Fターム[4G030GA25]の内容
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Fターム[4G030GA25]に分類される特許
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セラミック基板の製造方法
ムライトを主成分とする焼結体
高反射率セラミック基板
スパッタリングターゲット、それを用いたアモルファス酸化物薄膜の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
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ニオブ酸アルカリ系圧電材料の製造方法
【課題】各種圧電特性がバランス良く優れたニオブ酸アルカリ系圧電材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸アルカリ系圧電材料の製造方法であって、前記圧電材料となる化合物の原料と溶媒とを混合する混合ステップs11と、前記化合物と前記溶媒との混合物を、焼結温度より低い所定の温度で焼成する仮焼成ステップs13と、前記仮焼成ステップ後の前記混合物にバインダーを添加したものを所定の形状に成形する成形ステップs15と、前記成形ステップにて得た成形物を酸素雰囲気中で焼結させる焼成ステップs17と、を含んでいる。
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圧電材料、圧電素子、および電子機器
【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式(1)
(1−x){(NayBa1−z)(NbzTi1−z)O3}−xBiFeO3(式中、x、y、zは、0<x≦0.015、0.80≦y≦0.95、0.85≦z≦0.95を表す。)上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。
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酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット
【解決手段】PbおよびCdの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば1300℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。
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酸化物セラミックス焼結体およびその製造方法
【課題】低い熱膨張係数と高い剛性(ヤング率)を有し、かつ低密度で比剛性が高い酸化物セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】結晶相として、コーディエライト、ムライトおよびサフィリンの3相を含む酸化物セラミックス焼結体であって、MgO、Al2O3およびSiO2の含有量の合計を100質量%とした場合に、MgOを12質量%以上14質量%以下、Al2O3を34質量%以上39質量%以下、SiO2を47質量%以上51質量%以下含有し、MgOとAl2O3およびSiO2以外の物質の含有量が全体の1.5質量%未満であることを特徴とする。
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アルミナ質焼結体及びその製造方法
【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるAl2O3、第1副原料としてのTi化合物及び第Sr、Ca、Mg及びBaのうち少なくとも1種を複合させた、第1副原料とは異なる2副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、p1=0.05〜1.50及びp2=0.05〜2.50により定義される「第1添加量範囲」又はp1=0.05〜0.60及びp2=0.05〜1.20により定義される「第2添加量範囲」に含まれるように調節される。
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アルミナ質焼結体及びその製造方法
【課題】電気特性の向上、加工容易性の向上及び呈色の一様性を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるAl2O3の100重量部に対して副原料としてのTi化合物をTiO2換算で0.1〜2.0重量部添加されることにより原料が調製される。当該原料から作成された成形体の雰囲気1[m3]当たりに対する空気供給量を8〜25[L/min]に制御されながら前記成形体を1400〜1600[℃]で3時間以上にわたり焼成される。成形体の雰囲気温度の降温速度が5〜30[℃/hr]に制御されながら成形体が冷却される。
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スパッタリングターゲット
【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Gaをドープした酸化インジウム、又はAlをドープした酸化インジウムを含み、正4価の原子価を示す金属を、Gaとインジウムの合計又はAlとインジウムの合計に対して100原子ppm超1100原子ppm以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。
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Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜
【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si/(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO2粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。
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酸化物焼結体および酸化物透明導電膜
【課題】150℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下、可視波長(400nm〜800nm)において98%以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Sn/Inが0.019〜0.102であり、かつ、In/(In+Sn+Co)が0.771〜0.967、Sn/(In+Sn+Co)が0.016〜0.091、Co/(In+Sn+Co)が0.015〜0.15であり、相対密度が98%以上、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。
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誘電体磁器組成物および電子部品
【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KmNbnO3で表される第一の相と、一般式BaαTiβO3で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。
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誘電体磁器組成物および電子部品
【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbO3で表される第一の相と、一般式BaTiO3で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてMn、Siの元素を含有する。KNbO3とBaTiO3との混晶体から成る主成分とすることで、100℃以下では、BaTiO3が有する高い比誘電率を利用し、150℃以上では、KNbO3が有する高い比誘電率を利用することができる。
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誘電体磁器組成物および電子部品
【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbO3で表される第一の相と、一般式(Ba1−xMx)(Ti1−yLy)O3(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。
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ZnO焼結体の製造方法
【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のZnO焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO焼結体は、ZnO粉末とB2O3粉末とを混合、焼成及び粉砕してZn4B6O13粉末を得る工程と、平均粒径が0.5〜1μmのZnO粉末と平均粒径が0.2〜0.5μmのZn4B6O13粉末とを混合、成形、焼成してZnO焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。
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熱電変換材料
【課題】高温で高い熱電特性を示す新規な熱電変換材料を提供する。
【解決手段】本発明の熱電変換材料は、(Ca3-xBix)(Co4-yMy)O9で表される酸化物を有するものである。ここで、MはGa,Fe,Ti及びNbのうちの1つ以上の元素であり、xは0<x≦0.3を満たし、yはMがGa,Fe及びTiのうち1つ以上の元素である場合には0<y≦0.15を満たし、MがNbである場合には0<y<0.1を満たす。
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ZnO蒸着材及び該ZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法
【課題】ZnO膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる、ZnO蒸着材を提供する。
【解決手段】ZnO蒸着材は、ZnOの多孔質焼結体からなり、その焼結体が0.2以上3.0%未満の気孔率とすることで、内部に存在するガスを著しく減少させることができ、0.1〜300μmの範囲の平均気孔径をとすることで、蒸発速度を高くすることが可能となり、製造コストを低減することができる。ZnO膜は、上記ZnO蒸着材を用いて形成される。
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ターゲット及びその製造方法
【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ZnO及びZn2SnO4からなる。錫(Sn)及び亜鉛(Zn)の原子数比Zn/(Zn+Sn)が0.81〜0.94の範囲にある。ZnOの平均粒径が2[μm]以上の範囲にある一方、Zn2SnO4の平均粒径が14[μm]以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は1E−01[Ωcm]以下であり、気孔率は1.7%以下である。
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