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Fターム[4G031AA06]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 成分 (10,922) | アルカリ土類金属酸化物 (2,445) | 酸化バリウム (768)

Fターム[4G031AA06]に分類される特許

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【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がABO3(AはBa、CaおよびSrから選ばれる少なくとも1つであり、BはZr)を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ba及びTiとABO3が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Mn、Mgを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子9が、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.05原子%/nm以上である第1結晶群の結晶粒子9aと、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.03原子%/nm以下である第2結晶群の結晶粒子9bとを有しており、第1の結晶群を構成する結晶粒子9aおよび前記第2の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が0.15〜0.40μmであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第1の結晶群を構成する結晶粒子9aの面積をa、第2の結晶群を構成する結晶粒子9bの面積をbとしたときに、b/(a+b)が0.4〜0.7である。 (もっと読む)


【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ100nm未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が50nm以上100nm未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、1000℃以上1200℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で0.5〜1.5at%である、高誘電率セラミックスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、BaTiO(0.995≦m≦1.010)を含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩0.05〜4.00モルを含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.05〜0.70モルを含む第2副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Si酸化物0.20〜2.00モルを含む第3副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Al酸化物0.02〜1.00モルを含む第4副成分と、上記第3副成分に対して、BaまたはCaのうち少なくとも一つを含む酸化物20〜140%を含む第5副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びそれを利用した積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、表面に硫化物及び硫黄を含む塩で構成された群から選択された一つ以上の被膜層が形成されたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を利用したペロブスカイト粉末を合成する際に、硫化物及び硫黄を含む塩で構成された群から選択された一つ以上の被膜層を形成することにより、粒子の粒成長を抑制した高結晶性微粒のペロブスカイト粉末を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】圧電多層アクチュエータへの利用に適した圧電材料の提供。
【解決手段】分子式P1−c−d(ただし、0<c≦0.15かつ0≦d≦0.5)を有する材料を含む圧電材料であって、Pが化合物Pb(Zr1−yTi)O(ただし、0.50≦1−y≦0.60)を表し、Zがペロブスカイト型構造の付加的成分を表し、Dが一般式[(MO)1−p(MO)[Nb1−a(ただし2/3<a<1かつ0<p<1)(このとき、MはBa1−tSr、ただし0≦t≦1、を表し、Mはストロンチウムあるいはカルシウムを表す)を表し、材料Dがクリオライト型の構造を含む。これにより、PZTホスト格子のBサイトのドーピングを達成することができる。 (もっと読む)


【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】BaTiOを含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.1〜1.0at%の含量(x1)を含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、原子価固定アクセプタ(fixed valence acceptor)元素を含む酸化物または炭酸塩0.01〜3.0at%の含量(y)を含む第2副成分と、Ce元素(含量はz at%)及び少なくとも一つの希土類元素(含量はw at%)を含む酸化物または炭酸塩を含む第3副成分と、焼結助剤を含む第4副成分と、を含み、上記母材粉末100モルに対して、0.01≦z≦x1+4yであり、0.01≦z+w≦x1+4yである誘電体組成物。 (もっと読む)


【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.1〜1.0at%の含量(x)を含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩0.01〜5.0at%の含量(y)を含む第2副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第3副成分と、焼結助剤を含む第4副成分と、を含有する。セラミック素体110を構成する誘電体層111は、このような誘電体組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】 極力少ない半導体化元素を添加し、経時変化が小さく、上記PTC特性が実用レベルで満足するPTCサーミスタ用磁器組成物、及びPTCサーミスタを提供する。
【解決手段】 組成式が、(Ba1-x-yA1 x A2y)Tiz O3 (但し、A1はLa、Dy、Eu、Gdの一種又は二種以上の元素、A2はY、Ho、Er、Ybの一種又は二種以上の元素)で表され、
前記x、y、zが、0.0005≦x≦0.0045、0.0005≦y≦0.0045、1.00<z≦1.05であり、かつx+y≦0.005の範囲に有るPTCサーミスタ用磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】高い圧電性能と高いキュリー温度を両立した圧電セラミックスを提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】本発明の圧電セラミックスは、一般式(1):xBaTiO−yBiFeO−zBi(M0.5Ti0.5)O(式中、MはMgおよびNiから選択される少なくとも1種の元素であり、xは0.40≦x≦0.80、yは0≦y≦0.30、zは0.05≦z≦0.60の範囲の数値を表わす。但し、x+y+z=1である。)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなり、擬立方晶の表記で(111)面に配向していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】誘電体セラミック層が厚み1μm未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックとして、(Ba1-x/100Cax/100TiO(2≦x≦20)で表わされる化合物を主成分とし、aMg−bSi−cMn−dR(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種。a、b、cおよびd[モル部]は、前記主成分100モル部に対して、それぞれ、0.1<a≦20.0、0.5<b≦20.0、0.1<c≦10.0、および1.0<d≦30.0である。)を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は20nm以上かつ100nm未満である。 (もっと読む)


【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてBa、TiおよびZrを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Baを100モル部としたときの、Zrの含有モル部が10以上40以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてZr/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Aの個数割合をTA、結晶粒子中心においてTi/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Bの個数割合をTB、とするとき、TBが0.1以上である。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbで表される第一の相と、一般式BaαTiβで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式(1):
1≦(a/a)×100≦80 (1)
(式(1)中、aは第一強誘電材料の格子定数であり、aは第二強誘電材料の格子定数であり、a>aである。)
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式BaTiOで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてMn、Siの元素を含有する。KNbOとBaTiOとの混晶体から成る主成分とすることで、100℃以下では、BaTiOが有する高い比誘電率を利用し、150℃以上では、KNbOが有する高い比誘電率を利用することができる。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式(Ba1−x)(Ti1−y)O(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子9aと酸化イッテルビウムの結晶粒子9bとを有するとともに、チタン100モルに対してマグネシウムをMgO換算で0.5〜3.0モル含有してなり、X線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数(110)の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数(222)の回折強度が0.5〜3.0%である。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.6〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、1.2≦α/β≦5.0、0.5≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 広い実用温度領域で脱分極せず、良好な圧電定数を有する非鉛圧電材料を提供することができる。
【解決手段】 下記一般式(1):
一般式(1) 一般式(Ba1−xCa(Ti1−yZr)O(1.00≦a≦1.01、0.125≦x≦0.175、0.055≦y≦0.090)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物を主成分とした圧電材料であって、前記金属酸化物にMnが含有されており、前記Mnの含有量が前記金属酸化物100重量部に対して金属換算で0.02重量部以上0.10重量部以下であることを特徴とする圧電材料。 (もっと読む)


【課題】ガーネット型イオン伝導性酸化物において、伝導度の低下をできるだけ抑えると共に、焼成エネルギーをより低減する。
【解決手段】ガーネット型イオン伝導性酸化物は、Liと、Laと、Zrとを含み、Laと異なる元素でありアルカリ土類金属及びランタノイド元素のうち少なくとも1種以上の元素Aと、Zrと異なる元素であり酸素と6配位をとることが可能な遷移元素及び第12族〜第15族に属する典型元素のうち少なくとも1種以上の元素Bとを含む。また、基本組成LiXLa3-YSrYZr2-ZNbZ12(式中、Xは、(La3-YSrY)の平均価数をa、(Zr2-ZNbZ)の平均価数をbとしたとき、X=24−3×a−2×bを満たし、且つ0<Y≦1.0,0<Z≦1.0)を満たす)で表されるものとしてもよい。 (もっと読む)


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