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れた絶縁材料及びこれを用いた点火プラグを提供すること。
【解決手段】アルミナ結晶を主相とし、該アルミナ結晶を構成する結晶粒１１の粒界に非晶質の粒界相１２を有するアルミナ質焼結体１からなる絶縁材料である。アルミナ質焼結体１において、粒界相１２は、ＳｉＯ₂にＣａＯ及び／又はＭｇＯが添加されたガラス成分中に、特定成分として希土類元素の酸化物及び／又は周期律表第４族元素の酸化物を含有する。アルミナ質焼結体１の断面においては、アルミナ結晶の結晶粒１１の平均結晶粒径が２μｍ以下であり、粒界相１２の外周形の円形度の平均が０．４〜０．６である。また、アルミナ質焼結体１からなる絶縁材料を絶縁碍子として用いた点火プラグである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】高い焼結作用を有する二酸化チタン粉末を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ表面積３０〜６５ｍ²／ｇ及びルチル含有率５０〜７０％を有する凝集一次粒子の形の結晶二酸化チタン粉末。それは、四塩化チタン蒸気、及びそれとは別に、水素、空気、又は酸素で富化された空気を混合チャンバー中に導入し、四塩化チタン蒸気、水素及び一次空気の混合物をバーナーで点火し、そして火炎を反応チャンバー中で燃焼し、続いてガス状物質から固体を分離することによって製造され、その際使用される量は、式Ａ＝Ａ＝１０⁵｛［（ＴｉＣｌ₄×Ｈ₂）／（空気の量×合計ガス）］／ＢＥＴ｝、［式中、Ａ＝６〜１２に従う］であるように選択される。該二酸化チタン粉末は、セラミクス産業において使用されうる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるＡｌ_２Ｏ_３、第１副原料としてのＴｉ化合物及び第Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＢａのうち少なくとも１種を複合させた、第１副原料とは異なる２副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、ｐ₁＝０．０５〜１．５０及びｐ₂＝０．０５〜２．５０により定義される「第１添加量範囲」又はｐ₁＝０．０５〜０．６０及びｐ₂＝０．０５〜１．２０により定義される「第２添加量範囲」に含まれるように調節される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の向上、加工容易性の向上及び呈色の一様性を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるＡｌ_２Ｏ_３の１００重量部に対して副原料としてのＴｉ化合物をＴｉＯ_２換算で０．１〜２．０重量部添加されることにより原料が調製される。当該原料から作成された成形体の雰囲気１［ｍ³］当たりに対する空気供給量を８〜２５［Ｌ／ｍｉｎ］に制御されながら前記成形体を１４００〜１６００［℃］で３時間以上にわたり焼成される。成形体の雰囲気温度の降温速度が５〜３０［℃／ｈｒ］に制御されながら成形体が冷却される。 （もっと読む）

【課題】環境汚染がなく、且つ低融点低抵抗金属と同時焼成可能で基板の反りが少なく、白色性が強い無鉛ガラスセラミックス組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は40〜55重量%のガラス粉末と45〜60重量%の無機フィラーを配合・焼成されてなり、該ガラス粉末のガラス組成が、重量%でSiO₂を55〜60%、Al₂O₃を11〜12%、CaOを16〜18%、ZnOを0〜4%含有しており、且つ実質的にPbO、MgOおよびAs₂O₃、Sb₂O₃を含有しないことを特徴とする無鉛白色ガラスセラミックス組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】希少金属を使用しない遠赤外線放射セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ（Al₂O₃）を45.82wt%、シリカ(SiO₂)を15.2wt%、チタニア(TiO₂)
を3.8wt%、酸化第2鉄(Fe₂O₃)
を1.2wt%、酸化マグネシウム（MgO）を0.02wt%、酸化カルシウム(CaO)を0.2wt%、酸化ナトリウム(Na₂0)を0.23wt%、5酸化リン(P₂O₅)を2.35wt%、ジルコニア(ZrO₂)を20.5wt%、酸化ランタン(La₂O₃)を3.45wt%、及び水分を7.23wt%の重量比で混合して焼成したことを特徴とする遠赤外線放射セラミックス。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性、剥離性及び靭性に優れるセラミックシートを製造可能な塩基性セラミックス含有スラリー組成物を提供する。
【解決手段】本開示の一態様は、含窒素複素芳香族第４級アンモニウムカチオン基を含むカチオン化合物、高分子分散剤、非水系溶媒、塩基性セラミックス材料及びポリビニルアセタール樹脂を含有するスラリー組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式ＢａＴｉＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてＭｎ、Ｓｉの元素を含有する。ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との混晶体から成る主成分とすることで、１００℃以下では、ＢａＴｉＯ_３が有する高い比誘電率を利用し、１５０℃以上では、ＫＮｂＯ_３が有する高い比誘電率を利用することができる。 （もっと読む）