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Fターム[4G031AA30]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 成分 (10,922) | 第3b〜6b族元素酸化物 (1,974) | 酸化珪素 (502)

Fターム[4G031AA30]に分類される特許

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【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がABO3(AはBa、CaおよびSrから選ばれる少なくとも1つであり、BはZr)を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ba及びTiとABO3が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ100nm未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が50nm以上100nm未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、1000℃以上1200℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で0.5〜1.5at%である、高誘電率セラミックスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】温度変化に伴う体積変化が小さいハニカム構造体を提供する。
【解決手段】ハニカム構造体100は、多孔質の隔壁120により仕切られた互いに平行な複数の貫通孔110を有し、隔壁120が、アルミニウムと、チタンと、ケイ素と、カルシウムと、銅、ニッケル及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素と、を含有する酸化物を含み、当該酸化物の少なくとも一部がチタン酸アルミニウムである。 (もっと読む)


【課題】焼成後に、得られたアルミナ質セラミックスに固着することなく、更に、得られたアルミナ質セラミックスの強度を低下させることのないアルミナ質セラミックス焼成用支持具を提供する。
【解決手段】スピネルを主成分とし、スピネル1モルに対して、マグネシア0.02〜0.30モルを含有するスピネル−マグネシア複合セラミックスを材質とするアルミナ質セラミックス焼成用支持部、を備え、好ましくは、スピネルの平均粒子径が10μm以上であり、好ましくは、アルミナ質セラミックス焼成用支持部の気孔率が10%以上であるアルミナ質セラミックス焼成用支持具。 (もっと読む)


【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】BaTiOを含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.1〜1.0at%の含量(x1)を含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、原子価固定アクセプタ(fixed valence acceptor)元素を含む酸化物または炭酸塩0.01〜3.0at%の含量(y)を含む第2副成分と、Ce元素(含量はz at%)及び少なくとも一つの希土類元素(含量はw at%)を含む酸化物または炭酸塩を含む第3副成分と、焼結助剤を含む第4副成分と、を含み、上記母材粉末100モルに対して、0.01≦z≦x1+4yであり、0.01≦z+w≦x1+4yである誘電体組成物。 (もっと読む)


【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.1〜1.0at%の含量(x)を含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩0.01〜5.0at%の含量(y)を含む第2副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第3副成分と、焼結助剤を含む第4副成分と、を含有する。セラミック素体110を構成する誘電体層111は、このような誘電体組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】誘電体セラミック層が厚み1μm未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックとして、(Ba1-x/100Cax/100TiO(2≦x≦20)で表わされる化合物を主成分とし、aMg−bSi−cMn−dR(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種。a、b、cおよびd[モル部]は、前記主成分100モル部に対して、それぞれ、0.1<a≦20.0、0.5<b≦20.0、0.1<c≦10.0、および1.0<d≦30.0である。)を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は20nm以上かつ100nm未満である。 (もっと読む)


【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてBa、TiおよびZrを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Baを100モル部としたときの、Zrの含有モル部が10以上40以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてZr/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Aの個数割合をTA、結晶粒子中心においてTi/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Bの個数割合をTB、とするとき、TBが0.1以上である。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式BaTiOで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてMn、Siの元素を含有する。KNbOとBaTiOとの混晶体から成る主成分とすることで、100℃以下では、BaTiOが有する高い比誘電率を利用し、150℃以上では、KNbOが有する高い比誘電率を利用することができる。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.6〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、1.2≦α/β≦5.0、0.5≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高い耐食性を兼ね備えた安定化ジルコニア焼結耐火物、特に溶融ガラスに対する耐食性を高めた焼結耐火物を提供する。
【解決手段】化学成分として、質量%でZrOを60〜92%、SiOを2.5〜12%、Alを0.3〜4%、CaOを0.1〜10%、Yを0〜18%、CeOを0〜18%含有し、かつ、Al/SiOで表わされる質量比が0.05〜0.8の範囲である焼結耐火物であって、ZrOがY、CaO及びCeOから選ばれる少なくとも1種の成分を含んだ安定化ジルコニアとして存在し、焼結耐火物の気孔率が3〜50%である安定化ジルコニア焼結耐火物。 (もっと読む)


【課題】ガーネット型イオン伝導性酸化物において、伝導度の低下をできるだけ抑えると共に、焼成エネルギーをより低減する。
【解決手段】ガーネット型イオン伝導性酸化物は、Liと、Laと、Zrとを含み、Laと異なる元素でありアルカリ土類金属及びランタノイド元素のうち少なくとも1種以上の元素Aと、Zrと異なる元素であり酸素と6配位をとることが可能な遷移元素及び第12族〜第15族に属する典型元素のうち少なくとも1種以上の元素Bとを含む。また、基本組成LiXLa3-YSrYZr2-ZNbZ12(式中、Xは、(La3-YSrY)の平均価数をa、(Zr2-ZNbZ)の平均価数をbとしたとき、X=24−3×a−2×bを満たし、且つ0<Y≦1.0,0<Z≦1.0)を満たす)で表されるものとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】熱による体積変化が小さいチタン酸アルミニウム系セラミックス及び成形体を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るチタン酸アルミニウム系セラミックスは、主成分としてチタン酸アルミニウムを含有し、副成分として酸化セリウムを含有する。本発明の一実施形態に係る成形体は、多孔質の隔壁120により仕切られた互いに略平行な複数の流路110a,110bを有し、隔壁120が上記チタン酸アルミニウム系セラミックスを含む。 (もっと読む)


【課題】Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。
【解決手段】組成式を[(Bi0.5Na0.5)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0<x≦0.14、0.002<y≦0.02を満足する半導体磁器組成物の製造方法において、焼結を酸素濃度1%以下の不活性ガス雰囲気で行うことにより、室温における抵抗率を大幅に低下させかつ材料内部にまで均一な特性を付与する。 (もっと読む)


【課題】 材料に希土類を含むことなく38〜44の比誘電率を有する誘電体セラミックスを安価に作製することができ、誘電特性として、Qf値が高く、かつ広範囲な温度域における共振周波数の温度係数τfが小さく、かつ低温域(−40〜25℃)および高温域(25〜85℃)で共振周波数の温度係数τfの差(Δτf)の小さい誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】 組成式を、αZrO・βTiO・γMgO・δNbと表したとき、モル比α,β,γおよびδが、0.3200≦α≦0.5700,0.2800≦β≦0.5300,0.0101≦γ≦0.0774,0.0199≦δ≦0.1526,α+β+γ+δ=1および0.5<γ/δ≦1を満足
し、前記組成式の成分100質量%に対して、CaをCaO換算で0.01質量%を超え0.3質量%以下含む誘電体セラミックスである。 (もっと読む)


【課題】燃焼再生において生じる熱応力を低減することが可能なハニカムフィルタを提供する。
【解決手段】ハニカムフィルタ100は、隔壁120により仕切られた複数の流路110を有し、複数の流路110が複数の流路110aと複数の流路110bとを有しており、複数の流路110bにおける一の流路110bと他の流路110bとが互いに隣接しており、流路110bの断面が長辺150aと短辺150bとを有しており、流路110aの辺140のそれぞれが、流路110bの長辺150aと対向しており、流路110bの短辺150bのそれぞれが、隣接する流路110bの短辺150bと対向しており、隣接する流路110b同士を仕切る隔壁120bの厚みが、流路110aと流路110bとを仕切る隔壁120aの厚みよりも大きい。 (もっと読む)


【課題】圧力損失を低減しつつ燃焼再生において生じる熱応力を低減することが可能なハニカムフィルタを提供する。
【解決手段】ハニカムフィルタ100は、隔壁120により仕切られた複数の流路110を有し、複数の流路110が複数の流路110aと複数の流路110bとを有しており、複数の流路110bにおける一の流路110bと他の流路110bとが互いに隣接しており、流路110bの断面が長辺150aと短辺150bとを有しており、流路110aの辺140のそれぞれが、流路110bの長辺150aと対向しており、流路110bの短辺150bのそれぞれが、隣接する流路110bの短辺150bと対向しており、隔壁120における隣接する流路110b同士を仕切る部分の気孔率が20〜60体積%である。 (もっと読む)


【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体4を作製する工程とを有し、緩衝粉3を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体4の膨張により緩衝粉3による焼結体が割れる粉末とする。 (もっと読む)


【課題】改善されたクリープ抵抗を有し、ガラス炉で利用することのできる生成物を提供する。
【解決手段】75から99%のジルコンを含む初期分量から製造され、及び酸化物に基づく重量パーセントで、重量あたり以下の平均化学組成を有している焼成生成物。60%<ZrO+HfO<75%;27%<SiO<34%;0<TiO;0<Y<3.5%;0.1%<Nb+Ta≦5%;及び他の酸化物:<1%;全体として100%。及びガラス炉での利用。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】BaTiOで表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物100モルに対して、各元素換算で、Mgの酸化物を0.6〜2.0モル、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.010〜0.6モル、V、MoおよびWから選ばれる1つ以上の酸化物を0.010〜0.2モル、R1の酸化物(R1はY、Yb、ErおよびHoから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、R2の酸化物(R2はDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、Baの酸化物および/またはCaの酸化物と、Siの酸化物と、からなる成分を0.2〜1.5モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


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