【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式（Ｋ_ａＮａ_ｂＬｉ_ｃＣ_ｄ）_ｅＤＯ_ｆ （元素Ｃはアルカリ土類金属であるＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうちの少なくとも１種、元素ＤはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、ａ，ｂ，ｃ，ｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たし、０．９７≦ｅ≦１．１０，ｆは任意）で表されるニオブ／タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第１結晶相と、 Ａ−Ｔｉ−Ｂ−Ｏ系複合酸化物（元素Ａはアルカリ金属、元素ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、元素Ａと元素ＢとＴｉの含有量はいずれもゼロで無い）で構成される第２結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値がゼロに近いセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】ＢａＯ １０〜７０質量部、ＳｉＯ_２ ２０〜８０質量部、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．１〜３０質量部からなり、固相反応法により合成されたＢａＯ−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３系セラミックス粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を２．２〜１７．４質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で２．３〜８．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．９〜３．５質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３．５質量部、Ｂｉ成分を酸化物換算で０〜２３．３質量部、Ｂ成分を酸化物換算で０．５〜３．３質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、
前記緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比４以上１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックスを含み、該アルミナ質セラミックスが、アルミナ以外の成分系として、それぞれ０．１〜６質量％の、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、希土類酸化物（ＲＥ_２Ｏ_３及び／又はＲＥＯ_２、ＲＥ：希土類元素）、酸化鉄(Ｆｅ_３Ｏ_４及び/又はＦｅ_２Ｏ_３）、カルシア（ＣａＯ）、クロミア（Ｃｒ_２Ｏ_３）、前記以外の遷移金属酸化物、又は、これらの複合酸化物の少なくとも１種以上を含有することを特徴とする蓄熱部材。 （もっと読む）

【課題】７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を実現する電気化学セル及びその発電方法を提供する。
【解決手段】上記電気化学セルが燃料ガスと界面を有する燃料極、緻密なイオン伝導体（電解質）、空気（酸素）と界面を有する空気極がその順番に積層されている構造を有し、燃料極と空気極は接触することなく電解質によって分離され、燃料ガスとの界面である燃料極表面全面あるいは一部に電気化学反応を促進する多孔質構造の機能層が積層されている構造を有する電気化学セル。
【効果】気体水素燃料を利用する電気化学発電システムにおいて、気体水素燃料ガスの燃料極内部拡散による抵抗を大幅に低減し、７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を単セルレベルで実現することを可能とする、環境・エネルギー問題の解決に資する高効率な電気化学反応システムを提供できる。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れたセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を６〜１９質量部、Ａｌ成分を酸化物換算で１．４〜６質量部、Ｌｉ成分を酸化物換算で０．３〜０．９質量部、Ｂ成分を酸化物換算で１．６〜３．２質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で３．２〜５．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．５〜０．９質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３質量部、Ｃｏ成分を酸化物換算で０〜４．５質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_２Ｏ_３粉とＧａ_２Ｏ_３粉とＺｎＯ粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を加圧焼結する工程と、を有し、前記Ｉｎ_２Ｏ_３粉の比表面積をＡ（ｍ^２／ｇ）とし、前記Ｇａ_２Ｏ_３粉の比表面積をＢ（ｍ^２／ｇ）とし、前記ＺｎＯ粉の比表面積をＣ（ｍ^２／ｇ）としたとき、各比表面積を、Ａ≧１０，Ｂ≧１３，Ｃ≧５かつＡ／Ｃ≧２，Ｂ／Ｃ≧２の範囲に設定し、前記混合粉末の金属成分組成比を原子比で、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：Ｘ（０．８≦Ｘ≦５）に設定する。 （もっと読む）

【課題】高い電圧が印加された場合であっても、過大電流が発生し難いセラミックス体を提供する。
【解決手段】ＡｌおよびＯを含むセラミックス体であって、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含有し、体積固有抵抗値が１．０×１０^１３〜１．０×１０^１５Ω・ｃｍであり、かつ、表面の少なくとも一部において、表面抵抗率が１０^１０〜１０^１５Ωであるセラミックス体。 （もっと読む）

【課題】 低融点金属との同時焼成が可能であり、クラックや破損が生じにくい回路基板を形成し得る高強度の低温焼成セラミックと、低温焼成セラミックからなる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミックとする。 （もっと読む）

グリーン膜及びその後の焼結に供して作成される多孔被覆高密度焼結セラミック膜であって、前記膜は、塗布とそれに続く熱処理によって作成される特定の濃度の貴金属を含むセラミック材料で被覆されており、被覆中０．２乃至５質量％の貴金属が含まれている。 （もっと読む）

【課題】ドメインエンジニアリングに好適な擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向したＢｉＦｅＯ_３を含有する圧電セラミクスを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物からなるセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向しているセラミクス。


（式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。） （もっと読む）

【課題】活性化元素でドープされ、かつ高透過性、高密度および高有効原子数を有する光学セラミックスを得る。
【解決手段】少なくとも１つの光学的に活性体中心を持つ、対称、立方体構造の単一粒子を有する透明、多結晶光学セラミックスを得るため、前記光学セラミックを、次の式：A_2+xB_yD_zE₇、（ただし、-1.15≦x≦0および0≦y≦3並びに0≦z≦1.6、その上3x+4y+5z=8で、ここでＡは希土類イオンの群からの少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、かつＥは少なくとも１つの２価アニオンである）、となるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】電気的導通性に優れた電極部と、高密度の圧電セラミック層とを兼ね備える積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電セラミック層２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる電極部３１を含む電極層３とを一体焼成してなり、圧電セラミック層２と電極層３とが交互に積層された積層型圧電素子１及びその製造方法である。圧電セラミック層２は、一般式（１）[Ａｇ_h{Ｌｉ_x(Ｋ_1-yＮａ_y)_1-x}_1-h]_j(Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w)Ｏ_3-kで表される等方性ペロブスカイト型化合物からなる。積層型圧電素子１の積層方向の断面に露出する内部電極３２の全長に対する電極部３１の長さの合計の割合は６０％以上である。圧電セラミック層２の断面積に対する空隙の面積の割合が１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法を提供する
【解決手段】一般式：Ｍ_xＷ_yＯ_z（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の粉末に、真空もしくは不活性ガス雰囲気下、９００℃以上１１００℃未満の温度、１９．６ＭＰａ以上の圧力の条件で、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスを施すことにより、前記複合タングステン酸化物以外の相を含まず、かつ、密度が７ｇ／ｃｍ³以上である、上記組成の複合タングステン酸化物の焼結体からなるターゲット材を得る。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、且つ大量生産に適し、低コストで良好な熱電変換性能を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】粒子とその表面を被覆する粒界相とよりなり、該粒子がペロブスカイト型酸化物、例えば、ＳｒＴｉＯ_３等の絶縁体であり、該粒界相がペロブスカイト型酸化物、例えば、ＳｒＴｉＯ_３等に金属をドープした半導体であり、粒子の平均一次粒径が２〜１００ｎｍであり、粒界相の厚みが０．２〜８ｎｍである熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】作製時のエネルギ消費量をより低減させると共に、密度を高め、シートに含まれる結晶の配向度をより高める。
【解決手段】セラミックスシート２０は、一般式ＡＢＯ₃で表され揮発成分を含む酸化物を主成分とする無機粒子をＡ／Ｂ値が１．０５以上となるように配合し、シート厚さが１０μｍ以下の自立した平板状の成形体に成形し、この成形体を該成形体と実質的に反応しない不活性層に隣接させ又は、この成形体のまま揮発成分が揮発する温度以上において３０℃／分以上の昇温速度で焼成して作製されている。このセラミックスシート２０は、シート厚さが１０μｍ以下に形成され、シート面に特定の結晶面を含んだ結晶粒子をシート厚さ方向に実質的に１個有し、全体の面積に占める結晶粒子の面積の割合を密度（％）としたときに、この密度が８５％以上であり、シートのロットゲーリング法の配向度が４０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰの保護膜上又は背面板上に配置することで放電速度を向上するため紫外線領域でフォトルミネッセンス発光を示しながらも、駆動電圧を低減することが可能な酸化マグネシウム粒子を提供する。
【解決手段】波長２６０〜３３０ｎｍの範囲にフォトルミネッセンス発光ピークを有し、周期表第ＩＩＢ族元素を酸化物換算で１〜４５モル％の含量で固溶していることを特徴とする酸化マグネシウム固溶体粒子。 （もっと読む）

【課題】圧電特性をより向上する。
【解決手段】圧電素子２０は、一般式ＡＢＯ₃で表される酸化物を主成分とした配向結晶３２となる、無機粒子と配向した結晶粒子とを、Ａ／Ｂが１．００５以上１．０４以下となる配合比で混合する工程と、Ａｇ／Ｐｄ合金を主成分としＡｇ及びＰｄの全体に対するＰｄの割合が５重量％以上３０重量％以下となる組成の第１電極２２を基板１２上に形成する工程と、混合した原料を所定方向に配向させ所定の成形体に第１電極２２上へ成形する工程と、成形体を１０００℃以上１０７５℃以下の温度で焼成する工程と、によって作製されている。 （もっと読む）

固体酸化物燃料電池用金属酸化物薄膜構造は、金属酸化物塩溶液に金属酸化物ナノ粉末を分散させること、次いで、得られた金属酸化物粉末分散ゾル及び金属酸化物塩溶液を多孔質基板に被覆させることを含む方法によって調製され、優れたガス不透過性及び優れた相安定性を有し、クラック又はピンホールがない。 （もっと読む）

【課題】鉛とアルカリ金属を含まない化合物からなる、圧電性の良い圧電材料を提供する。
【解決手段】鉛とアルカリ金属を含まないＡ_ｘＢ_１０Ｏ_３０とＡ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を組み合わせて、組成相境界を形成した、圧電性の良い圧電材料。前記Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０はＢａ_４Ｂｉ_２／３Ｎｂ_１０Ｏ_３０で、前記Ａ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０はＳｒ_３Ｂａ_２Ｎｂ_１０Ｏ_３０であるタングステンブロンズ構造酸化物からなる圧電材料。 （もっと読む）