【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がＡＢＯ３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つであり、ＢはＺｒ）を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ｂａ及びＴｉとＡＢＯ３が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】温度変化に伴う体積変化が小さいハニカム構造体を提供する。
【解決手段】ハニカム構造体１００は、多孔質の隔壁１２０により仕切られた互いに平行な複数の貫通孔１１０を有し、隔壁１２０が、アルミニウムと、チタンと、ケイ素と、カルシウムと、銅、ニッケル及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素と、を含有する酸化物を含み、当該酸化物の少なくとも一部がチタン酸アルミニウムである。 （もっと読む）

【課題】焼成後に、得られたアルミナ質セラミックスに固着することなく、更に、得られたアルミナ質セラミックスの強度を低下させることのないアルミナ質セラミックス焼成用支持具を提供する。
【解決手段】スピネルを主成分とし、スピネル１モルに対して、マグネシア０．０２〜０．３０モルを含有するスピネル−マグネシア複合セラミックスを材質とするアルミナ質セラミックス焼成用支持部、を備え、好ましくは、スピネルの平均粒子径が１０μｍ以上であり、好ましくは、アルミナ質セラミックス焼成用支持部の気孔率が１０％以上であるアルミナ質セラミックス焼成用支持具。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ１）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、Ｃｅ元素（含量はｚ ａｔ％）及び少なくとも一つの希土類元素（含量はｗ ａｔ％）を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含み、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１≦ｚ≦ｘ１＋４ｙであり、０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ１＋４ｙである誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が厚み１μｍ未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-x/100Ｃａ_x/100）_ｍＴｉＯ_３（２≦ｘ≦２０）で表わされる化合物を主成分とし、ａＭｇ−ｂＳｉ−ｃＭｎ−ｄＲ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種。ａ、ｂ、ｃおよびｄ［モル部］は、前記主成分１００モル部に対して、それぞれ、０．１＜ａ≦２０．０、０．５＜ｂ≦２０．０、０．１＜ｃ≦１０．０、および１．０＜ｄ≦３０．０である。）を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は２０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式ＢａＴｉＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてＭｎ、Ｓｉの元素を含有する。ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との混晶体から成る主成分とすることで、１００℃以下では、ＢａＴｉＯ_３が有する高い比誘電率を利用し、１５０℃以上では、ＫＮｂＯ_３が有する高い比誘電率を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてＢａ、ＴｉおよびＺｒを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Ｂａを１００モル部としたときの、Ｚｒの含有モル部が１０以上４０以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ａの個数割合をＴＡ、結晶粒子中心においてＴｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ｂの個数割合をＴＢ、とするとき、ＴＢが０．１以上である。 （もっと読む）

【課題】高い耐食性を兼ね備えた安定化ジルコニア焼結耐火物、特に溶融ガラスに対する耐食性を高めた焼結耐火物を提供する。
【解決手段】化学成分として、質量％でＺｒＯ_２を６０〜９２％、ＳｉＯ_２を２．５〜１２％、Ａｌ_２Ｏ_３を０．３〜４％、ＣａＯを０．１〜１０％、Ｙ_２Ｏ_３を０〜１８％、ＣｅＯ_２を０〜１８％含有し、かつ、Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２で表わされる質量比が０．０５〜０．８の範囲である焼結耐火物であって、ＺｒＯ_２がＹ_２Ｏ_３、ＣａＯ及びＣｅＯ_２から選ばれる少なくとも１種の成分を含んだ安定化ジルコニアとして存在し、焼結耐火物の気孔率が３〜５０％である安定化ジルコニア焼結耐火物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ガーネット型イオン伝導性酸化物において、伝導度の低下をできるだけ抑えると共に、焼成エネルギーをより低減する。
【解決手段】ガーネット型イオン伝導性酸化物は、Ｌｉと、Ｌａと、Ｚｒとを含み、Ｌａと異なる元素でありアルカリ土類金属及びランタノイド元素のうち少なくとも１種以上の元素Ａと、Ｚｒと異なる元素であり酸素と６配位をとることが可能な遷移元素及び第１２族〜第１５族に属する典型元素のうち少なくとも１種以上の元素Ｂとを含む。また、基本組成Ｌｉ_XＬａ_3-YＳｒ_YＺｒ_2-ZＮｂ_ZＯ₁₂（式中、Ｘは、（Ｌａ_3-YＳｒ_Y）の平均価数をａ、（Ｚｒ_2-ZＮｂ_Z）の平均価数をｂとしたとき、Ｘ＝２４−３×ａ−２×ｂを満たし、且つ０＜Ｙ≦１．０，０＜Ｚ≦１．０）を満たす）で表されるものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】熱による体積変化が小さいチタン酸アルミニウム系セラミックス及び成形体を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るチタン酸アルミニウム系セラミックスは、主成分としてチタン酸アルミニウムを含有し、副成分として酸化セリウムを含有する。本発明の一実施形態に係る成形体は、多孔質の隔壁１２０により仕切られた互いに略平行な複数の流路１１０ａ，１１０ｂを有し、隔壁１２０が上記チタン酸アルミニウム系セラミックスを含む。 （もっと読む）

【課題】Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。
【解決手段】組成式を[(Bi_0.5Na_0.5)_x(Ba_1-yR_y)_1-x]TiO₃(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0<x≦0.14、0.002<y≦0.02を満足する半導体磁器組成物の製造方法において、焼結を酸素濃度1%以下の不活性ガス雰囲気で行うことにより、室温における抵抗率を大幅に低下させかつ材料内部にまで均一な特性を付与する。 （もっと読む）

【課題】 材料に希土類を含むことなく38〜44の比誘電率を有する誘電体セラミックスを安価に作製することができ、誘電特性として、Ｑｆ値が高く、かつ広範囲な温度域における共振周波数の温度係数τｆが小さく、かつ低温域（−40〜25℃）および高温域（25〜85℃）で共振周波数の温度係数τｆの差（Δτｆ）の小さい誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】 組成式を、αＺｒＯ_２・βＴｉＯ_２・γＭｇＯ・δＮｂ_２Ｏ_５と表したとき、モル比α，β，γおよびδが、0.3200≦α≦0.5700，0.2800≦β≦0.5300，0.0101≦γ≦0.0774，0.0199≦δ≦0.1526，α＋β＋γ＋δ＝１および0.5＜γ／δ≦１を満足
し、前記組成式の成分100質量％に対して、ＣａをＣａＯ換算で0.01質量％を超え0.3質量％以下含む誘電体セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】圧力損失を低減しつつ燃焼再生において生じる熱応力を低減することが可能なハニカムフィルタを提供する。
【解決手段】ハニカムフィルタ１００は、隔壁１２０により仕切られた複数の流路１１０を有し、複数の流路１１０が複数の流路１１０ａと複数の流路１１０ｂとを有しており、複数の流路１１０ｂにおける一の流路１１０ｂと他の流路１１０ｂとが互いに隣接しており、流路１１０ｂの断面が長辺１５０ａと短辺１５０ｂとを有しており、流路１１０ａの辺１４０のそれぞれが、流路１１０ｂの長辺１５０ａと対向しており、流路１１０ｂの短辺１５０ｂのそれぞれが、隣接する流路１１０ｂの短辺１５０ｂと対向しており、隔壁１２０における隣接する流路１１０ｂ同士を仕切る部分の気孔率が２０〜６０体積％である。 （もっと読む）

【課題】燃焼再生において生じる熱応力を低減することが可能なハニカムフィルタを提供する。
【解決手段】ハニカムフィルタ１００は、隔壁１２０により仕切られた複数の流路１１０を有し、複数の流路１１０が複数の流路１１０ａと複数の流路１１０ｂとを有しており、複数の流路１１０ｂにおける一の流路１１０ｂと他の流路１１０ｂとが互いに隣接しており、流路１１０ｂの断面が長辺１５０ａと短辺１５０ｂとを有しており、流路１１０ａの辺１４０のそれぞれが、流路１１０ｂの長辺１５０ａと対向しており、流路１１０ｂの短辺１５０ｂのそれぞれが、隣接する流路１１０ｂの短辺１５０ｂと対向しており、隣接する流路１１０ｂ同士を仕切る隔壁１２０ｂの厚みが、流路１１０ａと流路１１０ｂとを仕切る隔壁１２０ａの厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】改善されたクリープ抵抗を有し、ガラス炉で利用することのできる生成物を提供する。
【解決手段】７５から９９％のジルコンを含む初期分量から製造され、及び酸化物に基づく重量パーセントで、重量あたり以下の平均化学組成を有している焼成生成物。６０％＜ＺｒＯ_２＋ＨｆＯ_２＜７５％；２７％＜ＳｉＯ_２＜３４％；０＜ＴｉＯ_２；０＜Ｙ_２Ｏ_３＜３．５％；０．１％＜Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５≦５％；及び他の酸化物：＜１％；全体として１００％。及びガラス炉での利用。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）