【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下、可視波長（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において９８％以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｓｎ／Ｉｎが０．０１９〜０．１０２であり、かつ、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．７７１〜０．９６７、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１６〜０．０９１、Ｃｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１５〜０．１５であり、相対密度が９８％以上、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｍサイトを、前記Ｂａ、Ｃａ及びＳｒの中の互いに異なる２個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えて（Ｍ_１−ｘ^２＋Ｍ_ｘ^２＋）（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６(但し、０＜ｘ＜１及び０＜ｙ＜１）の組成式で表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ＺｎＯ及びＺｎ₂ＳｎＯ₄からなる。錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の原子数比Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．８１〜０．９４の範囲にある。ＺｎＯの平均粒径が２［μｍ］以上の範囲にある一方、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄の平均粒径が１４［μｍ］以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は１Ｅ−０１［Ωｃｍ］以下であり、気孔率は１．７％以下である。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）のモル比が１５：８５〜９０：１０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯスクラップから高純度のＩＴＯを回収できる酸化インジウムスズの回収方法及びターゲット再生の生産性のよい酸化インジウムスズターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＴＯスクラップを塩酸に溶解させて溶解液を得る工程と、溶解液に水酸化ナトリウム溶液を添加して中和し、インジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を得る工程と、スラリー液を水熱反応させてＩＴＯの水和物を析出させる工程と、水和物を所定温度で乾燥する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＴｉＯ_３より格段に圧電特性のすぐれたＳｎＺｒＯ_３―ＳｎＴｉＯ_３固溶体からなる非鉛圧電材料を提供する。
【解決手段】ＳｎＺｒＯ_３―ＳｎＴｉＯ_３固溶体（Ｓｎ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３）である非鉛圧電材料の組成（ｘの値）を調整して組成相境界の状態を作り出すことにより、温度依存性のほとんどないきわめてすぐれた圧電特性を実現する。組成相境界となるｘの値は、第一原理計算による正方晶、単斜晶、菱面体晶の全エネルギー解析から決定できる。これを実施した結果、下記の一般式：Ｓｎ（Ｚｒ_xＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３{ｘは０＜ｘ＜１を満たす数を示す}で表されるペロブスカイト型酸化物からなる非鉛圧電材料が得られた。ここで一般式中、ｘが０．２≦ｘ≦０．４あるいは０．５＜ｘ≦０．７を満たす数であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】残留分極が小さく、電圧印加時に電歪効果によりアクチュエータとしての使用に十分な変位を示す、圧電特性に優れた非鉛薄膜アクチュエータ、それを用いた液体吐出ヘッド、および、インクジェットプリンタを提供する。
【解決手段】チタン酸バリウム、および、錫酸バリウムを主成分とするＢａ（ＳｎｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される複合酸化物薄膜を用い、前記複合酸化物薄膜の主成分中の錫酸バリウム添加量ｘが０＜ｘ≦０．１の範囲をとること。 （もっと読む）

【課題】新規なセラミックスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、圧粉体を水熱処理し、前記水熱処理後の圧粉体を焼結する方法である。ここで、水熱処理温度が100〜370℃の範囲内にあることが好ましい。また、焼結温度が700〜1600℃の範囲内にあることが好ましい。生成したセラミックスは、密度が70〜100％の範囲内にあり、グレインサイズが0.01〜100μmの範囲内にある。また、配向セラミックスである場合は、配高度が50〜100％の範囲内にあり、圧電定数が10〜5000pC/Nの範囲内にある。 （もっと読む）