【課題】各種圧電特性がバランス良く優れたニオブ酸アルカリ系圧電材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸アルカリ系圧電材料の製造方法であって、前記圧電材料となる化合物の原料と溶媒とを混合する混合ステップｓ１１と、前記化合物と前記溶媒との混合物を、焼結温度より低い所定の温度で焼成する仮焼成ステップｓ１３と、前記仮焼成ステップ後の前記混合物にバインダーを添加したものを所定の形状に成形する成形ステップｓ１５と、前記成形ステップにて得た成形物を酸素雰囲気中で焼結させる焼成ステップｓ１７と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】セラミック粒子（単結晶粒子）よりも磁気異方性が大きい圧電体セラミックデバイス用のセラミック粒子集合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、(１)セラミック粒子ＣＰを多数含むスラリーＳＬ１を用意する準備ステップ、(２)スラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに分散力を付与することによって各セラミック粒子ＣＰをばらばらに散らばらせる分散ステップ、(３)分散ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに磁場を印加することによって各セラミック粒子ＣＰの結晶方位を揃える配向ステップ、(４)配向ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに凝集力を付与することによって結晶方位が揃っている複数のセラミック粒子ＣＰが凝集したセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを作製する凝集ステップ、(５)凝集ステップ後のスラリーＳＬ１からセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを取り出す取出ステップ、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 直流電界の印加による比誘電率の低下が抑制されるとともに，高い比誘電率を有するセラミック組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係るセラミック組成物は、コアシェル構造を有するセラミック粒子を含む。一実施形態において，当該セラミック組成物は，反強誘電体から成るコアと、強誘電体又は常誘電体から成り前記コアを取り囲むシェルと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式（Ｋ_ａＮａ_ｂＬｉ_ｃＣ_ｄ）_ｅＤＯ_ｆ （元素Ｃはアルカリ土類金属であるＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうちの少なくとも１種、元素ＤはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、ａ，ｂ，ｃ，ｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たし、０．９７≦ｅ≦１．１０，ｆは任意）で表されるニオブ／タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第１結晶相と、 Ａ−Ｔｉ−Ｂ−Ｏ系複合酸化物（元素Ａはアルカリ金属、元素ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、元素Ａと元素ＢとＴｉの含有量はいずれもゼロで無い）で構成される第２結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有し、９５０〜１０５０℃程度で緻密に焼結させることができ、且つ、その内部に存在する複数の電極と圧電セラミックスとを同時に焼成して多積層圧電セラミックス部品とした場合においても、良好な電気機械結合定数と、高い圧電特性を保持することが可能な、低鉛の圧電セラミックスを提供する。
【解決手段】主成分として組成式（Ｌｉ_ｘＮａ_ｙＫ_{１−ｘ−ｙ}）_ａ（Ｎｂ_１−ｚＴa_ｚ）Ｏ_３（但し、０．０４＜ｘ≦０．１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．４、０．９５≦ａ≦１．００５）で表されるアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有した結晶によって構成される圧電セラミックスであり、該圧電セラミックスの素体を構成する複数の結晶粒子２０１の粒界又は粒界三重点において、Ｓｉ及びＫを含有する結晶相２０２又は非結晶相２０２を存在させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】分極方向と分極方向に直交する方向との応力状態の違いを測定することができる圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態測定方法を提供する。
【解決手段】母相と前記母相中に分散された添加材相との複合構造を有する圧電／電歪セラミックス焼結体について、分極していない状態で、予定分極方向及び予定分極方向に直交する方向の２方向からラマン分光分析を行い、予定分極方向を分極方向として分極された圧電／電歪セラミックス焼結体について、分極方向及び分極方向に直交する方向の２方向からラマン分光分析を行い、分極していない圧電／電歪セラミックス焼結体についての２方向からのラマン分光分析の結果と、分極された圧電／電歪セラミックス焼結体についての２方向からのラマン分光分析の結果とから、圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態を得る圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態測定方法。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性を有する透明導電膜の製造を可能にし、大型酸化物焼結体の作製が可能な、低温分解性バインダー樹脂を含有する酸化物成形体、酸化物焼結体、および透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】酸化物成形体は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物を含有した原料粉末に対して、ポリエチレンカーボネート樹脂またはポリプロピレンカーボネート樹脂をバインダー樹脂として添加した混合粉を用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造してもノジュールが発生し難く、長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】 Ｌａ原子及びＯ原子を有し、着色がない光学部材用の組成物及び、透明な光学部材を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｌａ原子及びＯ原子を有する光学部材用の組成物において、前記組成物がさらに、Ｃａ原子、Ｍｇ原子、Ｂａ原子、Ｓｒ原子、Ｚｎ原子からなる群Ａから選ばれる少なくとも１種の原子と、Ｔａ原子、Ｎｂ原子からなる群Ｂから選ばれる少なくとも１種の原子と、を有し、前記組成物の有する原子の総和を１００ｍｏｌ％としたときに、前記Ｌａ原子と、前記Ｏ原子と、前記群Ａから選ばれる少なくとも１種の原子と、前記群Ｂから選ばれる少なくとも１種の原子の総和が９９ｍｏｌ％以上であることを特徴とする光学部材用の組成物。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、各種圧電特性がバランス良く優れた圧電材料を提供する
【解決手段】一般式｛（Ｋ_１-aＮａ_ａ）_１−ｂＬｉ_ｂ｝（Ｎｂ_{１−ｃ−ｄ}Ｔａ_ｃＳｂ_ｄ）Ｏ_３＋ｘｍｏｌ％Ｂａ_ｎＴｉＯ_３＋ｙｍｏｌ％ＣｕＯで表される圧電材料であって、０＜ａ≦０．９、０＜ｂ≦０．３、０＜ｃ≦０．５、０＜ｄ≦０．１、０．５≦ｘ＜１０．０、０．９≦ｎ≦１．２、０．１≦ｙ≦８．０であることを特徴とする。より好適には、電気機械結合係数Ｋｐ、比誘電率εｒ、機械品質係数Ｑｍがそれぞれ、Ｋｐ≧２５％、εｒ≧５００、Ｑｍ≧５００である圧電材料とすることである。 （もっと読む）

【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成され、少なくとも表面付近の一部に酸または塩基を含むシート状のセラミックス成形体１５を用意するセラミックス成形体用意工程と、前記セラミックス成形体１５の酸または塩基を含む領域に、金属粒子と有機成分とを含む導体パターン形成用インク２００を液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体１０を形成する導体パターン前駆体形成工程と、複数の前記セラミックス成形体１５を積層して積層体１７を得る積層工程と、前記積層体１７を焼結して、導体パターン２０およびセラミックス基板３１とを有する配線基板３２を得る焼成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】必要量のコバルト酸化物が残存し、スパッタ時のパーティクル発生が少ない十分な焼結密度を有するスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒが２０ｍｏｌ%以下、残余がＣｏである強磁性合金と非金属無機材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、前記非金属無機材料が占める体積率が４０ｖｏｌ％以下で、前記非金属無機材料が少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。金属粉末と少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含む非金属無機材料粉末を粉砕・混合して得られた混合粉末を保持温度は８００°Ｃ以下で加圧焼結装置により成型・焼結するスパッタリングターゲット用焼結体の製造法。 （もっと読む）