【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が５．４×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上５．６×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下で、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１重量％以上３重量％以下のＡｌを含み、酸化亜鉛粒子１０中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の粒子径は３μｍ以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の径は１０μｍ以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にＡｌが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０を起点とする異常放電を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 外形加工や切断の処理工程において、表面にクラックあるいは脱粒に起因する欠陥の発生し難いガラスセラミック焼結体とそれを用いた反射部材および発光素子搭載用基板ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体１は、ガラス相中に、アノーサイト相と、石英相と、カルシウム・ジルコニウム・シリケート相と、ジルコニア相とを有する。また、発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載するための搭載部１１を備えた絶縁基体１３と、該絶縁基体１３の上面において、前記搭載部１１を囲うように設けられた反射部材１９とを有し、前記絶縁基体１３および前記反射部材１９のうち少なくとも一方が上記のガラスセラミック焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式（１）
（１−ｘ）｛（Ｎａ_ｙＢａ_１−ｚ）（Ｎｂ_ｚＴｉ_１−ｚ）Ｏ_３｝−ｘＢｉＦｅＯ_３（式中、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ≦０．０１５、０．８０≦ｙ≦０．９５、０．８５≦ｚ≦０．９５を表す。）上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 （もっと読む）

【課題】費用が安く純度の高いα−アルミナを得るための手段を提供する。
【解決手段】α−アルミナ焼成体を生産する方法のフロー１は、ベーマイトに加水するステップ１０１、混練するステップ１０２、脱気するステップ１０３、押出成形するステップ１０４、および焼くステップ１０５を備えている。前記ステップ１０３およびステップ１０４において、ベーマイトを脱気し、高圧で押出成形することによりベーマイト内部の気体を排除することができるので、ステップ１０５において、１回の焼成のみでサファイア単結晶の原料として要求される高い嵩密度を備えたα−アルミナ焼成体を生産することができる。 （もっと読む）

【課題】多量の気体酸素を使用した溶銑予備処理に対しても耐用性の高い混銑車用耐火物およびそれを用いた混銑車を提供する。
【解決手段】混銑車１の炉口２の周辺および天井部３の少なくとも一方に、マグネシア（ＭｇＯ）単体とマグネシアスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ_２Ｏ_３）と黒鉛とを主成分とする煉瓦４を使用した、混銑車用耐火物および混銑車である。さらに、混銑車用耐火物はマグネシアスピネルの比率は５重量％〜５０重量％の範囲内で、黒鉛の比率は１重量％〜３０重量％の範囲内とし、アルミナ単体（Ａｌ_２Ｏ_３）を含み、アルミナ単体の比率を所定の範囲とした。 （もっと読む）

【課題】低い熱膨張係数と高い剛性（ヤング率）を有し、かつ低密度で比剛性が高い酸化物セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】結晶相として、コーディエライト、ムライトおよびサフィリンの３相を含む酸化物セラミックス焼結体であって、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ＭｇＯを１２質量％以上１４質量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３を３４質量％以上３９質量％以下、ＳｉＯ_２を４７質量％以上５１質量％以下含有し、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２以外の物質の含有量が全体の１．５質量％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜３５％、ＳｒＯ ２５〜６５％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｃａ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、ＷＯ_ｘ膜をＤＣスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、ＷＯ_２相とＷ_１８Ｏ_４９相との２相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、ＷＯ_２相の組織中の割合が、５％以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＷＯ_２と、Ｗ_１８Ｏ_４９及びＷＯ_３の少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記ＷＯ_２の含有量を、５〜９５ｍｏｌ％とする。 （もっと読む）

【課題】環境汚染がなく、且つ低融点低抵抗金属と同時焼成可能で基板の反りが少なく、白色性が強い無鉛ガラスセラミックス組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は40〜55重量%のガラス粉末と45〜60重量%の無機フィラーを配合・焼成されてなり、該ガラス粉末のガラス組成が、重量%でSiO₂を55〜60%、Al₂O₃を11〜12%、CaOを16〜18%、ZnOを0〜4%含有しており、且つ実質的にPbO、MgOおよびAs₂O₃、Sb₂O₃を含有しないことを特徴とする無鉛白色ガラスセラミックス組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式（１）：
１≦（ａ_２／ａ_１）×１００≦８０ （１）
（式（１）中、ａ_１は第一強誘電材料の格子定数であり、ａ_２は第二強誘電材料の格子定数であり、ａ_１＞ａ_２である。）
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、酸素イオン伝導性に優れたイオン伝導体を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造イオン伝導体。 （もっと読む）