【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】各種圧電特性がバランス良く優れたニオブ酸アルカリ系圧電材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸アルカリ系圧電材料の製造方法であって、前記圧電材料となる化合物の原料と溶媒とを混合する混合ステップｓ１１と、前記化合物と前記溶媒との混合物を、焼結温度より低い所定の温度で焼成する仮焼成ステップｓ１３と、前記仮焼成ステップ後の前記混合物にバインダーを添加したものを所定の形状に成形する成形ステップｓ１５と、前記成形ステップにて得た成形物を酸素雰囲気中で焼結させる焼成ステップｓ１７と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】低い熱膨張係数と高い剛性（ヤング率）を有し、かつ低密度で比剛性が高い酸化物セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】結晶相として、コーディエライト、ムライトおよびサフィリンの３相を含む酸化物セラミックス焼結体であって、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ＭｇＯを１２質量％以上１４質量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３を３４質量％以上３９質量％以下、ＳｉＯ_２を４７質量％以上５１質量％以下含有し、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２以外の物質の含有量が全体の１．５質量％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のアイソパイプに関連する寸法安定性および他の欠点に対処する。
【解決手段】焼成されたセラミック物品が、４０質量部より多い、３μｍより大きく２５μｍまでのメジアン粒径を有する粗いジルコン成分、および、３０から６０質量部の、３μｍ以下のメジアン粒径を有する微細なジルコン成分、を含む多峰性粒径分布を有するジルコンを少なくとも９０質量％含む組成物から形成される。 （もっと読む）

【課題】セラミック粒子（単結晶粒子）よりも磁気異方性が大きい圧電体セラミックデバイス用のセラミック粒子集合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、(１)セラミック粒子ＣＰを多数含むスラリーＳＬ１を用意する準備ステップ、(２)スラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに分散力を付与することによって各セラミック粒子ＣＰをばらばらに散らばらせる分散ステップ、(３)分散ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに磁場を印加することによって各セラミック粒子ＣＰの結晶方位を揃える配向ステップ、(４)配向ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに凝集力を付与することによって結晶方位が揃っている複数のセラミック粒子ＣＰが凝集したセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを作製する凝集ステップ、(５)凝集ステップ後のスラリーＳＬ１からセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを取り出す取出ステップ、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】熱間補修に汎用される焼付け補修材を前提とし、補修部位からの補修材の流下を抑制して、補修部位に補修材を効率的に積層でき、補修部位の耐用性を向上可能とする焼付け補修材を提供する。
【解決手段】溶湯容器１１の稼動面１２の熱間補修に使用される焼付け補修材１０であり、使用済みのマグネシア・クロミアれんがを有する骨材を６５質量％以上９５質量％以下含み、骨材は、使用済みのマグネシア・クロミアれんがを粉砕してなるクロミアを、骨材の全量に対して８質量％以上５０質量％以下含み、かつ骨材中の篩目１００μｍアンダーが骨材の全量に対して５質量％以上５０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】環境汚染がなく、且つ低融点低抵抗金属と同時焼成可能で基板の反りが少なく、白色性が強い無鉛ガラスセラミックス組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は40〜55重量%のガラス粉末と45〜60重量%の無機フィラーを配合・焼成されてなり、該ガラス粉末のガラス組成が、重量%でSiO₂を55〜60%、Al₂O₃を11〜12%、CaOを16〜18%、ZnOを0〜4%含有しており、且つ実質的にPbO、MgOおよびAs₂O₃、Sb₂O₃を含有しないことを特徴とする無鉛白色ガラスセラミックス組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ヴェルデ定数が大きく、十分な透明性を有する磁気光学素子用焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】磁気光学素子用の多結晶焼結体であって、該焼結体は、Ｔｂ_２ＳｉＯ_５を主成分とし、該Ｔｂ_２ＳｉＯ_５の含有量が９０モル％以上であることを特徴とする磁気光学素子用焼結体。 （もっと読む）

【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】ホウケイ酸ガラス粉末を原料とするガラスセラミック誘電体用材料であって、グリーンシート成形時において、スラリーの粘度変化が生じにくく、かつ、流動性が高くレベリング性に優れたガラスセラミック誘電体用材料を提供する。
【解決手段】ホウケイ酸ガラス粉末を４９．９〜８９．９質量％、アルミナ粉末および／または石英粉末を１０〜５０質量％、ならびに、ホウ酸アルミニウム粉末および／またはホウ酸シリカ系化合物粉末を０．１〜４質量％含有することを特徴とするガラスセラミック誘電体用材料。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ＺｎＯ及びＺｎ₂ＳｎＯ₄からなる。錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の原子数比Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．８１〜０．９４の範囲にある。ＺｎＯの平均粒径が２［μｍ］以上の範囲にある一方、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄の平均粒径が１４［μｍ］以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は１Ｅ−０１［Ωｃｍ］以下であり、気孔率は１．７％以下である。 （もっと読む）

【課題】硬さおよび靱性をバランスよく兼ね備え、かつクラックの発生および進行を抑制することができる複合セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のセラミックス原料からなる第１の粒子１１ａの表面上に、第１の粒子よりも小さい粒径を有し、かつ当該第１のセラミックス原料とは硬さおよび靱性が異なる原料からなる第２の粒子１２ａを局在させて形成させた複合体からなる原料粉体２を成形した後、焼結させる。これにより、第１のセラミックス原料からなる粗大結晶粒１１が、第２の粒子１２ａ同士が結合して形成された３次元網目構造１２の網目内部に充填された状態で保持された複合セラミックス１を形成させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式（Ｋ_ａＮａ_ｂＬｉ_ｃＣ_ｄ）_ｅＤＯ_ｆ （元素Ｃはアルカリ土類金属であるＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうちの少なくとも１種、元素ＤはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、ａ，ｂ，ｃ，ｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たし、０．９７≦ｅ≦１．１０，ｆは任意）で表されるニオブ／タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第１結晶相と、 Ａ−Ｔｉ−Ｂ−Ｏ系複合酸化物（元素Ａはアルカリ金属、元素ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、元素Ａと元素ＢとＴｉの含有量はいずれもゼロで無い）で構成される第２結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 （もっと読む）