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Fターム[4G030CA04]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 構造 (2,852) | 結晶粒の形、大きさ (459)

Fターム[4G030CA04]に分類される特許

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【課題】 外形加工や切断の処理工程において、表面にクラックあるいは脱粒に起因する欠陥の発生し難いガラスセラミック焼結体とそれを用いた反射部材および発光素子搭載用基板ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体1は、ガラス相中に、アノーサイト相と、石英相と、カルシウム・ジルコニウム・シリケート相と、ジルコニア相とを有する。また、発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載するための搭載部11を備えた絶縁基体13と、該絶縁基体13の上面において、前記搭載部11を囲うように設けられた反射部材19とを有し、前記絶縁基体13および前記反射部材19のうち少なくとも一方が上記のガラスセラミック焼結体からなる。 (もっと読む)


【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×10kg/m以上5.6×10kg/m以下で、Al換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl粒子20を起点とする異常放電を防止できる。 (もっと読む)


【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。 (もっと読む)


【課題】透光性配線基板において、熱サイクル印加後に配線パターンの透光性アルミナ基板への接着を維持し、かつ配線基板の透光性が得られるようにする。
【解決手段】透光性配線基板8は、透光性アルミナ基板1と、透光性アルミナ基板1上に形成されている配線パターン2とを備える。透光性アルミナ基板1を構成する透光性アルミナにおけるSiOの含有量が150〜300質量ppmであり、MgOの含有量が100〜250質量ppmであり、SiOの含有量がMgOの含有量より多く、SiOおよびMgOを除くアルミナ純度が99.9質量%以上であり、結晶粒子径が20μm以上である。透光性アルミナ基板1の配線パターン2以外の部分の前方全透過率が50%以上である。 (もっと読む)


【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難いシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、溶融シリカ粒子からなる層であり、前記内層が、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末からなる層であり、前記内層と外層の界面近傍における球状のシリカ粒子の間の空間もしくは溶融シリカ粒子の間の空間が、前記シリカ微粉末によって閉塞されている。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、平均粒径10μm以下、且つ粒径30μm以上の結晶粒の割合が15%以下であり、相対密度85%以上である。 (もっと読む)


【課題】耐電圧特性に優れた絶縁材料及びこれを用いた点火プラグを提供すること。
【解決手段】アルミナ結晶を主相とし、該アルミナ結晶を構成する結晶粒11の粒界に非晶質の粒界相12を有するアルミナ質焼結体1からなる絶縁材料である。アルミナ質焼結体1において、粒界相12は、SiO2にCaO及び/又はMgOが添加されたガラス成分中に、特定成分として希土類元素の酸化物及び/又は周期律表第4族元素の酸化物を含有する。アルミナ質焼結体1の断面においては、アルミナ結晶の結晶粒11の平均結晶粒径が2μm以下であり、粒界相12の外周形の円形度の平均が0.4〜0.6である。また、アルミナ質焼結体1からなる絶縁材料を絶縁碍子として用いた点火プラグである。 (もっと読む)


【課題】製鉄プロセスで使用される転炉において鉄皮の変形防止及び精錬効率の向上を図るとともに、環境問題及び黒鉛の資源枯渇問題に対応し、更にはマグカーボンれんがの耐食性を改善する。
【解決手段】耐火原料配合物中の、粒径1mm未満のマグネシア粒子量に対する粒径1mm以上のマグネシア粒子量の質量比が1.27以上2.58以下で、かつ、マグネシアと黒鉛の合計量に占める黒鉛の配合量が10質量%以下であるマグネシアカーボン質れんがを、内張り用れんがの一部又は全部に使用した転炉の操業方法において、吹錬終了時の転炉内のスラグのCaOとSiOの質量比(C/S)が2.0以上で、かつ、スラグ中の酸化鉄の含有量をFeに換算した数値(T.Fe)が12質量%以上となるように操業する。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、酸素イオン伝導性に優れたイオン伝導体を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造イオン伝導体。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式(1):
1≦(a/a)×100≦80 (1)
(式(1)中、aは第一強誘電材料の格子定数であり、aは第二強誘電材料の格子定数であり、a>aである。)
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 (もっと読む)


【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のZnO焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO焼結体は、ZnO粉末とB粉末とを混合、焼成及び粉砕してZn13粉末を得る工程と、平均粒径が0.5〜1μmのZnO粉末と平均粒径が0.2〜0.5μmのZn13粉末とを混合、成形、焼成してZnO焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 (もっと読む)


【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が99.0重量%以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で0.2重量%以上0.8重量%以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が20μm以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 (もっと読む)


【課題】吸着ノズル等治工具用の黒色ジルコニア強化アルミナセラミックスの提供。
【構成】原料粉末として、アルミナ25〜70重量%、ジルコニア25〜70重量%、チタニア3〜15重量%の3成分を基本組成とし、これに焼結助剤とを含み、アルミナの平均結晶粒子径が2μm以下、ジルコニアの平均結晶粒子径が1μm以下の組織とするとともに、チタンをジルコニア粒子内に選択的に固溶させ、ジルコニアの結晶構造として、立方晶が20〜70体積%、単斜晶が30体積%以下、正方晶20体積%以上の割合になるように混在させるものである黒色焼結組成物。 (もっと読む)


【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ZnO及びZn2SnO4からなる。錫(Sn)及び亜鉛(Zn)の原子数比Zn/(Zn+Sn)が0.81〜0.94の範囲にある。ZnOの平均粒径が2[μm]以上の範囲にある一方、Zn2SnO4の平均粒径が14[μm]以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は1E−01[Ωcm]以下であり、気孔率は1.7%以下である。 (もっと読む)


【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるGTOスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Gaが1〜20mol%、残部SnO及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が97%以上、バルク抵抗率が1000Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いZn−Sn−O系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がSn/(Zn+Sn)の原子数比として0.01〜0.6含有され、焼結体中における平均結晶粒径が4.5μm以下で、CuKα線を使用したX線回折によるZnSnO相における(222)面、(400)面の積分強度をそれぞれI(222)、I(400)としたとき、I(222)/[I(222)+I(400)]で表される配向度が0.52以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 (もっと読む)


【課題】高い熱伝導特性と高い強度特性を有する、半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板と、それを有利に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】焼結助剤が添加されていない原料組成物を焼成して得られた、ZrO2 :2〜15重量%、Y2 3 :0.01〜1重量%及びAl2 3 :残部からなる焼結基板であって、Al2 3 の平均結晶粒子径が2μmよりも大きく、7μm以下であると共に、Al2 3 粒界長さが粒界総長さの60%以上となるように構成して、熱伝導率が30W/m・K以上であり且つ曲げ強度が500MPa以上である特性を付与した。 (もっと読む)


【課題】加工性と耐薬品性に優れ、原料コストや脱脂、焼成等の製造コストを低減できるアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】アルミナ結晶1およびマンガンスピネル結晶2からなり、該マンガンスピネル結晶2の含有量が0.2〜5.0体積%であることにより、構造部材として必要な強度を有し、耐薬品性に優れるとともに、粒径の大きい安価なアルミナ原料を用いても低温における焼成が可能で加工性にも優れた、低コストで製造可能なアルミナ質焼結体。 (もっと読む)


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