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Fターム[4G030AA20]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 成分 (15,407) | 第4a〜7a族元素酸化物 (3,001) | 酸化ニオブ (358)

Fターム[4G030AA20]に分類される特許

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【課題】各種圧電特性がバランス良く優れたニオブ酸アルカリ系圧電材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸アルカリ系圧電材料の製造方法であって、前記圧電材料となる化合物の原料と溶媒とを混合する混合ステップs11と、前記化合物と前記溶媒との混合物を、焼結温度より低い所定の温度で焼成する仮焼成ステップs13と、前記仮焼成ステップ後の前記混合物にバインダーを添加したものを所定の形状に成形する成形ステップs15と、前記成形ステップにて得た成形物を酸素雰囲気中で焼結させる焼成ステップs17と、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式(1)
(1−x){(NaBa1−z)(NbTi1−z)O}−xBiFeO(式中、x、y、zは、0<x≦0.015、0.80≦y≦0.95、0.85≦z≦0.95を表す。)上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、平均粒径10μm以下、且つ粒径30μm以上の結晶粒の割合が15%以下であり、相対密度85%以上である。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度95%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】セラミック粒子(単結晶粒子)よりも磁気異方性が大きい圧電体セラミックデバイス用のセラミック粒子集合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、(1)セラミック粒子CPを多数含むスラリーSL1を用意する準備ステップ、(2)スラリーSL1中のセラミック粒子CPに分散力を付与することによって各セラミック粒子CPをばらばらに散らばらせる分散ステップ、(3)分散ステップ後のスラリーSL1中のセラミック粒子CPに磁場を印加することによって各セラミック粒子CPの結晶方位を揃える配向ステップ、(4)配向ステップ後のスラリーSL1中のセラミック粒子CPに凝集力を付与することによって結晶方位が揃っている複数のセラミック粒子CPが凝集したセラミック粒子集合体AScpを作製する凝集ステップ、(5)凝集ステップ後のスラリーSL1からセラミック粒子集合体AScpを取り出す取出ステップ、を備える。 (もっと読む)


【課題】MoSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がMoSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式BaTiOで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてMn、Siの元素を含有する。KNbOとBaTiOとの混晶体から成る主成分とすることで、100℃以下では、BaTiOが有する高い比誘電率を利用し、150℃以上では、KNbOが有する高い比誘電率を利用することができる。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式(Ba1−x)(Ti1−y)O(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbで表される第一の相と、一般式BaαTiβで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温で高い熱電特性を示す新規な熱電変換材料を提供する。
【解決手段】本発明の熱電変換材料は、(Ca3-xBix)(Co4-yy)O9で表される酸化物を有するものである。ここで、MはGa,Fe,Ti及びNbのうちの1つ以上の元素であり、xは0<x≦0.3を満たし、yはMがGa,Fe及びTiのうち1つ以上の元素である場合には0<y≦0.15を満たし、MがNbである場合には0<y<0.1を満たす。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いZn−Sn−O系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がSn/(Zn+Sn)の原子数比として0.01〜0.6含有され、焼結体中における平均結晶粒径が4.5μm以下で、CuKα線を使用したX線回折によるZnSnO相における(222)面、(400)面の積分強度をそれぞれI(222)、I(400)としたとき、I(222)/[I(222)+I(400)]で表される配向度が0.52以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率εが20〜28であり、かつ共振周波数f。(GHz)とQ値の積であるQ×f。値が十分に大きく、さらに共振周波数f。の温度係数τの絶対値が30ppm/℃以下まで調整が可能な条件を満たし得る事ができる高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、一般式 aNiO−bZnO−cNb(式中、27≦a≦33、18≦b≦22、45≦c≦55、a+b+c=100(モル%)である。)で表される主成分100質量部に対して、CaTiOを0.12〜0.18質量部含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 直流電界の印加による比誘電率の低下が抑制されるとともに,高い比誘電率を有するセラミック組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係るセラミック組成物は、コアシェル構造を有するセラミック粒子を含む。一実施形態において,当該セラミック組成物は,反強誘電体から成るコアと、強誘電体又は常誘電体から成り前記コアを取り囲むシェルと、を備える。 (もっと読む)


【課題】広範囲な温度領域(例えば、−55〜350℃)において比誘電率の変化率(例えば、ΔC/C=±22%以内)が小さく、350℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式(K1−xNa)NbOで表されるニオブ酸化合物と、BaTiO3表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [(K1−xNaαBaβ](NbαTiβ)O12で表される固溶体の固溶体領域面積をA1、全体の領域面積をA2としたときに、A1/A2≦0.35とする。 (もっと読む)


【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式(KNaLiDO (元素Cはアルカリ土類金属であるCa,Sr,Baのうちの少なくとも1種、元素DはNbとTaのうちの少なくとも1種、a,b,c,dはa+b+c+d=1を満たし、0.97≦e≦1.10,fは任意)で表されるニオブ/タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第1結晶相と、 A−Ti−B−O系複合酸化物(元素Aはアルカリ金属、元素BはNbとTaのうちの少なくとも1種、元素Aと元素BとTiの含有量はいずれもゼロで無い)で構成される第2結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 (もっと読む)


【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機EL用透明導電性基材とその製造方法、有機EL素子を提供する。
【解決手段】基板1上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜3を形成する有機EL用透明導電性基材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】アルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有し、950〜1050℃程度で緻密に焼結させることができ、且つ、その内部に存在する複数の電極と圧電セラミックスとを同時に焼成して多積層圧電セラミックス部品とした場合においても、良好な電気機械結合定数と、高い圧電特性を保持することが可能な、低鉛の圧電セラミックスを提供する。
【解決手段】主成分として組成式(LiNa1−x−y(Nb1−zTa)O(但し、0.04<x≦0.1、0≦y≦1、0≦z≦0.4、0.95≦a≦1.005)で表されるアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有した結晶によって構成される圧電セラミックスであり、該圧電セラミックスの素体を構成する複数の結晶粒子201の粒界又は粒界三重点において、Si及びKを含有する結晶相202又は非結晶相202を存在させる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質In23と、結晶質Ga2ZnO4とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Znの原子濃度比を1とした場合に、Inの原子濃度比が0.4以上1.8以下であり、かつ、Gaの原子濃度比が0.4以上1.8以下の導電性酸化物とし、In−Ga−Zn−O酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 (もっと読む)


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