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Fターム[4G031BA01]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 機能、用途 (2,041) | 電気、電子的機能、用途 (1,276)

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導電性 (126)
電圧非直線抵抗体
PTC半導体 (30)
NTC半導体 (1)
ガスセンサー (12)
湿度センサー
誘電性 (638)
圧電性(強誘電性) (381)
焦電性 (6)
絶縁性 (34)

Fターム[4G031BA01]に分類される特許

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【課題】信頼性が向上するグリーンシートおよびこれを用いたセラミックスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、ペロブスカイト化合物の一般式をABO3(A、Bは元素、Oは酸素をそれぞれ示す)としたとき、少なくとも元素Aと元素Bからなるとともに元素Aのモル数が元素Bのモル数よりも大きい化合物αと少なくとも元素Bを含む化合物βを用いてなることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】着色ジルコニア焼結体において、着色及び焼結体強度にばらつきがなく、製造工程の色移りの汚染を気にすることがなく、なおかつ均一な着色、強度のジルコニアを提供し得る着色ジルコニア用粉末、及びそれを用いたジルコニア焼結体の提供。
【解決手段】 着色剤としてFe−Y複合酸化物を用いたジルコニア粉末を用いた場合、焼結体製造工程における色移りの問題がなく、最終的な焼結体の着色が均一であり、なおかつ強度の低下がない。用いるジルコニア粉末としてはYを1.5〜6.0wt%、Alを0.0〜1.0wt%を含んでなるジルコニア粉末、着色剤としてはFe−Y複合酸化物の含有量が0.01〜10wt%を用いることが好ましい。Fe−Y複合酸化物としてはFeYOであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】光記録媒体の保護膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】モル%で、酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、必要に応じて酸化イットリウム:0.1〜8.4%を含有し、残部:酸化アルミニウム、酸化ランタンまたは酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にAlSi13、LaSiOまたはInSiの組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有する高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】各種電子機器、情報機器のディスプレイなどに使用される無機エレクトロルミネッセンス素子(以下、無機EL素子という)を構成する酸化ジルコニウム系バリア膜を提供する。
【解決手段】酸化イットリウム:1〜12モル%を含有し、さらに必要に応じて二酸化珪素:1〜50モル%および/または酸化アルミニウム:1〜50モル%を二酸化珪素+酸化アルミニウム≦66モル%含有し、残部が酸化ジルコニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する無機EL素子用酸化ジルコニウム系バリア膜。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面が粗化されたセラミックグリーンシートを簡便かつ効率的に製造できる方法であって、しかもその表面粗度を容易に調節できる方法を提供することを目的とする。また、本発明は、当該方法で製造されたジルコニアグリーンシートを焼結したジルコニアシート、および当該ジルコニアシートを電解質膜とする固体酸化物形燃料電池を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明に係る表面粗化セラミックグリーンシートの製造方法は、生セラミックグリーンシートを、表面が粗化された表面粗化用シートに挟んで加圧処理する工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、セラミックスを製造する工程であるグリーン体を焼結時に生じるセラミックスの割れ、また、当該セラミックスを用いた固体電解質にあっては導電性の低下、絶縁性の低下、機械的強度の低下を防止することができるものである。
【解決手段】本発明は、気相雰囲気を0.5μm以上の微粒子が1立方フィート当たり100000個以下とし、セラミックスグリーン体用スラリーをセラミックスグリーン体に成形することを特徴とするセラミックスグリーン体の製造方法である。更に当該グリーン体を焼成して得られるセラミックスおよび当該セラミックスを用いた燃料電池である。 (もっと読む)


【課題】多結晶構造のガーネット型Eu含有無機化合物において、Euドープ量と発光特性との関係を明らかにして、Euドープ量を好適化する。
【解決手段】本発明のEu含有無機化合物は、母体ガーネット型化合物に対してEuがドープされて固溶化された多結晶構造のEu含有無機化合物において、ガーネット構造の8配位サイト中に占めるEuのドープ量が0.5モル%超50.0モル%以下であることを特徴とするものである。ガーネット構造の8配位サイト中に占めるEuのドープ量は、5.0〜30.0モル%であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】Cuを内部電極層の導電材料とする積層型圧電素子であっても高い圧電定数を得ることのできる積層型圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Aサイト成分として少なくともPbを含み、Bサイト成分として少なくともTi及びZrを含み、一般式:ABOで表されるペロブスカイト型複合酸化物から構成される複数の圧電体層11と、複数の圧電体層11間に形成されCuを導電材料とする内部電極層12と、を備える積層型圧電素子1の製造方法であって、Aサイト成分の含有モル量を化学量論組成の95.5〜99.8mol%とし、かつBサイト成分の平均価数が3.965〜4.000(ただし、4.000を含まず)である圧電体層前駆体と、Cuを導電材料として含む内部電極層前駆体とが積層された積層体10を作製する工程と、酸素分圧が1×10−6〜1×10−10atmの雰囲気中で積層体10を焼成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】低温での焼成が可能であり、Q値および絶縁抵抗に優れ、しかも高温加速寿命特性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】誘電体酸化物を含む主成分と、Liの酸化物を含む第1成分およびM1の酸化物(ただし、M1は、V族、VI族元素から選択される少なくとも1種の元素)を含む第2成分を有する焼結助剤と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子と、隣り合う前記誘電体粒子間に存在する結晶粒界と、を有しており、複数の前記誘電体粒子は、粒子表面から粒子内部に向かって、M1元素の濃度が低くなっているとともに、前記誘電体粒子の粒径をDとし、前記結晶粒界におけるM1元素の含有割合を100%とした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Dの50%である深さT50における、M1元素の含有割合が、3〜55%であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】既存の方法で得られるPLZT薄膜と比較して、結晶配向性に優れ、大きな電気光学定数を有するPLZT薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物薄膜の製造方法は、原料溶液を基板表面に塗布し焼成して酸化物薄膜を形成する方法であって、この原料溶液に極性有機低分子化合物が添加されていることを特徴とする。極性有機低分子化合物はメタノール、エタノール、プロパノールなどの低級アルコール、酢酸ブチルが好適である。特に、メタノールは極性があるために、液のなかで揃った形で乾燥時に固定されるため、結晶配向性が非常に優れた酸化物薄膜を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】多結晶体の格子欠陥、結晶粒界、及び微細な空隙(Pore)を低減する。
【解決手段】多結晶バルク体又は多結晶膜からなる多結晶体に対して、周期数2回以上のサイクルアニールを実施する。下記式(1)、特に下記式(2)を充足する条件で、サイクルアニールを実施することが好ましい。
0.45T≦T<T<T・・・(1)、
0.45T≦T<T、0.55T≦T<T・・・(2)
(式中、Tは多結晶体の融点(K)である。融点がなく、溶融せずに昇華する性質を有する多結晶体の場合には、Tは昇華温度(K)とする。ただし、多結晶体が焼結助剤を含む多結晶セラミックスからなる場合、Tは焼結助剤の融点(K)とする。T(K)はサイクルアニールの最低温度、T(K)はサイクルアニールの最高温度である。) (もっと読む)


【課題】均質で絶縁性が高く、良好な特性を有する、絶縁性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性ターゲット材料の製造方法は、一般式AB1−xで表される絶縁性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料の製造方法であって、A元素の酸化物とB元素の酸化物とC元素の酸化物とを混合し、混合された混合粉体を熱処理して粉砕することにより、第1粉体を得る工程と、前記第1粉体と、Si原料およびGe原料の少なくとも一方を含む溶液と、を混合した後、該第1粉体と該溶液との混合物から第2粉体を得る工程と、前記第2粉体を熱処理して粉砕することにより、第3粉体を得る工程と、前記第3粉体を熱処理する工程と、
を含む。 (もっと読む)


【課題】高エネルギ線での曝射時の損傷を低減する。
【解決手段】焼結及び焼鈍を施したシンチレータ組成物が、焼鈍の前に、式A12を有し、式中、AはTb、Ce及びLuから成る群の少なくとも一つの要素又はこれらの組み合わせであり、Bは八面体位(Al)であり、Cは四面体位(やはりAl)である。BにおいてAlをScで置き換えたもの、2原子までの酸素をフッ素で置き換え、且つA位において同数のCa原子を置き換えたもの、B位においてMgで置き換え、且つ同数の酸素原子をフッ素で置き換えたもの、B位においてMg/Si、Mg/Zr、Mg/Ti及び/又はMg/Hfの各組み合わせで置き換えたもの、B位においてLi/Nb及び/又はLi/Taの組み合わせで置き換えたもの、並びにA位においてCaで置き換え、且つ等しい数のB又はCをケイ素で置き換えたもの含み得る。 (もっと読む)


【課題】チタン酸バリウム粉末全体において、組成的にも結晶構造的にも高純度なチタン酸バリウム粉末とその製法、並びに、そのチタン酸バリウム粉末を用いてえrあれるチタン酸バリウム焼結体を提供する。
【解決手段】炭酸バリウム粉末と酸化チタン粉末との混合粉末を調製する第1の工程と、該混合粉末を、圧力が10Pa以下であり、同圧力の条件の熱重量分析において重量減少率が50%以上90%以下の範囲となる温度で仮焼する第2の工程と、該第2の工程における仮焼の温度よりも高い温度、および、前記第2の工程における仮焼の圧力よりも低い圧力の条件で加熱する第3の工程とを具備することを特徴とするものであり、平均粒径が100nm以下、チタン酸バリウムの(111)面の結晶面間隔が0.232nm以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、誘電率が高く、リーク特性が良好で、安定した特性の薄膜誘電体を提供することにある。また、このような薄膜誘電体を用いて、大容量かつ信頼性の高い薄膜コンデンサ素子を提供することも目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、(1−x)MTiO‐(x)〔Bi・3TiO〕、但し、MはBa、Sr、Caのいずれか1種以上、xは0<x≦0.4の薄膜誘電体を形成した。当該薄膜誘電体を備える薄膜コンデンサ素子は誘電率が高く、リーク特性が良好で信頼性の高い素子とすることができた。 (もっと読む)


【課題】 絶縁寿命の低下が抑えられた信頼性の高い圧電磁気組成物及び圧電素子を提供する。
【解決手段】 Pb、Ti、及びZrを構成元素とする複合酸化物を含む圧電磁器組成物である。150℃での比抵抗値をIR(150℃)、50℃での比抵抗値をIR(50℃)としたときにIR(150℃)/IR(50℃)≧0.05である。還元焼成後、酸素分圧10−5atm以上の雰囲気中でアニール処理することにより作製される。 (もっと読む)


【課題】 水素などの燃料ガス雰囲気下においても安定であり、ガス透過性が低く、熱膨張係数が固体電解質の熱膨張係数と同程度であり、燃料電池の構成部材として耐えうる強度を有するマニホールドを提供する。
【解決手段】 平均粒径が0.5μm以上1.5μm以下のマグネシア粉末、及び平均粒径が0.5μm以上1.5μm以下のアルミナ粉末を含有し、前記マグネシア粉末と前記アルミナ粉末の質量比が61:39〜64:36の範囲にある混合粉末を焼結してマニホールドを製造する。 (もっと読む)


【課題】 燃焼合成により得られ、優れた焼結体特性を有するペロブスカイト型セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m2/gの4族元素を含む金属粉末と、2族元素を含む元素の炭酸塩と、過塩素酸ナトリウムとを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られる。また、上記4族元素は、チタンであり、上記2族元素は、ストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも1つの元素である。 (もっと読む)


【課題】 積層セラミックコンデンサを更に小型化、大容量化しても、高周波交流高電圧下あるいは直流高電圧下での使用における発熱が小さく、また高温における絶縁抵抗率が高く、しかも誘電率も従来と比較して劣ることがない誘電体セラミック組成物、及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 一般式:(Ba1-xCaxmTiO3−t(Ba1-xCaxmZrO3(ただし、0≦x≦0.20、0.99≦m≦1.05、0.2<t≦0.4)で表される化合物を主成分とし、前記主成分における(Ba1-xCaxmTiO3100モル部に対し、Mnを0.5〜3.5モル部、Re(ReはY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種の元素)を3〜12モル部、Mgを1〜7モル部含み、かつ、前記主成分における(Ba1-xCaxmTiO3100重量部に対し、SiO2を0.8〜5重量部含み、さらに、Srを実質的に含有しない。 (もっと読む)


本発明の特徴は、表面抵抗率が1×105〜1×1012Ω/□である安定化ジルコニアと、少なくとも2容積%の散乱材料とを含む静電散逸セラミック素子に見いだすことができる。安定化ジルコニアは、60〜95重量%の量で存在できる。本発明のさらに別の特徴は、安定化ジルコニアと、抵抗率変更剤と、散乱材料とを含む静電散逸セラミック材料に見いだすことができる。安定化ジルコニアは、セラミック材料の60〜95重量%の量で存在できる。抵抗率変更剤は、5〜30重量%の量で存在できる。散乱材料は、静電散逸セラミック材料の少なくとも2容積%を占めることができる。この素子は、ハード・ドライブなどのエレクトロニクス素子の製造に使用することができる。 (もっと読む)


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